因当前仅个别原厂对核心战略客户供应少量DDR5高等级资源,供应稀缺下原厂拥有强定价权,且现货市场同容量同等级的DDR5颗粒价格过高,存储厂商仍选择持续向原厂采购资源以补充库存。与此同时,部分原厂DDR5次级颗粒价格也仍保持上涨通道,本周DDR5 16Gb、24Gb Major以及DDR5 16Gb eTT分别涨至44.00/55.00/24.80美金。

具体来看,H100的每小时租赁费用从一个月前的2.69美元攀升至3.28美元,涨幅达0.59美元。作为参照,这一价格约为高端型号H200每小时4.56美元租赁费的72%,与下一代B200每小时6.75美元的定价相比也接近一半。
据韩媒报道,得益于2纳米工艺订单的持续涌入,在特斯拉和博通等美国科技企业的巨额订单推动下,三星电子位于美国德克萨斯州泰勒的晶圆厂将于本月底下月初开始试生产,目前已达到满负荷运转,所有计划产量均已预订完毕。据悉,2纳米工艺的良率今年年初约为60%,而近期已达到80%左右,具备量产能力,该厂拟于明年开始量产。
十铨表示,受惠于存储需求持续升温,带动价格上涨,推升今年营收表现。
从价格梯度来看,小米18 Fold标准版覆盖10999元至12999元,16GB+1TB版本进一步达到14999元,而陶瓷特别版则将价格推至15999元。LPDDR6、1TB存储以及陶瓷机身成为高配版本与普通版本之间的重要差异。
ASML宣布与台积电、三星电子及英特尔等晶圆代工厂商深化合作,共同推进下一代高数值孔径(High-NA)极紫外光刻(EUV)技术的应用落地,并正式启动一项行业合作计划,推动EUV光罩从目前的6英寸向12英寸升级,以破解日益严峻的大型AI芯片制造瓶颈。
据韩媒援引业内人士消息,苹果近日签署了一份NAND闪存长期协议(LTA)。虽然协议的具体细节,例如交易对手、数量和价格条款等尚未披露,但市场猜测苹果的主要NAND闪存供应商铠侠很可能是此次的合作方。一些观察人士猜测,该合同是一份为期3至5年的长期协议,且不设价格上限。然而,合同期限和详细定价条款尚未得到官方确认。
此次长鑫量产的LPDDR6单颗粒容量为16Gb,封装芯片容量达16GB,遵循JEDEC LPDDR6标准,采用1295 Ball FBGA全新封装,最高传输速率可达12800Mbps,与速率10667Mbps的LPDDR5X相比,带宽提升60%。该产品的功耗相比上一代的LPDDR5X降低了20%*,能够有效延长移动设备的续航。
进入该厂商主页据韩媒ChosunBiz援引业内人士消息,SK海力士1c DRAM的比重从今年第一季度的10%左右增长到第二季度的13%左右,预计第三季度将增长到24%左右,第四季度将增长到34%左右。预计明年第一季度1c DRAM占比将达到35%左右,首次超过1b(33%左右),成为主流工艺。此外,不同于三星自HBM4阶段开始应用1c DRAM,SK海力士出于优先考虑量产稳定性将在HBM4中采用成熟的1b DRAM,并在HBM4E中首次应用1c DRAM。
据韩媒援引业内人士消息,美国专利商标局(TPO )于当地时间2日裁定长江存储(YMTC)的一项专利(注册号12,010,838,以下简称838号专利)无效。至此,美光科技向TPO提起无效宣告的19项长江存储专利中,已有7项被宣告无效。报道称,长江存储可能会就此无效宣告裁决提起上诉。此外,尽管美光7项YMTC专利(包括838号专利)被宣告无效,但在其向专利审判和上诉委员会提起无效诉讼的19项YMTC专利中,有12项被裁定有效。
量价共振下,二季度原厂NAND Flash销售收入环比均延续增长态势。据CFM闪存市场分析,2026年二季度全球NAND Flash市场规模持续增长,较一季度环比增长73.1%至767.76亿美元。

展望三季度,原厂与部分服务器客户已锁定长协价格上限,加上非长协以外的价格上涨空间也正逐季缩小,预计三季度原厂DRAM ASP环比继续上涨、增速趋缓,与此同时,在三季度 DRAM bit出货量实现正增长的预期下,预计原厂三季度DRAM销售收入再创历史新高。

据媒体报道,铠侠近日举行了半导体存储器及其他技术的技术说明会。铠侠计划通过专为人工智能工作负载设计的CXL模组提高NAND闪存的处理速度,取代部分DRAM。据悉,CXL模组能将数据读取所需时间缩短至传统产品的1/10以下,凭借高速读取数据,其性能可更加接近DRAM。铠侠指出,若将部分DRAM换成CXL模组,容量能提高至2倍、性能提升3成。
为实现上述目标,美光正向多家HBM制造设备供应商增加采购订单,相关设备持续运入其中国台湾地区和新加坡工厂。目前,美光HBM封装业务主要在中国台湾铜锣厂和新加坡兀兰厂推进,日本广岛工厂的设备投资也在筹备之中。
长鑫存储强调,这是国产10667Mbps高速率LPDDR5X芯片首次量产应用。这款LPDDR5X内存单颗粒最高16Gb,较主流8533Mbps版本带宽提升约25%,同时功耗相比LPDDR5降低30%,兼顾高带宽输出与移动端续航表现。
进入该厂商主页群联电子欧洲有限公司任命Ingvar Ersson为欧洲、中东和非洲区总经理兼总裁,Antony Zukowski为欧洲、中东和非洲区区域总监。Ersson 直接向 Phison 首席执行官 KS Pua 汇报工作。
进入该厂商主页南亚科技公布2026年8月自结合并营收达446.9亿元(新台币,下同),环比增长1.88%,同比增长560.85%,续创单月营收历史新高;累计1-8月营收达2,201.94亿元,较去年同期大幅成长638.19%,营运动能持续升温。
进入该厂商主页美国商务部长霍华德・卢特尼克近日接受采访时表示,特朗普政府正在制定半导体关税框架,相关关税即将落地。
据媒体报道,美光正探索开发高耐久性NAND闪存模块的方案,研究如何将NAND闪存更靠近GPU,以处理那些不需要传统HBM或常规DRAM模块那样高延迟和高带宽的工作负载。这种架构目前被称为“近GPU NAND”(Near-GPU NAND),旨在兼顾密度和耐久性。该方案允许GPU访问密度低于传统TLC或QLC NAND的NAND闪存池,但重点在于提升I/O速度、带宽和读取速度。该技术将使GPU能够直接访问数百GB的潜在存储池,LLM将不再受限于内存。