配备下一代NAND闪存接口“Toggle 5.1”,数据输入/输出速度最高可达3.2Gbps。
三星采用创新横向微缩技术,为4平面(Plane)的1Tb三层存储单元(TLC)和四层存储单元(QLC),带来超过50%的位密度提
铠侠238层产品数据传输速度为每秒2.4Gb,比上一代提升了50%;与 176 层 NAND 相比,其整体生产力提高了 34%。
SK 海力士美光232 层 NAND拥有业界最快的 NAND I/O 速度 — 每秒 2.4 GB (GB/s)。
美光支持3D TLC/QLC NAND,可提供2,100MB/s 和 2,000MB/s 的峰值连续读写传输速度,最大容量可支持8TB。
慧荣Tacoma采用4通道PCIe 5.0接口,具有16/18个NAND通道,支持NVMe 2.0、DDR5及ONFI 5.0等最新技术协议。
英韧科技RainierQX具有四个NAND通道,可通过ONFI 5.0或 Toggle 2.0/3.0/4.0接口,支持SLC、 MLC、TLC和QLC NAND闪存
英韧科技提供四个NAND通道,顺序读写速度最高可达2,100/2,000MB/s,最大支持容量4TB。
慧荣在0.8毫米的厚度内,堆叠16块1Tb 3D闪存芯片,将SDXC支持的最大2TB规格变成现实。
铠侠连拍写入速度1500MB/s ,读取速度1700MB/s,提供320 GB、640 GB两种容量选择。
西部数据/闪迪专为Xbox Series X 和 Xbox Series S游戏机设计,提供500GB和1TB容量选择。
西部数据/闪迪面向电教、故事机、穿戴设备等消费类电子领域,支持快速的读写响应,解决电教设备的断音、失真问题。
FORESEE
深圳市闪存市场资讯有限公司 客服邮箱:Service@ChinaFlashMarket.com
CFM闪存市场(ChinaFlashMarket) 版权所有 Copyright©2008-2023 粤ICP备08133127号-2