三星预计将通过对现有DRAM生产线的工艺升级以及对平泽4号工厂（P4）的新投资来实现20万片的产能。

陈俊圣透露，宏碁已采取两大策略，除了过去数月间已积极与两家供应伙伴密谈，取得直至2026年第一季的供货支持。同时，内部也备抵安全库存水位，零组件库存维持在6-8周，成品库存则拉高至8-10周，略高于平常周期。

三季度以来，上游相继控制资源供应并放缓出货节奏，甚至部分DRAM资源供应按下暂停键。而转眼间，时间来到今年最后一个季度的后半段，上游供应未见好转的同时市场持续消耗库存，现货市场存储供需矛盾愈演愈烈，更加强化了存储厂商控货惜售心态。资源供应全面收紧持续影响下，存储成品端多数产品延续涨价趋势。

据CFM闪存市场数据显示，2025年三季度全球DRAM市场规模环比增长24.7%至400.37亿美元，NAND市场规模环比增长16.8%至184.22亿美元，三季度全球存储市场规模连续两季度成长至584.59亿美元，创造季度历史新高。目前Memory供应满足率降低，各应用领域供应紧张的局面持续发酵，随着供应商库存水位的进一步下降，DRAM和NAND市场价格已经全面上涨，在此情况下，预计四季度存储市场规模将续创季度新高。

其中，M100专为大规模AI推理设计，提供极致性价比，预计将于2026年初上市。M300面向超大规模多模态模型的训练与推理，性能更强，预计将于2027年推出。

铠侠预计NAND需求将超过供应，2025财年bit出货量将实现15%的增长，而由于预见性的供应限制，2026财年bit出货量增长率约在17%-19%之间。

华硕高管在其2025Q3财报法说会上表示，尽管 AI PC 的配套软件应用普及速度不及预期，但 AI PC 硬件销售的增长仍属正常速度。

微软表示，这将成为“欧洲人工智能算力方面最大规模的投资之一”。

上游资源方面，1Tb QLC、1Tb TLC、512Gb TLC、256Gb TLC价格分别调涨至7.80/8.50/6.00/4.80美元；DDR4 16Gb 3200/16Gb eTT/8Gb 3200/8Gb eTT/4Gb eTT价格分别调涨至24.00/7.00/9.00/3.60/1.52美元；DDR5 24Gb Major/16Gb Major/16Gb eTT价格分别调涨至22.00/15.00/7.50美元。

三星电子计划通过转型投资来确保其NAND业务的竞争力，包括加速从V8向V9的过渡，以及扩大高容量QLC服务器闪存的销售。

旺宏董事长吴敏求表示，因数据中心建置需求庞大，旺宏近几个月相关的NOR Flash需求升温。此外，嵌入式存储产品eMMC也供不应求。

澜起科技宣布推出新一代DDR5时钟驱动器(CKD)芯片，该芯片最高支持9200 MT/s的数据传输速率，可有效优化客户端内存子系统性能，为下一代高性能PC、笔记本电脑及工作站提供关键技术支撑。

闪迪表示，该财季NAND产品需求超过了供应，库存周转天数从135天减少到115天，预计这一趋势将持续到2026年底。