采用的是三星128层V6 3D NAND及控制器，顺序读取和写入速度可达560MB/s和530MB/s。

采用3D TLC，支持PCIe Gen4 x4通道，NVMe 1.4协议规范，读取速度将可达到6.3GB/s。

采用三星1XX层 TLC NAND闪存，PCIe Gen 4X4接口，提供1TB, 500GB, 250GB三种容量选择。

采用128层NAND闪存，PCIe NVMe Gen3接口，提供500GB和1TB容量选择，M.2 (2280)规格形态。

采用长江存储64层 3D NAND，并提供64GB/128GB/256GB多种存储容量。

采用美光96层QLC 3D NAND，提供128GB，256GB，512GB和1TB四种容量规格。

符合 UHS-I 和 Class 10 速度评级，读速可达95MB/s，最大容量1TB。

采用3D NAND，SDA 6.0接口，Speed Class 10 UHS Speed Class 1 (U1)速度等级，提供64GB, 128GB, 256GB三种

采用12nm制程,PCIe Gen4x4接口，以及提供连续读写表现皆能突破7GB/s的解决方案。

支持3D TLC/QLC NAND，PCIe4.0，最大支持16TB容量，最大顺序读写速度可达6.5GB/s、3.9GB/s。

支持TLC和QLC，支持PCIe Gen4接口，可提供高达3.9GB / s的带宽和每秒高达690K IOPS。

支持3D TLC/QLC NAND，8通道，最大支持16TB容量，最大顺序读写速度可达540MB/s、520MB/s。

采用第五代V-NAND，其写入速度为512GB eUFS 3.0的三倍，提供512GB、256GB和128GB容量选择。

采用主流的96层3D NAND，并充分利用UFS 3.1高带宽以及SLC NAND缓存，可提供最高800MB/s的顺序写入速度。

容量从32GB-256GB，具有符合JEDEC/UFS版本2.1的接口，符合AEC-Q100 Grade2要求。

采用512Gb V-NAND，集成高性能控制器，提供128GB和512GB容量。

采用最新3D NAND，读取速度可达420MB/s，提供125GB, 256GB容量选择。

采用COB (Chip-On-Board)封装制程生产，体积更小，还具有防泼水、抗震、防尘等特性。

兼容USB 2.0/USB 3.0接口，最大读取速度150MB/s，32GB、64GB、128GB和256GB四种容量选择。

采用USB 3.1接口，16-256GB容量选择，可提供最高130MB/s的数据读取速度。