近期,随着双11收官渠道需求逐渐转淡,受低价资源短缺影响,渠道厂商竞价出货现象有所缓解,但客户价格接受度偏低,本周渠道SSD/内存条价格小幅下跌;行业市场方面,近期部分PC客户追加订单,行业SSD/内存条价格趋稳;继连跌近一个月之后,嵌入式产品报价也暂时维持不变。
据CFM闪存市场数据显示,2024年三季度全球NAND Flash市场规模环比增长5.7%至190.21亿美元,DRAM市场规模环比增加10.4%至258.5亿美元。全球存储市场规模三季度环比增长8.3%至448.71亿美元。2024年前三季度,全球存储市场规模累计达1202.25亿美元,同比增长96.8%。
目前HBM制造商正积极推动在第六代HBM(HBM4)中,引入无助焊剂键合技术。其中,美光动作最为积极,已开始与合作伙伴测试新制程;SK海力士正在评估无助焊剂键合技术;三星电子也正在密切关注相关技术。
具体来看,FY24 Q2铠侠NAND Flash出货量环比增长约10%;NAND Flash以日圆计算、以美元计算平均售价环比均增长5%左右。
经过持续数季度的涨价行情,存储原厂全面恢复盈利,已重启产能并恢复资本支出。然而进入三季度以来,存储紧平衡的供需关系被打破,市场结构性分化加剧,部分消费类存储价格见顶开始回落,而服务器存储价格仍出现两位数的上涨。在如此割裂的市况下,2024年Q4存储行情将走向何方?
近期,随着双11收官渠道需求逐渐转淡,受低价资源短缺影响,渠道厂商竞价出货现象有所缓解,但客户价格接受度偏低,本周渠道SSD/内存条价格小幅下跌;行业市场方面,近期部分PC客户追加订单,行业SSD/内存条价格趋稳;继连跌近一个月之后,嵌入式产品报价也暂时维持不变。
随着HBM3E全面供应 NVIDIA,SK海力士在美国的销售额在第三季度达到了历史新高,预计明年全年将继续保持强劲势头。报告显示,美国占SK海力士第三季度销售额的64%,比上一季度增长5个百分点,同比增长17个百分点,创下历史新高。
据日媒最新消息,铠侠预计将在11月22日获得东京证券交易所(以下简称东证)的上市许可,顺利的话将在12月中旬挂牌上市,市值预估为7,500亿日圆(约合48.6亿美元),远低于此前设定的1.5兆日圆以上的目标。
卢伟冰强调,REDMI不变的就是极致配置,极致性价比,对任何的竞争甚至挑衅会“不服就干”。
SEMI表示,第三季度消费、汽车和工业领域复苏速度较慢,但AI数据中心投资需求强劲,是驱动第3季IC销售额成长主要动能。预计今年全年IC销售额可望成长超过20%,主要是数据中心存储强劲需求带动存储芯片价格改善所驱动。
英伟达在中国的数据中心收入连续增长,但在数据中心总收入中所占的比例仍远低于出口管制开始前的水平,预计未来中国市场的竞争仍将非常激烈。
受行业周期好转的影响,11月前20天韩国半导体出口额同比增长42.5%,达77.1亿美元,占同期全国出口总额的 21.6%,比去年同期上升了5.6 个百分点。
此次321层产品与上一代相比,数据传输速度和读取性能分别提高了12%、13%,并且数据读取能效也提高10%以上。SK海力士将以321层NAND闪存积极应对面向AI的低功耗、高性能新市场,并逐渐扩大其应用范围。
除了特斯拉,三星电子和SK海力士还在为谷歌、Meta和微软等美国大型科技公司开发定制的HBM4芯片,这些公司一直在寻求降低对英伟达AI芯片的依赖。
其中,10月份笔电出货量较去年同月大增57.5%至54.1万台,连续第4个月呈现增长,占整体比重约9成;桌机出货量成长12.0%至7.6万台,4个月来第3度呈现增长。
JESD230G支持高达4800MT/s的接口速率,远超当前量产NAND闪存的性能上限。
群联电子于2023年开始筹备 ISO/SAE 21434 认证,约一年内完成认证流程。
高通高层表示,正在积极加强多元化产品线,预估到2029年来自PC、汽车、工业、XR等非手机领域的营收将达220亿美元,降低以往仅靠手机芯片赚钱的风险。
英伟达在SC24超算大会上推出了2款新AI硬件,分别是H200 NVL PCIe GPU和 GB200 NVL4超级芯片,进一步拓展其数据中心产品线。
MRDIMM的另一大亮点在于其卓越的易用性,采用与常规 RDIMM 相同的连接器和外形尺寸,仅需将小型多路复用芯片安装于先前模块上的空闲位置,即可实现升级,无需对主板进行任何改动。
近期,随着双11收官渠道需求逐渐转淡,受低价资源短缺影响,渠道厂商竞价出货现象有所缓解,但客户价格接受度偏低,本周渠道SSD/内存条价格小幅下跌;行业市场方面,近期部分PC客户追加订单,行业SSD/内存条价格趋稳;继连跌近一个月之后,嵌入式产品报价也暂时维持不变。
小米集团总裁卢伟冰表示,手机毛利率急跌,主要是核心零部件价格上升及竞争加剧,目前手机业务毛利率在可控范围,预计第四季毛利率将会改善。
NRD-K 将配备High-NA EUV光刻和新材料沉积设备,旨在加速开发下一代存储器半导体,例如3D DRAM 和具有 1,000 层以上的 V-NAND。此外,还计划对接具有创新晶圆对晶圆键合功能的晶圆键合基础设施。
目前HBM制造商正积极推动在第六代HBM(HBM4)中,引入无助焊剂键合技术。其中,美光动作最为积极,已开始与合作伙伴测试新制程;SK海力士正在评估无助焊剂键合技术;三星电子也正在密切关注相关技术。
对于上述消息,英伟达发言人回应称,公司正与顶尖云端服务供应商合作,工程方面的调整「正常且符合预期」。
据CFM闪存市场数据显示,2024年三季度全球NAND Flash市场规模环比增长5.7%至190.21亿美元,DRAM市场规模环比增加10.4%至258.5亿美元。全球存储市场规模三季度环比增长8.3%至448.71亿美元。2024年前三季度,全球存储市场规模累计达1202.25亿美元,同比增长96.8%。
存储原厂 |
三星电子 | 56000 | KRW | -0.71% |
SK海力士 | 176700 | KRW | +4.68% |
美光科技 | 102.640 | USD | -0.12% |
英特尔 | 24.500 | USD | +0.25% |
西部数据 | 66.430 | USD | +0.83% |
南亚科 | 35.85 | TWD | -2.18% |
华邦电子 | 18.05 | TWD | +1.40% |
主控厂商 |
群联电子 | 471.0 | TWD | +1.51% |
慧荣科技 | 54.930 | USD | +0.24% |
美满科技 | 92.510 | USD | -0.46% |
点序 | 54.1 | TWD | +0.93% |
国科微 | 64.25 | CNY | -5.50% |
品牌/模组 |
江波龙 | 83.00 | CNY | -5.16% |
希捷科技 | 99.620 | USD | -0.30% |
宜鼎国际 | 235.0 | TWD | +1.95% |
创见资讯 | 92.2 | TWD | +0.44% |
威刚科技 | 90.9 | TWD | +0.55% |
世迈科技 | 17.650 | USD | +1.38% |
朗科科技 | 21.71 | CNY | -1.00% |
佰维存储 | 56.40 | CNY | -5.21% |
德明利 | 76.53 | CNY | -5.17% |
大为股份 | 11.18 | CNY | -6.83% |
封测厂商 |
华泰电子 | 36.55 | TWD | 0.00% |
力成 | 125.0 | TWD | +0.81% |
长电科技 | 38.92 | CNY | -5.19% |
日月光 | 156.5 | TWD | +1.95% |
通富微电 | 29.66 | CNY | -6.99% |
华天科技 | 11.76 | CNY | -4.62% |
深圳市闪存市场资讯有限公司 客服邮箱:Service@ChinaFlashMarket.com
CFM闪存市场(ChinaFlashMarket) 版权所有 Copyright©2008-2023 粤ICP备08133127号-2