采用三星第六代V-NAND，提供2TB和4TB容量，支持双端口。

采用176层3D NAND，支持PCIe4.0接口，提供从256GB到1TB容量。

采用176层3D NAND，支持PCIe4.0接口，提供从512GB到2TB容量。

采用的是三星128层V6 3D NAND及控制器，顺序读取和写入速度可达560MB/s和530MB/s。

采用长江存储64层 3D NAND，并提供64GB/128GB/256GB多种存储容量。

采用美光96层QLC 3D NAND，提供128GB，256GB，512GB和1TB四种容量规格。

符合 UHS-I 和 Class 10 速度评级，读速可达95MB/s，最大容量1TB。

采用3D NAND，SDA 6.0接口，Speed Class 10 UHS Speed Class 1 (U1)速度等级，提供64GB, 128GB, 256GB三种

支持 PCIe 5.0 和 NVMe 1.4b，支持最新3D NAND QLC、TLC和 SLC技术，延长SSD使用寿命。

采用12nm制程,PCIe Gen4x4接口，以及提供连续读写表现皆能突破7GB/s的解决方案。

支持3D TLC/QLC NAND，PCIe4.0，最大支持16TB容量，最大顺序读写速度可达6.5GB/s、3.9GB/s。

支持TLC和QLC，支持PCIe Gen4接口，可提供高达3.9GB / s的带宽和每秒高达690K IOPS。

采用96层3D NAND，适用于5G智能手机，可提供128G、256G和512G三种容量选择。

采用96层3D NAND，提供256GB和128GB容量选择，与UFS 2.1性能相比，读取速度快2倍，写入速度提高50%。

采用第五代V-NAND，其写入速度为512GB eUFS 3.0的三倍，提供512GB、256GB和128GB容量选择。

采用主流的96层3D NAND，并充分利用UFS 3.1高带宽以及SLC NAND缓存，可提供最高800MB/s的顺序写入速度。

采用最新3D NAND，读取速度可达420MB/s，提供125GB, 256GB容量选择。

采用COB (Chip-On-Board)封装制程生产，体积更小，还具有防泼水、抗震、防尘等特性。

兼容USB 2.0/USB 3.0接口，最大读取速度150MB/s，32GB、64GB、128GB和256GB四种容量选择。

采用USB 3.1接口，16-256GB容量选择，可提供最高130MB/s的数据读取速度。