三星电子2013年8月30日宣布,开始采用20nm级工艺量产DDR4 DRAM(英文发布资料)。首先将面向安装在企业服务器上的内存条生产4Gbit的芯片。
2010年成立的固态硬盘(SSD)新创公司Skyera近日宣布,该公司选择采用海力士公司(SK Hynix)先进的 16nm NAND Flash芯片,用于打造其SkyEagle系列企业级储存设备中。
韩国存储器芯片业者正兴起3D风潮。继日前三星电子(Samsung Electronics)宣布量产3D垂直结构NAND Flash之后,东芝、Sandisk、美光均宣布了其3D NAND 产品的情况。
高速界面控制芯片厂祥硕科技 (5269) 决定退出USB3.0随身碟控制芯片市场,将积极投入USB3.5新规格产品开发。
据韩国电子新闻报导,三星存储器事业部长全东守日前出席韩国国会新成长产业论坛时表示,除大陆西安场外,没有新投资计划。
从1980年代开始,DRAM与PC的关系即密不可分,PC是DRAM最大的应用市场,长期PC占DRAM市场营业额约80%,但今年PC DRAM的营业额比重进一步下跌到38%,市场规模缩小,DRAM用量随之下滑,取而代之的是移动应用大幅成长,移动DRAM市场即
个人计算机(PC)没落后,智能型手机、平板计算机和轻薄型笔记本电脑Ultrabook/Ultralike需求兴起,但对于存储器需求也开始改变,从智能型手机使用高容量内嵌式存储器eMMC至今...
东芝(Toshiba)NAND Flash新厂动工,预估明年量产。法人表示,存储器封测厂力成(6239)有机会受惠。
从去年开始很多厂商就开始加速布局SSD产品,其中NAND Flash芯片厂三星、东芝、SanDisk、美光、英特尔、SK海力士等在SSD产品上占据主导权,因为在NAND Flash货源上占有绝对的优势。
PC外围IC设计厂联阳(3014)Q2营运呈现微幅向上格局。而展望下半年,联阳指出,今年以来经济情势并不明朗,相较于以往PC旺季正常发挥时,上、下半年营收比重能够维持4:6,今年下半年这么旺的机会则不大。
索尼在“2013年闪存峰会(FMS) ”(2013年8月13~15日在美国加利福尼亚州圣塔克拉拉召开)的ReRAM技术分会上,就该公司现正与美光科技(Micron Technology)共同开发的ReRAM(可变电阻式存储器)发表了演讲。
PC硬件组装商Corsair今天发布了Force LS系列固态硬盘产品线,并提供240GB/120GB/60GB三种容量规格。
iSuppli资料指出,SSD市场上,三星2013年将较2012年成长43%,营收达17.94亿美元,可望维持SSD零售市场市占率第一名地位。英特尔2013年也较2012年成长40%,营收达14.16亿美元,排名第二。
银灿2012年推出USB 3.0控制芯片IS916EN,支持21纳米制程、19纳米制程技术的TLC型NAND Flash芯片,日前再推出新款USB 3.0控制芯片IS917,集成电源、石英振荡器(Crystal) 等功能,减少外部零组件,进而减少BOM空间
宇瞻表示,公司今年以来布局PC相关以及嵌入式Embeded产品线有成,尤其是Embeded产品线在新兴市场如中国、中南美,在经过一段时间的通路经营后,陆续获标案以及新客户的订单,效益已开始产生。