厂商动态 铠侠与闪迪将四日市合资协议延长至2034年
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⊙03-25 16:39

佰维存储（688525）3月25日公告，公司与某存储原厂签订15亿美元采购合同，为期24个月（2026年二季度至2028年一季度），标的为特定存储晶圆。合同金额超公司2025年营收与总资产的50%，达到重大合同披露标准。公司表示，此举旨在锁定中长期晶圆供应，稳定采购成本，助力业务稳健发展。

⊙03-24 17:11

据外媒报道，SK海力士将引进价值约12万亿韩元（约合554亿元人民币）、占总资产9.97%的极紫外光刻（EUV）设备，用于下一代DRAM和高带宽存储器（HBM）量产。设备计划从本月起至明年底分期引进，每台设备分次付款。EUV由荷兰ASML独家生产，波长仅为传统ArF光源的1/13，是实现超精细工艺的关键设备，最新款单价约3000亿韩元。相关设备将陆续导入正在建设的清州M15X晶圆厂及龙仁半导体集群首座工厂，后者预计在明年2月洁净室启用后开始设备引进。

⊙03-23 11:41

据外媒报道，三星电子即将启动8英寸（200毫米）氮化镓（GaN）功率半导体代工厂的运营，最快于2026年第二季度实现全面投产。该代工厂采用交钥匙服务模式，不涉及芯片设计环节，三星已建立相应的GaN解决方案体系，并具备自产外延晶圆的能力。据行业消息，该氮化镓代工厂初期营收规模预计在1000亿韩元（约合4.62亿元人民币）以内。

值得注意的是，台积电此前已宣布计划于2027年终止氮化镓晶圆生产，而三星半导体最初在2023年宣布2025年投产该业务，实际进度有所延迟。除氮化镓外，三星电子还计划推进碳化硅（SiC）功率半导体晶圆代工业务，两者可在不同耐压区间形成互补。

⊙03-19 18:07

三星电子宣布，已与AMD签署谅解备忘录 (MOU)，以扩大双方在下一代AI内存和计算技术方面的战略合作。根据该谅解备忘录，三星和AMD将在下一代AMD AI加速器、AMD Instinct MI455X GPU的主要HBM4供应以及代号为“Venice”的第六代AMD EPYC CPU的先进DRAM解决方案方面达成一致。这些技术将支持结合AMD Instinct GPU、AMD EPYC CPU和机架式架构（例如AMD Helios平台）的下一代AI系统。三星和AMD还将共同研发针对第六代AMD EPYC处理器的高性能DDR5内存。

⊙03-19 18:07

据韩媒报道，三星电子工会宣布集体斗争行动议案以93.1%的赞成率获得通过，将于5月举行总罢工。分析指出，罢工一旦实施，平泽厂区约一半产能将受冲击，直接影响DRAM与NAND闪存芯片的产能释放。

⊙03-19 14:45

 美光科技近日在GTC 2026上宣布，已于2026年第一季度开始批量出货专为NVIDIA Vera Rubin平台设计的HBM4 36GB 12H显存。该产品数据传输速率超过11 Gb/s，提供超过2.8 TB/s的带宽，较上一代HBM3E带宽提升2.3倍，能效提升20%。此外，美光已向客户交付HBM4 48GB 16H样品，单颗容量提升33%。

同时，美光推出业界首款量产的PCIe Gen6数据中心SSD（Micron 9650），顺序读取速度达28 GB/s，性能为Gen5两倍，并针对NVIDIA BlueField-4架构优化。专为Vera Rubin设计的192GB SOCAMM2内存也已量产，支持高达2TB内存容量和每CPU 1.2 TB/s带宽。

⊙03-19 09:43

美光科技发布2026财年第二季度财报，得益于人工智能驱动的内存需求激增，公司营收、毛利率及每股收益均创历史新高。财报显示，美光第二财季总营收达239亿美元，环比增长75%，同比增长196%，连续第四个季度创下营收新高。其中，DRAM营收同比增长207%至188亿美元，NAND营收同比增长169%至50亿美元。公司毛利率达75%，净利润为140亿美元。

美光首席执行官Sanjay Mehrotra表示，内存已成为人工智能时代的战略资产。随着HBM等产品需求旺盛，预计第三财季营收将达到创纪录的335亿美元，毛利率约为81.0%。同时，美光正大力扩产以满足需求，预计第三财季资本支出约为70亿美元。

⊙03-18 14:51

据外媒报道，受人工智能浪潮推动，2026年AI内存芯片需求预计将持续激增，三星电子正考虑将内存芯片合同转向多年期合约，计划从现行的季度或年度合同延长至三至五年，以稳定供应并缓解市场对关键组件短缺的担忧 。

⊙03-18 11:26

据外媒报道，三星一直向英伟达供应HBM4、SOCAMM2内存模块和PM1763 SSD，现在又通过增加Grok3 LPU芯片的生产，扩大了双方的合作，已确立了其作为下一代人工智能加速器平台所有领域核心合作伙伴的地位。三星电子已确认正在开发第八代高带宽内存（HBM5），其底层芯片（最底层）采用2纳米工艺。对于第九代HBM5E，该公司计划提前在核心芯片上应用基于1D（第七代10纳米级）工艺的DRAM。

⊙03-17 14:50

在NVIDIA GTC 2026 大会上，三星全面展示了其在AI计算领域的技术布局，展出了从高性能内存到面向个人设备的低功耗解决方案的全系产品。三星首次展示了其下一代HBM4E内存。该产品每引脚传输速度可达16Gbps，带宽高达4.0 TB/s。此外，三星还展出了其混合铜键合（HCB）技术，这项新技术将使下一代HBM能够实现16层或更多堆叠，同时与热压键合相比降低20%以上热阻。

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上市公司

数据有延时，03-28 15:38
存储原厂
三星电子 KRW 179700 -0.22%
SK海力士 KRW 922000 -1.18%
铠侠 JPY 20270 -4.23%
美光科技 USD 357.220 +0.50%
西部数据 USD 275.340 +0.73%
闪迪 USD 615.830 +2.10%
南亚科技 TWD 219.5 -2.66%
华邦电子 TWD 92.4 -3.25%
主控厂商
群联电子 TWD 1565 -5.15%
慧荣科技 USD 110.060 -1.05%
联芸科技 CNY 44.10 -0.36%
点序 TWD 83.1 -2.24%
品牌/模组
江波龙 CNY 320.03 -2.13%
希捷科技 USD 380.070 +0.34%
宜鼎国际 TWD 960 +4.80%
创见资讯 TWD 236.0 -2.48%
威刚科技 TWD 390.5 +5.26%
世迈科技 USD 16.690 -5.49%
朗科科技 CNY 44.44 -2.03%
佰维存储 CNY 238.40 -0.24%
德明利 CNY 381.89 +0.80%
大为股份 CNY 30.67 +2.88%
封测厂商
华泰电子 TWD 52.2 -1.69%
力成 TWD 195.0 -1.76%
长电科技 CNY 39.53 +0.25%
日月光 TWD 353.5 -1.53%
通富微电 CNY 42.45 -0.72%
华天科技 CNY 12.25 +0.16%