尽管尚不明确能否获得英伟达芯片，但字节跳动已将明年人工智能处理器的预算定为 850 亿元。

本月随着上游资源定价和供应陆续落地，NAND资源价格已基本涨至$0.11/GB以上，加上近期贸易市场出现下游厂商扫货的身影，更加刺激资源贸易价进一步上涨。除嵌入式eMMC和UFS产品价格跟随资源大幅涨价而调涨以外，本周存储市场现货多以持稳为主。

报道称，英伟达对三星HBM4的供货需求量也远高于三星内部的预期，这可能会显著提振三星的盈利。

高通一直强调智能体人工智能将显著改变智能手机的用户体验，而此次推出的全新计算架构也正是基于此理念。Amon强调，智能体人工智能体验的关键在于“上下文”，它基于对用户所见、所闻、所言等感官信息的即时理解能力。

小米集团合伙人、总裁，手机部总裁，小米品牌总经理卢伟冰近日表示，由于高性能计算和数据中心需求的猛增，以及扩产的滞后，造成这一轮内存成本上涨具有暴涨性和长周期性。

因「GIGA School」换机需求将持续，2025年度(2025年4月-2026年3月)日本PC出货量预估将大增29.9%至1,755.5万台，将连续第2年呈现增长，年度别出货量将创1995年度开始进行统计以来历史新高纪录。

与前代产品 Exynos 2500 相比，Exynos 2600的 CPU 性能提升高达 39%，生成式 AI 性能提升高达 113%。预计该芯片将用于即将在2月推出的旗舰智能手机Galaxy S26。

美光计划增加2026财年的资本支出至约200亿美元，较此前180亿美元的预估有所上调。值得注意的是，2026财年资本支出同比将增长约48%。此项增加的资金将主要用于支持其在2026日历年的HBM供应能力及1-gamma工艺节点产能。

此番手机、平板及PC等终端产品涨价或许仅仅是一个开始，随着明年新一轮存储芯片成本传导至整机，预计未来将有更多的品牌和终端产品跟进涨价。

目前，三星电子正在开发LPDDR5X-PIM，结合LPDDR5X和PIM技术，带宽高达614 GB/s，是现有LPDDR5X的八倍，并支持FP16/FP8和INT/4/8/16等多种运算。

三星将其新技术命名为“用于10nm以下CoP垂直通道DRAM晶体管的高耐热非晶氧化物半导体晶体管”。采用了一种基于非晶铟镓氧化物（InGaO）的晶体管，这种晶体管可以承受高达 550 摄氏度的高温，从而防止性能下降。 这种垂直沟道晶体管的沟道长度为 100nm，可以与单片 CoP DRAM 架构集成。

短期来看，除行业市场仍有少量DDR4内存条急单支撑价格上行以外，其余多数存储成品成交乏力而高位横盘。而随着存储厂商逐渐接受高价资源，相关资源与成品倒挂压力将持续加剧。

今年，博通已将三星电子视为战略合作伙伴，以取代SK海力士。三星电子在性能和价格谈判方面展现出了灵活性，具体而言，据报道，三星电子将其供应价格较SK海力士目前供应的HBM3E产品降低了约20%。

尽管项目时间表从 2027 年延后至 2028 年，但甲骨文为 OpenAI 建设项目的整体规模并未发生变化。

此外，ASML已启动更先进的Hyper NA技术研发，为下一个十年的芯片制造铺路。