SK海力士之所以选择在清州建设新的NAND闪存生产基地，是因为能够加快新晶圆厂的建设。清州园区已建成M11、M12、M15 NAND闪存生产设施，新建晶圆厂可与现有产线协同增效；同时厂址、电力及用水等基础设施也已基本就绪。清州M17晶圆厂总建筑面积约20.6万坪（约68万平方米），计划明年2月开工，2028年12月启用首个无尘室。投资期将持续至2031年4月，并将根据业务进度分阶段实施。

此次发布的标准规范，是继SK海力士去年8月与闪迪启动HBF标准化合作，并于今年2月成立联盟后，历时约6个月推出的首项成果。该规范定义了两种容量配置，分别采用8层和16层NAND芯片堆叠，最高支持512GB容量；并按三个等级（Grade 1~3）设定带宽标准，数据传输能力覆盖约0.4TB/s至3.0TB/s。

在AI基础设施投资持续扩大、市场需求保持强劲的背景下，面向AI服务器的高性能产品推动价格进一步上涨，SK海力士业绩再度刷新上一季度创下的历史最高纪录。由此，上半年累计营收首次突破100万亿韩元。与去年同期相比，营收和营业利润分别增长257%和557%。

SK海力士也与英伟达达成了一项长期AI内存合作伙伴关系，确保英伟达获得稳定的下一代AI内存供应，并共同开发和优化下一代人工智能内存解决方案（包括HBM）。

郭鲁正强调，NAND需求的持续攀升已导致供应接连出现短缺，扩大产能势在必行。半导体制造设施的建设对大规模用地、可靠的基础设施（如水电供应）以及时间节点要求极高。清州不仅具备与现有工厂协同高效生产的优势，且土地、电力及水利等基础设施均已准备就绪，可立即启动建设。

该战略将分阶段在龙仁投资600万亿韩元、清州投资100万亿韩元、西南地区投资400万亿韩元。

此次新产品较上一代HBM4，性能和能效均取得了跨越式升级。其引脚速率最高可达16Gbps，并将能效提高20%以上，显著提升了AI训练和推理所必需的数据处理能力。

该协议支持先进存储器的供应，以应对延长的开发周期、先进的制造工艺和资本投资，从而维持人工智能工厂在全球范围内的建设。

iHBM技术的特点在于从结构层面根本性解决上述散热难题。传统HBM依赖热量经由核心芯片（Core Die）向外传导的间接散热方式。iHBM的核心在于，直接在热量最为集中的D2D PHY区域内嵌入热控元件（ICE），构建专用热量排出通道（Heat Path）。相较传统方案，热阻（Thermal Resistance）降低30%以上，同时确保产品在高温、高负载环境下的稳定运行特性。

此次获奖，是对SK海力士推动HBM创新与应用、引领AI计算发展所作贡献的高度肯定。SK海力士提前提出创新性HBM解决方案，并及时响应客户需求，这一举措在全球AI市场中发挥了关键作用。

SK海力士预测，存储效率化技术的扩散将提高人工智能服务的经济性，进而推动整体服务规模的扩大，这将进一步拉动存储器需求。基于此，SK海力士预计DRAM和NAND闪存市场均将维持有利的价格环境。

该产品可从根本上缓解数千亿参数级AI大模型在训练与推理过程中所面临的存储瓶颈*问题，SK海力士期待其助力能够大幅提升整体系统的处理速度。

据外媒报道，SK海力士将引进价值约12万亿韩元（约合554亿元人民币）的极紫外光刻（EUV）设备，用于下一代DRAM和高带宽存储器（HBM）量产。这笔投资金额约占SK海力士总资产的9.97%，采购对象为荷兰半导体设备巨头ASML，交易周期预计持续至2027年12月。

SK海力士以“聚焦AI存储器（Spotlight on AI Memory）”为主题设立展区，集中展示面向AI的存储技术与解决方案。展区分为“英伟达合作区（NVIDIA Collaboration Zone）”、“产品组合区（Product Portfolio Zone）”与“活动区（Event Zone）”，以沉浸式体验为主的展示，助力参观者能够直观理解面向AI的存储技术。

3月10日，SK海力士宣布成功开发基于第六代10nm级（1c）工艺的16Gb LPDDR6 DRAM内存产品， 该产品精准适配智能手机、平板等移动设备，为端侧AI应用提供了关键的存储解决方案。