据韩媒ZDNetKorea报道,为应对人工智能发展带来的快速增长存储需求,全球存储巨头三星电子与SK海力士计划于今年第二季度同步推进最先进NAND闪存的“转换投资”。

据韩媒报道,三星电子正在进行最终品质检验以确保2月底前实现HBM4量产出货,但英伟达请求无论测试结果如何先行供货。因AMD、谷歌等竞争对手加速追赶,英伟达开始加速确保HBM4供货。当前,三星电子与SK海力士都在进行HBM4的最终品质测试。分析称,因产品品质已得到一定程度的验证,英伟达遂请求跳过详细测试加急供货。

南亚科技指出,2026年上半年DRAM需求热络,下半年将有传统季节性效应,预期2026年第1季产品价格可望持续上涨,后续可能维持微幅上涨趋势。

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ZAM采用堆叠式DRAM架构,其性能将超越HBM标准,致力于在需要大规模AI模型训练、推论的数据中心等领域,实现大容量且高频宽的数据处理,并提升处理性能、降低功耗。

当地时间2月3日,AMD公布2025年第四季度及全年财务报告。2025年四季度,AMD实现营收103亿美元,同比增长34%,净利润(Non-GAAP)25.2亿美元,同比增长42%,营收和净利润都创历史纪录。2025年全年,AMD实现营收346亿美元,同比增长34%,创历史纪录,净利润(Non-GAAP)68.3亿美元,同比增长26%。AMD CEO苏姿丰预计,2026年的营收和利润还将显著增长;未来3到5年内,AMD可以实现营收增速达35%以上的目标,数据中心部门的收入每年将增长60%以上。

据韩媒报道,三星电子正考虑上调其晶圆代工业务部分先进制程的价格,预计主要针对目前市场需求旺盛的4nm和8nm工艺,平均涨幅或在10%左右。

二月伊始,随着春节假期逐渐临近,市场普遍处于节前盘账收尾阶段,部分工厂甚至已陆续放假并进入“休假模式”,除部分产品有少量成交以外,市场交易整体偏淡。本周嵌入式LPDDR4X及部分行业SSD、内存条价格维持上涨,其余产品价格趋于平稳。

2月3日,英特尔发布全新英特尔至强 600 系列工作站处理器,较上一代产品在多个方面均实现显著提升,包括核心数量的大幅增加、PCIe 连接性的增强、对更高内存速度的支持,以及前所未有的能效表现。新处理器支持多达八通道的 DDR5 RDIMM,速度高达 6400 MT/s——高于上一代平台的 4800 MT/s,并新增对 DDR5 MRDIMM 内存的支持,速度最高可达 8,000 MT/s,显著提升内存密集型工作负载的性能。2026年3月下旬起,将通过 OEM/系统集成商和独立的盒装处理器发售。

2月2日晚,联芸科技发布2025年度业绩快报。报告期内,公司实现营业总收入13.31亿元,同比增长13.42%;归母净利润为1.42亿元,同比增长20.36%;扣非净利润达到1.01亿元,同比130.29%。联芸科技在公告中表示,扣非净利润大幅提升主要是因为公司年度营业总收入增加,高毛利产品出货量增长,综合毛利率提升。受益于存储行业景气度回升,叠加AI产业快速发展,存储产品需求持续增加。2025年公司PCIE3.0、PCIE4.0及企业级SATA主控芯片产品出货量明显增长,带动综合毛利率稳步提升。

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NVIDIA首席执行官黄仁勋在近日举行的“兆元宴”上透露,公司正全面量产新一代AI芯片Grace Blackwell与Vera Rubin,台积电未来十年产能预计须提升超过一倍。

三星电子已正式重启其位于平泽的P4工厂NAND闪存生产线投资,相关生产设备开始搬入厂区。

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联想于2月2日宣布,新款拯救者Y700平板将于3月正式发布。官方预热图显示,新机外观有所调整,取消了传统闪光灯,改为圆形RGB灯环设计,机身未见明显风道开孔,预计未配备主动散热系统。新机提供黑白两种配色,侧面设有实体卡槽,预计支持SIM卡功能。据相关消息,新款Y700将搭载8.8英寸3K分辨率165Hz刷新率的LCD屏幕(比例为16:10),并配备骁龙8 Elite Gen5处理器(第五代骁龙8至尊版),散热系统采用超大VC均热板,电池容量有望提升至9000mAh。

韩国产业通商资源部资料数据显示,2026年1月韩国出口额达658.5亿美元,同比增长33.9%,首次突破600亿美元,创历史新高。其中,半导体出口表现尤为强劲,1月出口额达205亿美元,同比增长102.7%,已连续两月突破200亿美元大关。韩国科学技术信息通信部分析称,半导体增长主要得益于高附加值存储芯片需求扩大及DRAM等通用半导体价格持续上涨。在全球人工智能热潮推动下,以三星电子、SK海力士为代表的韩国半导体产业成为主要受益者。

展望2026财年第三财季(2026年1-3月),Non-GAAP下,闪迪预计营收为44亿美元-48亿美元,毛利率为65% - 67%,运营费用为4.5亿美元-4.7亿美元。尽管数据中心业务正加速增长,但受季节性因素影响,闪迪预计第三财季市场供应环比上季度更加紧张,NAND bit出货量将下降中个位数百分比。

AMD下一代Zen 6架构已取得关键进展。其核心复合芯片(CCD)的设计迎来革新,核心数量将从目前的8核大幅提升至12核,同时三级缓存容量增加50%,Zen 6的芯片面积仅微增7%。

根据这项续签协议,闪迪将向铠侠支付11.65亿美元,用于支付制造服务和持续供货费用。这笔款项将在2026年至2029年期间分期支付。

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展望2026年一季度,预计市场将延续强劲势头,考虑到库存水平显著偏低,DRAM bit出货量增长将仅限于低个位数百分比区间,NAND bit出货量将以中等个位数百分比增长。

3月27日,CFMS|MemoryS 2026与您再度相约深圳前海JW万豪酒店,以“穿越周期,释放价值”为主题,汇聚存储原厂、终端应用及生态伙伴,共同探讨如何充分释放存储技术的应用潜能与商业价值,破解增长困局,构建AI时代的高效产业新生态。

希捷CEO Dave Mosley表示,进入AI应用时代,数据存储越来越受到企业重视,现代数据中心数据传输量已达EB级,需要兼顾效能与成本效益,高容量HDD在大型语言模型训练与部署中仍为核心关键。

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AMD和高通所考虑的SOCAMM模组在物理设计上与英伟达采用的版本有所不同。AMD与高通的方案在模组PCB上并排布置两列LPDDR芯片,并可集成电源管理芯片(PMIC);而英伟达的版本则采用单列DRAM芯片布局,且未集成PMIC。

简讯快报

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存储厂商

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上市公司

数据有延时,02-05 05:01
存储原厂
三星电子 KRW 169100 +0.96%
SK海力士 KRW 900000 -0.77%
铠侠 JPY 20900 +0.55%
美光科技 USD 379.590 -9.50%
西部数据 USD 269.220 -7.24%
闪迪 USD 584.325 -15.99%
南亚科技 TWD 295.0 +6.31%
华邦电子 TWD 108.5 +2.84%
主控厂商
群联电子 TWD 2055 +3.27%
慧荣科技 USD 128.700 +6.88%
联芸科技 CNY 50.82 -4.26%
点序 TWD 96.8 +2.65%
品牌/模组
江波龙 CNY 302.00 -1.32%
希捷科技 USD 418.960 -5.74%
宜鼎国际 TWD 778 -1.14%
创见资讯 TWD 228.5 -1.08%
威刚科技 TWD 333.0 +6.56%
世迈科技 USD 18.070 -0.77%
朗科科技 CNY 33.35 -5.26%
佰维存储 CNY 168.50 -3.23%
德明利 CNY 245.48 -2.81%
大为股份 CNY 26.24 -2.53%
封测厂商
华泰电子 TWD 54.2 +1.50%
力成 TWD 252.5 -1.75%
长电科技 CNY 45.87 -3.82%
日月光 TWD 302.5 +0.17%
通富微电 CNY 49.05 -3.62%
华天科技 CNY 14.29 -2.92%