据亚洲日报报道，SK海力士在TSMC主办的技术活动中，重点介绍了AI时代的核心组件HBM4，强调了从HBM4开始采用TSMC的先进逻辑工艺生产“基底芯片”的变化，计划在2026年量产HBM4。两家公司在部件供应和定制HBM市场多方面展开战略合作。SK海力士计划结合台积电的“CoWoS”技术和自身HBM技术，提供符合全球大科技公司需求的解决方案。

SK海力士HBM4E核心芯片计划采用1c纳米制程，其良率和量产能力已达到成熟阶段。预计在今年下半年提供HBM4E样品，以2027年实现量产为目标。

对于地缘冲突对产能的影响，SK海力士表示公司已实现原材料供应商多元化，并已确保充足的库存，因此实际影响非常有限。

针对近期内存现货价疲软的趋势，SK海力士指出，这是价格急涨后部分渠道库存释放所造成的暂时性情况，并非周期见顶的信号。由于供应持续短缺，本轮涨价周期有可能比过去更长。

SK海力士发布截至2026年3月31日的2026财年第一季度财务报告：营业收入为52.5763万亿韩元（约合355.7亿美元），环比增长60%，同比增长198%；营业利润为37.6103万亿韩元（约合254.4亿美元），环比增长96%，同比增长405%；净利润为40.3459万亿韩元（约合272.9亿美元），环比增长165%，同比增长398%。2026财年第一季度营业利润率为72%，净利润率为77%。SK海力士今年的投资规模将同比大幅增加。

据韩媒报道，SK海力士已正式启动其位于美国印第安纳州的半导体生产基地建设，项目投资额达5.7万亿韩元（约合39亿美元）。这是SK海力士在美国的首家半导体工厂。据业内人士透露，SK海力士于近日通知当地社区，将开始桩基施工，预计上部结构将于今年下半年开始搭建。据悉，该基地计划于2028年下半年全面投产，预计第七代和第八代高带宽内存（HBM4E、HBM5）可能成为主要产品。

SK海力士22日宣布，在韩国清州科技城工业园区举行P&T7项目的奠基仪式。该项目是一座专用于生产人工智能存储产品（例如 HBM）的先进封装工厂，投资数万亿韩元，将建于清州科技城工业园区内，占地约 23 万平方米。工厂将拥有三层 WLP工艺线，总面积约 6 万平方米，以及七层 WT（晶圆测试）工艺线，总面积约 9 万平方米，仅洁净室面积就将达到约 15 万平方米。破土动工后，工厂将立即开工建设，WT 生产线预计将于 2027 年 10 月竣工，WLP 生产线预计将于 2028 年 2 月竣工。

据外媒报道，高通CEO Cristiano Amon近日访韩，与三星和SK海力士高层会面，预计将就确保内存货源和与三星在2nm晶圆代工领域的合作展开讨论。

SK海力士4月20日宣布，正式量产基于第六代10纳米级（1c）LPDDR5X低功耗DRAM的192GB容量SOCAMM2产品。该模块专为高性能AI运算优化，面向英伟达Vera Rubin平台设计，旨在缓解AI基础设施的存储瓶颈。

与传统RDIMM相比，SOCAMM2带宽提升逾两倍，功耗降低75%以上，可从根本上解决数千亿参数级大模型在训练与推理中的存储瓶颈，大幅提升系统处理速度。

据亚洲日报报道，三星电子和SK海力士决定与全球大科技公司签订3至5年的长期供应合同，放弃一年期的短期合同。三星电子此前表示正在推动将供应合同从年度或季度转为3至5年的多年度合同，预计将稳定地向微软、谷歌等主要客户供应3年期的内存产品。SK海力士则正在与谷歌商讨5年期的通用DRAM长期供应合同，以最大化供应稳定性。此举旨在通过与客户在AI内存开发初期的战略合作，建立稳定的高收益模式。