美光计划增加2026财年的资本支出至约200亿美元，较此前180亿美元的预估有所上调。值得注意的是，2026财年资本支出同比将增长约48%。此项增加的资金将主要用于支持其在2026日历年的HBM供应能力及1-gamma工艺节点产能。

此番手机、平板及PC等终端产品涨价或许仅仅是一个开始，随着明年新一轮存储芯片成本传导至整机，预计未来将有更多的品牌和终端产品跟进涨价。

目前，三星电子正在开发LPDDR5X-PIM，结合LPDDR5X和PIM技术，带宽高达614 GB/s，是现有LPDDR5X的八倍，并支持FP16/FP8和INT/4/8/16等多种运算。

三星将其新技术命名为“用于10nm以下CoP垂直通道DRAM晶体管的高耐热非晶氧化物半导体晶体管”。采用了一种基于非晶铟镓氧化物（InGaO）的晶体管，这种晶体管可以承受高达 550 摄氏度的高温，从而防止性能下降。 这种垂直沟道晶体管的沟道长度为 100nm，可以与单片 CoP DRAM 架构集成。

短期来看，除行业市场仍有少量DDR4内存条急单支撑价格上行以外，其余多数存储成品成交乏力而高位横盘。而随着存储厂商逐渐接受高价资源，相关资源与成品倒挂压力将持续加剧。

今年，博通已将三星电子视为战略合作伙伴，以取代SK海力士。三星电子在性能和价格谈判方面展现出了灵活性，具体而言，据报道，三星电子将其供应价格较SK海力士目前供应的HBM3E产品降低了约20%。

尽管项目时间表从 2027 年延后至 2028 年，但甲骨文为 OpenAI 建设项目的整体规模并未发生变化。

此外，ASML已启动更先进的Hyper NA技术研发，为下一个十年的芯片制造铺路。

展望2026财年第一季度（2025年11月-2026年1月），博通营收预计将达到191亿美元，同比增长28%，高于分析师平均预期的183亿美元。

半导体作为韩国主要出口产品，12月前10天出口额同比激增45.9%，达52.7亿美元，占出口总额的 25.6%，比上年增长5个百分点，引领了整体出口增长。

SPHBM4采用与标准HBM4相同的DRAM核心层，在容量扩展方面保持一致。两者的区别在于接口基础裸片的设计：SPHBM4采用适用于有机基板的接口方案，可安装在标准有机基板上，而非硅基板。

CFM闪存市场近日发布2026年存储市场展望报告。报告指出，预计2026一季度，Mobile eMMC/UFS涨幅将达25%~30%，LPDDR4X/5X涨幅或达30%~35%；PC端DDR5/LPDDR5X涨幅将达30%~35%，cSSD上涨25%~30%。

CFM闪存市场最新推出年度报告:《2025全球存储市场总结与2026年展望》，将从市场规模、容量、价格、供应、技术、需求、应用等等角度，剖析市场变化与未来发展，欢迎查阅。更多报告咨询请联系:Service@chinaflashmarket.com。

从资源端看，Q4现货512Gb及以上容量的NAND资源价格累计涨幅环比普遍超一倍。进入本月，贸易端因年末部分贸易商需回笼资金、获利了结，市场炒作行为有所收敛，现货端资源整体高位盘旋。而随着季末临近，部分原厂释放小批量资源供应但价格高昂，下游存储厂商基于此前囤积的较低价库存结合当下回补的高价资源，尚能平铺整体成本。但随着低价库存快速消耗，未来高成本压力将日益显著增加。

随着原厂积极调动产能支持服务器存储供应增长，预计2026年服务器存储缺口逐季收敛，一季度将录得全年最高涨幅，随后涨幅逐季收敛。