索尼与美光共同开发ReRAM “目标2015年投产16Gbit”

存储器 中国闪存市场 Helan 2013-08-23 11:34

索尼在“2013年闪存峰会(FMS) ”(2013年8月13~15日在美国加利福尼亚州圣塔克拉拉召开)的ReRAM技术分会上,就该公司现正与美光科技(Micron Technology)共同开发的ReRAM(可变电阻式存储器)发表了演讲。演讲者是索尼公司元器件解决方案业务本部企画管理部门新一代内存业务准备室统括部长筒井敬一。 

为了实现可消除DRAM与NAND闪存之间的性能差异的储存级内存(Storage-Class Memory,SCM),索尼目前正在推进ReRAM的开发。除了智能手机及平板电脑等消费类产品之外,该公司还打算在企业用大容量NAND存储器等领域“宣传ReRAM可减少DRAM配备量的优点”(筒井)。 

据介绍,索尼决定把ReRAM作为SCM候选的原因是,ReRAM容易进行存储单元的微细化、可采用交叉点型单元阵列,因而可轻松实现高集成化。索尼过去一直在开发(利用电极间金属原子桥接现象的)导电桥接ReRAM(CBRAM),目前已完成10nm左右工艺的可扩展性验证。但该公司并不具备尖端存储器的制造能力,因此在2011年选择美光作为制造合作伙伴,开始与美光共同开发。 

在此次的演讲中,索尼公开了打算2015年投产16Gbit级ReRAM的计划。估计会是采用20nm左右工艺技术的芯片,目前已开始进行测试芯片的设计。

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