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SK海力士以“聚焦AI存储器(Spotlight on AI Memory)”为主题设立展区,集中展示面向AI的存储技术与解决方案。展区分为“英伟达合作区(NVIDIA Collaboration Zone)”、“产品组合区(Product Portfolio Zone)”与“活动区(Event Zone)”,以沉浸式体验为主的展示,助力参观者能够直观理解面向AI的存储技术。
3月10日,SK海力士宣布成功开发基于第六代10nm级(1c)工艺的16Gb LPDDR6 DRAM内存产品, 该产品精准适配智能手机、平板等移动设备,为端侧AI应用提供了关键的存储解决方案。
HBF不仅可提升AI系统的扩展能力,还能有效降低总体拥有成本(TCO)。业界普遍预测,以HBF为关键组件的整合型存储器解决方案,其市场需求将于2030年前后迎来全面扩张。
SK海力士第四季度业绩增长势头显著。不仅HBM需求旺盛,面向服务器的通用存储器需求也大幅增加,SK海力士积极应对其需求,创下了季度历史最佳业绩。SK海力士2025财年第四季度营收为32.8267万亿韩元,环比增长34%,营业利润为19.1696万亿韩元,环比增长68%,营业利润率达58%,三项指标均刷新历史记录。
SK海力士最新推出的LPDDR5X车用DRAM产品荣获ASIL-D(汽车安全完整性等级D)认证,这是国际汽车功能安全标准ISO 26262下的最高安全等级。
SK海力士决定投资建设一座全新的先进封装工厂P&T7 ,以确保稳定响应全球人工智能存储器需求,并优化其清州工厂的生产。
本次展会上,SK海力士将首次亮相下一代HBM产品“16层 48GB HBM4”。该产品是继此前实现业界最高速率11.7Gbps的12层 36GB HBM4之后的后续版本,目前正根据客户需求稳步推进研发工作。
技术团队表示:“搭载本产品的服务器与采用32Gb 128GB产品时相比,推理性能提高了16%。通过利用32Gb DRAM单芯片设计,其功耗较1a 16Gb 256GB产品降低约18%。”
SK海力士继2017年后再度获得“最佳财务管理半导体公司奖”,并首次斩获“亚太杰出半导体企业奖”。这次双重荣誉彰显了SK海力士作为全球半导体产业标杆企业的地位。
为确保为HBM主要客户提供及时的技术支持,SK海力士正在美洲地区建立专门的HBM技术部门。此外,为了快速响应不断增长的定制HBM市场,SK海力士还成立了专门负责HBM封装良率和质量的独立部门。至此,SK海力士构建了一个涵盖从研发到量产和质量控制全流程的专业化HBM组织架构。
SK海力士表示,由于面向AI的存储器需求剧增,已经确保DRAM和NAND闪存所有产品截至明年的客户需求。
随着人工智能推理市场的快速发展,业界对能够迅速、高效处理海量数据的NAND闪存产品的需求正大幅攀升。为此,SK海力士将建立‘AIN(AI-NAND)Family’产品组合,以专为人工智能时代进行优化的解决方案产品,全面满足客户的多样化需求。
SK集团宣布,SK集团会长崔泰源与OpenAI首席执行官萨姆·奥尔特曼在SK集团首尔总部会面,并签署了合作意向书和谅解备忘录,旨在作为"星际之门"项目的一部分,在韩国共同开发AI数据中心。
SK海力士在HBM4的开发过程中采用了产品稳定性方面获得市场认可的自主先进MR-MUF技术和第五代10纳米级(1b)DRAM工艺,最大程度地降低其量产过程中的风险。
此产品搭载于智能手机,能够有效提升操作系统的运行速度和数据管理效率。基于这一优势,长期使用所导致的读取性能下降问题可改善超过4倍,而应用程序的运行时间相较传统UFS缩短了45%。