三星电子工会在23日的集会上重申其诉求:将年度营业利润的15%作为绩效奖金发放,废除绩效奖金上限,并要求奖金制度透明化。如果劳资双方未能达成协议,将于5月21日至6月7日正式展开罢工行动。

超聚变提供的产品和解决方案涵盖服务器、操作系统、AI开发平台、超融合解决方案、高性能计算解决方案以及数据库解决方案等领域。在全球部署10个研发中心与5个供应中心,设立6个全球技术服务中心与7大地区部,服务全球100多个国家和地区的10000多家客户。

虽然GPU对训练大型模型依然不可或缺,但agentic AI的崛起,催生了市场对CPU密集型工作负载的庞大需求,包括即时推理、代码生成、搜寻,以及多步骤任务的协调调度。 Graviton5正是为这些工作负载量身打造,可为Meta提供在大规模运作下维持高效能所需的处理能力。

天玑7450面向常规智能手机,而天玑7450X则专为小折叠屏手机设计。两者核心规格完全相同,唯一的区别在于:7450X额外加入了针对折叠屏设备的双屏显示功能支持,使其更适配配备外屏与内屏的翻盖式折叠屏机型。

据媒体报道,高通正加速布局数据中心CPU,计划推出一款基于Arm架构 、专为AI计算设计的服务器处理器,最快可能于2026年6月亮相。

摩尔线程发布2026年第一季报报告。2026年一季度营收7.38亿元,同比增155.35%,归母净利润0.29亿元,同比增加1.42亿元,归母扣非净利润亏损0.54亿元,亏损同比收窄60.10%。对于营收变动原因,摩尔线程表示,这主要系报告期内公司专注于全功能GPU的研发与创新,产品实现规模化落地,进而促进了收入的快速增长。

据韩媒报道,三星电子已生产出适用于10纳米以下DRAM工艺的可用工作晶圆。业内人士透露,三星在上个月采用其10a工艺制造的晶圆测试中,确认了一颗可用的晶圆,体现了4F²单元架构和垂直通道晶体管(VCT)结构的首次应用。据悉,三星的目标是在今年完成10a DRAM的开发,明年进行质量测试,并在2028年实现量产。该公司计划在10a、10b 和10c三代产品中使用 4F² 和 VCT 结构,然后在10d代转向3D DRAM。

此次获奖,是对SK海力士推动HBM创新与应用、引领AI计算发展所作贡献的高度肯定。SK海力士提前提出创新性HBM解决方案,并及时响应客户需求,这一举措在全球AI市场中发挥了关键作用。

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据台媒报道,台积电计划在2029年启用美国亚利桑那州先进封装厂,贴近美系CSP客户需求,抢攻AI与HPC高阶封装订单,强化在地供应链布局。在AI芯片需求爆发下,台积电于2026年北美技术论坛同步释出CoWoS与3D堆叠升级蓝图,封装地位由“辅助”跃升为“系统核心”。

OpenAI正式发布了最新一代大模型GPT-5.5。据介绍,新模型更聪明,在完成相同的Codex任务时所需的Token数量显著减少,这会在实际使用中抵消掉一部分单价上涨带来的成本压力。GPT-5.5已率先面向ChatGPT Plus、Pro、Business、Enterprise全部付费用户开放使用。API版本即将上线。API端支持高达1M Tokens的极宽上下文窗口,Codex订阅计划中则开放了400K的窗口。

英特尔CEO陈立武表示,近几个月,CPU正重新成为AI时代不可或缺的基础。公司将继续专注于最大限度地利用其工厂网络,以提高供应量,并满足客户全年的需求。量产级AI计算的核心仍是以CPU为基础的架构,这对英特尔更是重大机遇。基于这一结构性趋势,英特尔CEO陈立武相信CPU业务将成为公司未来数年(而非仅几个季度)的重要增长引擎。

3D X-DRAM采用存储单元垂直整合架构,突破传统存储容量扩展限制。该技术有望应用于HBM、DDR以及AI与HPC等领域。

具体性能,顺序读取速度高达 10,300 MB/s,顺序写入速度高达 10,000 MB/s,随机读取和写入性能分别高达 140 万和 130 万 IOPS。

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当地时间4月22日,JEDEC发布了一系列计划纳入其JESD209-6 LPDDR6标准下一版本的新功能预览,致力于将LPDDR6的应用范围从移动平台扩展到支持特定数据中心和加速计算工作负载。即将推出的LPDDR6更新计划包括以下特征:更窄的芯片接口(x6)以实现更高的容量;支持灵活的元数据分离;容量有望突破当前LPDDR5/5X的最大容量限制达到512GB;LPDDR6 SOCAMM2模块标准正在开发中。此外,LPDDR6 PIM 存内处理技术标准制定也接近完成。

Nextorage(群联旗下日本存储模组企业)宣布推出 G Series EEA固态硬盘,提供1TB、2TB、4TB、8TB四种容量版本。该SSD采用PCIe Gen4 × 4接口,搭载3D QLC NAND闪存,整体方案为DRAM-less HMB+SLC Cache,质保期1年。

针对近期内存现货价疲软的趋势,SK海力士指出,这是价格急涨后部分渠道库存释放所造成的暂时性情况,并非周期见顶的信号。由于供应持续短缺,本轮涨价周期有可能比过去更长。

本次上修支出主要用于建厂、无尘室设施,及增加高功率预烧老化(Burn-in)测试机台​​,预估今年产能有望扩充30%–50%。京元电子强化高功率测试能力,被视为因应AI GPU与ASIC等高阶芯片需求。

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SK海力士预测,存储效率化技术的扩散将提高人工智能服务的经济性,进而推动整体服务规模的扩大,这将进一步拉动存储器需求。基于此,SK海力士预计DRAM和NAND闪存市场均将维持有利的价格环境。

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据媒体报道,由于特斯拉的存储需求激增,4月三星向特斯拉供应的8GB GDDR6 DRAM较第一季度月均水平增长了三倍。三星已提高位于韩国华城工厂的产能,以满足客户对DRAM的需求,还计划在2026年下半年于得克萨斯州的工厂开始为特斯拉生产先进的人工智能芯片。

D1d是三星电子将应用于第九代高带宽内存HBM5E的关键产品。虽然1c DRAM可以支持第六代到第八代内存(HBM4、HBM4E、HBM5),但从HBM5E开始,稳定的D1d供应至关重要。

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上市公司

数据有延时,04-28 00:16
存储原厂
三星电子 KRW 224500 +2.28%
SK海力士 KRW 1292000 +5.73%
铠侠 JPY 35470 +2.57%
美光科技 USD 525.055 +5.70%
西部数据 USD 404.165 +0.04%
闪迪 USD 1062.295 +7.31%
南亚科技 TWD 226.5 +9.95%
华邦电子 TWD 93.9 +6.46%
主控厂商
群联电子 TWD 1835 +9.23%
慧荣科技 USD 149.235 -2.75%
联芸科技 CNY 48.35 +2.96%
点序 TWD 78.8 +2.20%
品牌/模组
江波龙 CNY 393.46 +5.43%
希捷科技 USD 593.330 +1.21%
宜鼎国际 TWD 1190 +9.68%
创见资讯 TWD 262.0 +3.76%
威刚科技 TWD 440.0 +10.00%
世迈科技 USD 29.060 -5.31%
朗科科技 CNY 50.30 +8.41%
佰维存储 CNY 264.65 -0.69%
德明利 CNY 488.15 -0.35%
大为股份 CNY 36.52 +2.47%
封测厂商
华泰电子 TWD 56.2 +1.63%
力成 TWD 217.0 +3.33%
长电科技 CNY 46.32 +3.19%
日月光 TWD 495.5 -0.10%
通富微电 CNY 51.20 +5.74%
华天科技 CNY 12.89 +3.53%