三星(Samsung) 厂商主页

三星一直处于创新的最前沿，致力于钻研创新性技术，不断推出新产品，迅猛而且业绩显著地开拓新市场。在闪存、DRAM、非存储芯片、定制半导体等产品线的研究与开发中一直保持领先地位，而且为保持电子数码产品领域领导者的地位不断努力，承诺为顾客提供全球最高水平的产品及服务。

三星存储产品

三星9100 PRO系列SSD（散热器版）
三星9100 PRO系列SSD（散热器版）

采用5.0 x4接口, 符合NVMe?2.0规范，提供1TB、2TB、4TB、8TB四个版本可供选择。

三星 2025-04-18
Samsung 第九代V-NAND
Samsung 第九代V-NAND

配备下一代NAND闪存接口“Toggle 5.1”，数据输入/输出速度最高可达3.2Gbps。

三星 2024-08-27
三星LPDDR5X DRAM
三星LPDDR5X DRAM

与上一代产品相比，三星10.7Gbps LPDDR5X性能提高了25%以上，容量提高了30%以上。

三星 2024-03-22
三星HBM3E
三星HBM3E

凭借突破性的12层堆叠技术，三星36GB HBM3E 12H实现了50%的密度提升和53%的性能提升。

三星 2024-03-20
三星HBM3
三星HBM3

可提供24GB容量，处理速度高达6.4Gbps，带宽达到 819GB/s。

三星 2023-10-17
三星PM9C1a系列SSD
三星PM9C1a系列SSD

采用第七代V-NAND和自研主控，PCIe 4.0接口，可选256GB-2TB多种容量

三星 2023-01-12
Samsung 第八代V-NAND
Samsung 第八代V-NAND

基于Toggle DDR 5.0 接口，I/O速度高达2.4 Gb/秒。

三星 2022-11-07
三星SSD 990 PRO
三星SSD 990 PRO

990 PRO系列SSD采用三星最新的 V-NAND 和新的专有控制器，提供 PCIe 4.0 接口目前可用的最高速度。

三星 2022-08-25
三星SSD 990 PRO
三星SSD 990 PRO

最新990 PRO系列SSD采用三星第八代V-NAND 和新的专有控制器，提供 PCIe 4.0 接口目前可用的最高速度。

三星 2022-08-25
Samsung UFS 4.0
Samsung UFS 4.0

三星UFS 4.0使用176 层第7代V-NAND，提供 4200MB/s 的顺序读取速度和2800 MB/s的顺序写入速度

三星 2022-05-25
三星PM1743系列SSD
三星PM1743系列SSD

三星PM1743系列SSD采用PCIe 5.0接口和三星第6代V-NAND闪存技术，工1.92TB到15.36TB各种容量选择。

三星 2021-12-23
三星 DDR5 DRAM
三星 DDR5 DRAM

五代双倍数据率同步动态随机存储器 带来以数据为中心的创新

三星 2021-10-12
三星ZNS SSDPM1731a
三星ZNS SSDPM1731a

采用三星第六代V-NAND，提供2TB和4TB容量，支持双端口。

三星 2021-06-02
三星870 EVO
三星870 EVO

采用的是三星128层V6 3D NAND及控制器，顺序读取和写入速度可达560MB/s和530MB/s。

三星 2021-01-21
三星SSD 980 PRO
三星SSD 980 PRO

采用三星1XX层 TLC NAND闪存，PCIe Gen 4X4接口，提供1TB, 500GB, 250GB三种容量选择。

三星 2020-09-23

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厂商快讯

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⊙01-14 10:21

1月13日，佰维存储发布公告，预计2025年度实现营业收入100亿元-120亿元，同比增长49.36%-79.23%；预计2025年度归母净利润8.5亿元-10亿元，同比增长427.19%-520.22%。

⊙01-13 17:15

希捷正式推出三款 32TB CMR 机械硬盘，覆盖企业级 Exos 银河、监控 SkyHawk 酷鹰 AI、NAS 存储 IronWolf 酷狼 Pro 三条产品线。以上三款产品均基于希捷Mozaic HAMR（热辅助磁记录）技术平台，并针对应用场景进行了优化。

⊙01-13 10:09

据韩媒报道，三星电子正在评估韩国SNS Tech公司提供的EUV空白掩模，目标是在第二季度投入使用。目前正处于掩模评估的最后阶段，目标是在本月或下个月完成评估。三星电子一直以来都依赖进口EUV光刻掩模版，对日本的依赖程度尤其高，Hoya和Asahi Glass占据了三星大部分的供应。

⊙01-12 10:17

通富微电公告，拟定增募资资金总额不超过44亿元，募集资金扣除发行费用后拟用于存储芯片封测产能提升项目、晶圆级封测产能提升项目、高性能计算及通信领域封测产能提升项目，分别投入募集资金8亿元、10.55亿元、6.95亿元和6.2亿元。此外计划将12.3亿元用于补充流动资金及偿还银行贷款。

⊙01-09 16:18

群联2025年12月合并营收87.12亿元（新台币，下同），环比增长24％，同比增长93％，刷新历史单月新高；全年合并营收达726.64亿元，同比增长23％，同创历史同期新高。群联表示，上月整体营运表现持续升温，控制芯片总出货量年增97％。其中，PCIe SSD控制芯片出货量同比增长15％，显示新一代高速接口渗透率持续扩大；NAND Bit Growth同比增长16％，凸显云端服务商拉货带动NAND需求走扬，并衍生近期NAND涨价与供给吃紧的市况。

⊙01-09 15:25

力成2025年12月营收72.96亿元（新台币，下同），环比增长2.19%，同比增长30.52%，创2022年8月以来单月高点；2025年第四季营收214.07亿元，环比增长7.21%，同比增长25.21%；累计2025年全年营收749.29亿元，同比增长2.20%，创下三年来新高纪录。

⊙01-08 18:12

高通首席执行官安蒙确认，高通确认正与三星电子就2纳米芯片代工合作进行洽谈，三星将有望时隔五年再次获得高通最先进芯片的代工订单，相关芯片设计工作已全部完成。首个合作项目可能是将目前骁龙8 Elite处理器（由台积电3纳米制程代工），转向三星2纳米制程生产。

⊙01-08 14:30

美光宣布，将于2026年1月16日正式在纽约州奥农达加县破土动工兴建其巨型晶圆厂。该项目耗资1000亿美元，是纽约州历史上规模最大的私人投资项目，建成后将成为全球最先进的存储器制造基地，美国最大的半导体工厂。

⊙01-08 10:49

美光宣布推出美光3610 NVMe™ SSD，是业界首款面向客户端计算的PCIe®5.0 QLC SSD，基于久经市场考验的美光G9 NAND 打造，顺序读取速率高达11,000 MB/s，顺序写入速率高达9,300 MB/s，专为主流台式机和笔记本电脑设计。

⊙01-08 10:05

三星电子公布其2025年第四季度的盈利预期，预计营收为93万亿韩元（约合641亿美元），环比增长8%，同比增长23%；营业利润为20万亿韩元（约合138亿美元），环比增长64%，同比增长208%，创历史新高。三星电子将于1月29日披露完整版业绩报告。

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