据韩媒报道，三星电子正在进行最终品质检验以确保2月底前实现HBM4量产出货，但英伟达请求无论测试结果如何先行供货。因AMD、谷歌等竞争对手加速追赶，英伟达开始加速确保HBM4供货。当前，三星电子与SK海力士都在进行HBM4的最终品质测试。分析称，因产品品质已得到一定程度的验证，英伟达遂请求三星跳过详细测试加急供货。

据韩媒ZDNetKorea报道，为应对人工智能发展激增的存储需求，SK海力士计划于今年第二季度启动尖端NAND闪存的“转换投资”，在其清州M15工厂扩产321层第9代NAND，将月产能从当前的约2万片晶圆提升至约3万片。

韩国产业通商资源部资料数据显示，2026年1月韩国出口额达658.5亿美元，同比增长33.9%，首次突破600亿美元，创历史新高。其中，半导体出口表现尤为强劲，1月出口额达205亿美元，同比增长102.7%，已连续两月突破200亿美元大关。韩国科学技术信息通信部分析称，半导体增长主要得益于高附加值存储芯片需求扩大及DRAM等通用半导体价格持续上涨。在全球人工智能热潮推动下，以三星电子、SK海力士为代表的韩国半导体产业成为主要受益者。

SK 海力士宣布，将在美国成立一家人工智能解决方案公司，暂定名为AI Co.，以寻找新的人工智能增长引擎。SK海力士将通过对Solidigm进行重组，成立AI公司。重组后，Solidigm将保留AI公司的名称，但其业务运营将转移至一家名为Solidigm Inc.的新子公司，以确保品牌延续性。AI公司将作为专注于人工智能的业务部门，推动SK海力士的人工智能战略。AI公司的名称将于今年晚些时候正式公布。SK海力士将向AI公司投资100亿美元，AI公司将以资本募集的方式部署这笔资金。

SK海力士财报显示，2025年SK海力士HBM销售额同比增长逾一倍，成为创下历史最高业绩的核心动力。自去年9月全球率先构建HBM4量产体系后，目前SK海力士正在量产客户所要求的产量。

SK海力士发布截至2025年12月31日的2025财年及第四季度财务报告，2025财年全年营收为97.1467万亿韩元（约合681.6亿美元），营业利润为47.2063万亿韩元（约合311.2亿美元）（营业利润率为49%），净利润为42.9479万亿韩元（约合301.3亿美元）（净利润率为44%），远超2024年创下的历史最高纪录。营收同比增长逾30万亿韩元，营业利润实现翻倍增长，创下历史最高年度业绩纪录。

其中，2025年第四季度营收为32.8267万亿韩元（约合230.3亿美元），环比增长34%，同比增长66%；营业利润为19.1696万亿韩元（约合134.5亿美元），环比增长68%，同比增长137%；营业利润率达58%，三项指标均刷新历史纪录；净利润15.2460万亿韩元（约合107亿美元），环比增长21%，同比增长90%。SK海力士表示，创下此佳绩主要得益于HBM需求旺盛，以及面向服务器的通用存储芯片需求也大幅增加。

SK海力士最新推出的LPDDR5X车用DRAM产品荣获ASIL-D（汽车安全完整性等级D）认证，这是国际汽车功能安全标准ISO 26262下的最高安全等级。

据韩媒etnews引述业内人士报道，SK海力士已将其无锡工厂的现有1z工艺升级为1a工艺。目前，SK海力士无锡工厂基于12英寸晶圆的DRAM月产能为18万至19万片，其中约90%的产能为1a工艺。无锡工厂的产量占SK海力士DRAM总产量的30%至40%。

与此同时，SK海力士预计将加快其韩国DRAM晶圆厂向1c工艺的升级改造。1c升级的投资将集中在位于利川的M14和M16晶圆厂。其未来的生产结构将是：通用DRAM产品在中国生产，而尖端DRAM产品在韩国生产。

据韩媒报道，业内人士透露，英伟达2025年第四季度再次提高了对三星电子和SK海力士的HBM4芯片供应标准。作为回应，三星电子正在修改其逻辑芯片设计，并与代工部门合作，重点关注散热控制和性能提升，加快研发进度。三星电子内部人士表示，提高数据传输速度并不难，只需对逻辑芯片的设计和工艺进行一些改进即可实现。达到英伟达提出的每引脚13Gbps的传输速度是可能的，只是散热存在问题，但这个问题很快就能解决。

SK海力士美国法人长柳成洙（音译）近日在接受路透社采访时透露，SK海力士将在 2027 年 2 月提前3个月开放韩国龙仁新园区的首家工厂。同时，计划从下月起在清州新建的 M15X 工厂投放硅晶圆，正式启动HBM芯片的生产。