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南亚科技10月合并营收为21.82亿元（新台币，下同），创下逾一年半新低，环比下降15.58%、同比下降18.21%。

南亚科技与铠侠将将联合推出使用氧化物半导体的垂直晶体管 DRAM 技术，专注于降低功耗并实现极低的漏电流。

南亚科技进一步表示，DDR5一开始投片，成本会增加，但DDR5售价相对高，大概一颗会高出三成到五成，且会逐步拉升良率，因此到2025年第一季中旬，DDR5效益有望超过20nm DDR4。

累计第三季营收81.33亿元，季减18.03%，在连续五季季成长后，首度转为衰退，较去年同期增加5.12%。

南亚科技预计2025年底，1B制程月产能将超过20K片，而20nm旧制程月产能将下降至约36K片，1C制程EUV技术正在规划中。

此次停电导致晶圆受损、设备维修及生产中断等损失，初步估计金额约新台币3~5亿元，实际数字将待后续统计与确认。

南亚科技表示，7月营收滑落至9个月来低点，透露DDR4库存仍处于高档，加上大陆地区需求比预期疲弱，影响单月营收表现。

就未来市况来看，李培瑛认为，服务器方面，云端厂商及AI基础建设的资本支出增加，AI与高端服务器需求持续成长，HBM、DDR5需求强劲；手机方面，大陆地区手机销售有看到改善，未来智能手机导入AI应用功能，有利换机需求。

南亚科技总经理李培瑛此前于股东会上表示，今年存储产业复苏关键因素在于AI服务器动能带动HBM需求大增，但HBM制造困难、良率低，会消耗较多产能，进而促进库存消化，目前市况将逐季好转。

南亚科技表示，从市场总需求位元数来看，HBM比例低于5%，较不适合南亚科技开发竞争。但对于HBM带动存储市况及价格成长的现象，李培英表示乐观其成，并认为将持续到明年。