厂商动态 铠侠与闪迪将四日市合资协议延长至2034年
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厂商快讯

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⊙02-26 19:00

美国投资基金贝恩资本2月17日和2月19日出售约3900万股铠侠股票，按公司收盘价和每股售价计算，总价值约5500亿日元（约合35.1亿美元）。交易完成后，贝恩资本关联特殊目的公司（SPC）的总持股比例从44%降至37%。

⊙02-26 18:24

美光宣布推出24Gb（3GB）GDDR7 DRAM新品，数据速率32Gb/s，系统带宽1.5TB/s，较GDDR6提升60%。该产品为业界首款采用PAM3三阶信号处理的DRAM，相比GDDR6的NRZ技术，每周期编码信息提升1.5倍，兼顾电压余量与低功耗，同时具备RAS高可靠特性，覆盖游戏、HPC、VR、边缘AI推理等多元场景。

⊙02-26 15:18

当地时间2月25日，三星电子在旧金山举行Galaxy S26系列新品发布会，正式推出Galaxy S26系列三款智能手机。三款机型均搭载Gemini智能体，同时保留Perplexity网络查询引擎及三星自研大模型驱动的设备端助理Bixby。三星电子还在发布会上首次公开展示由谷歌Gemini驱动的手机AI智能体，该智能体可自主完成点外卖、叫车等跨应用操作。价格方面，基础款S26和S26+起售价均较前一代提价100美元，分别达到899和1099美元，旗舰Galaxy S26 Ultra的起售价维持在1299美元。

⊙02-26 10:30

SK海力士宣布，将投资约21.6万亿韩元（约合150亿美元）用于建设龙仁半导体集群首个晶圆厂，预计将于2030年12月底竣工，首个洁净室的启用时间预计将从5月提前至2027年2月。这将使首个晶圆厂的建设总投资达到约31万亿韩元（约合215亿美元），其中包括此前于2024年7月宣布的约9.4万亿韩元（约合65亿美元）的设施投资。预计龙仁半导体产业集群的投资规模将较之前水平大幅增长。

⊙02-26 07:53

SK海力士26日宣布，已与闪迪公司联合举办“HBF规格标准化联盟启动会”，正式发布面向AI推理时代的下一代存储器解决方案HBF（High Bandwidth Flash）的全球标准化战略。HBF不仅可提升AI系统的扩展能力，还能有效降低总体拥有成本（TCO）。业界普遍预测，以HBF为关键组件的整合型存储器解决方案，其市场需求将于2030年前后迎来全面扩张。

⊙02-25 17:14

三星电子日前于ISSCC 2026上发布其LPDDR6研发成果，其最大传输速度可达14.4Gb/s。与上一代LPDDR5X（最大传输速度10.7Gb/s）相比，速度提升约35%。此外，三星电子着重提升了能效，与LPDDR5相比，LPDDR6读取功耗降低27%。在最低电压（0.97V）下，其传输速度可达12.8Gb/s，并通过结构优化，增强了在实际使用环境中的稳定性。LPDDR6预计将于今年下半年上市。

⊙02-25 12:01

SK海力士近日在高盛电话会上释放强烈信号：存储行业已全面进入卖方市场。公司透露，目前DRAM及NAND库存仅剩约4周，且没有任何客户能完全满足需求，受AI真实需求爆发及洁净室空间受限等供给刚性约束影响，2026年存储芯片价格将持续上涨。为满足AI带动的强劲需求，SK海力士将产能向HBM、DDR5等高附加值产品倾斜，其2026年HBM产能已提前售罄。

⊙02-24 18:00

三星昨日官宣其Galaxy Book6系列将于3月11日在美国发售，包括Galaxy Book6 Ultra、Galaxy Book6 Pro和Galaxy Book 6。Galaxy Book6系列搭载Intel Core Ultra Series 3处理器——首款基于英特尔18A 架构的客户端SoC，确保了高效高速的CPU、GPU和NPU性能 ，从而实现快速处理、流畅的多任务处理和更灵敏的AI响应。其中，16英寸的Galaxy Book 6 Pro首次采用了均热板散热技术，Galaxy Book6 Ultra和Pro配备了三星迄今为止续航时间最长的电池，视频播放时间长达30小时。
 

⊙02-24 15:22

2月24日，铠侠于官网宣布为下一代移动应用提供UFS 5.0嵌入式闪存样品。UFS 5.0采用MIPI M-PHY 6.0物理层与UniPro 3.0协议层，支持高达46.6Gbps的单通道接口速度，双通道模式可实现约10.8 GB/s的有效读写性能。评估样品基于公司为UFS 5.0自主研发的主控和铠侠第八代BiCS FLASH™闪存，容量可选512GB和1TB，封装为7.5x13毫米尺寸的全新设计，有助于提高电路板空间利用率和设计灵活性。

⊙02-24 11:28

据韩媒报道，业内人士透露，三星电子内部已实现1c DRAM 80%的良率，这是在高温环境下（热测试）取得的最高良率，并进一步表示，基于1c DRAM的HBM4的良率也有所提高，已接近60%，去年第四季度约为50%。

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上市公司

数据有延时，02-28 05:24
存储原厂
三星电子 KRW 216500 -0.69%
SK海力士 KRW 1061000 -3.46%
铠侠 JPY 21210 -0.14%
美光科技 USD 412.370 -0.77%
西部数据 USD 279.700 -0.90%
闪迪 USD 635.360 -2.54%
南亚科技 TWD 285.5 -0.87%
华邦电子 TWD 122.5 +3.81%
主控厂商
群联电子 TWD 1890 -1.82%
慧荣科技 USD 129.230 -1.41%
联芸科技 CNY 50.28 -1.51%
点序 TWD 89.9 -0.11%
品牌/模组
江波龙 CNY 291.70 -2.71%
希捷科技 USD 407.840 -0.45%
宜鼎国际 TWD 779 -1.27%
创见资讯 TWD 210.0 -2.33%
威刚科技 TWD 285.5 -4.19%
世迈科技 USD 20.780 +1.42%
朗科科技 CNY 36.26 +3.07%
佰维存储 CNY 165.80 -0.73%
德明利 CNY 255.95 -0.21%
大为股份 CNY 28.39 +4.07%
封测厂商
华泰电子 TWD 57.9 +4.14%
力成 TWD 258.0 0.00%
长电科技 CNY 48.16 -1.15%
日月光 TWD 387.5 -0.39%
通富微电 CNY 52.01 -0.50%
华天科技 CNY 15.18 +0.40%