卢志远明确表示,新增NAND产能将有极高比重投入MLC及eMMC,长期规划逾七成产能配置于MLC相关产品。目前8GB及16GB eMMC供应极度吃紧,32GB eMMC已规划于第四季度量产。

据Herald Business报道,SK海力士将于今年下半年开始全面量产LPDDR6内存,首批产品拟搭载于小米下一代旗舰手机中。然而,对于向小米供货一事,SK海力士表示无法确认有关客户的详细信息。据悉,SK海力士的LPDDR6采用10纳米第六代(1c)工艺,相比上一代产品,数据处理速度和能效均有所提升。

据韩媒报道,三星电子华城12号生产线改造工作自去年下半年开始,已于本月完成。三星电子计划将该生产线用于华城15号生产线的后端工艺(BEOL)。华城15号生产线负责量产业界最先进的DRAM,包括1b(第五代10nm级)和1c(第六代10nm级)DRAM。 据悉,后端流程预计最早将于今年下半年投入使用,华城12号和15号生产线协同使用将加速三星电子DRAM产能的扩张。

随着私募巨头贝恩资本出售了绝大部分持股,SK海力士已实质上成为铠侠的第二大股东。由于这两家公司在全球NAND闪存市场是直接竞争对手,这一股权变动正引起日本当局的高度关注。

据外媒报道,苹果已向政府官员提出请求,希望获准在美国以外地区销售的设备中,使用长鑫存储和长江存储的存储芯片。美光科技则积极游说反对上述请求。其高管警告称,允许美国科技企业向中国生产商采购,无论最终产品在何处销售,都将损害美国本土制造业的发展。

据悉,HBM5 的运行速率预计将较 HBM4E 提升 50% 以上。为此,2nm 基础裸片将支持更高密度的硅通孔(TSV)设计,以满足行业对超高带宽的需求。

长鑫科技今日正式登陆科创板,开盘大涨471%至每股49.50元,此后回落,最低下探至38.11元/股,之后开始回弹,截至上午收盘,股价达54.65元,涨幅超530%,总市值达3.66万亿。

近日,SK集团与英伟达正式官宣达成超5000亿美元的战略合作。双方已签署意向书,正式确立合作协议,合作内容涵盖AI工厂建设和AI内存供应等多个方面。

据韩媒ZDNET援引业内人士消息,SK海力士最近通过其位于圣何塞的美国子公司招聘3D堆叠式DRAM逻辑设计工程师。据悉,3D堆叠式DRAM逻辑芯片设计是一种尖端的堆叠技术,它将DRAM直接垂直堆叠在逻辑半导体(系统半导体)之上。预计在生成式AI之后的物理AI时代,该技术将成为采用端侧部署方式的边缘AI设备的核心半导体技术。SK海力士正加速研发3D堆叠式DRAM,并已和特定客户建立合作关系,推进相关技术的落地应用。

宇瞻执行长张家騉表示,AI产业推动存储行业开启超级上行周期,涨价趋势尚未终结。当前行业呈现明显结构性供需失衡,各大DRAM原厂优先产能供给AI服务器HBM高端内存,直接导致通用DRAM货源极度稀缺,叠加NAND Flash供给紧张,存储市场全面缺货。不仅如此,半导体产业链整体产能紧缺,被动元器件、载板、CPU等产品同步涨价缺货,行业紧缺现状暂无缓解迹象,现阶段模组厂商最大风险为上游货源采购困难。

PIM 技术旨在解决 CPU/GPU 与内存之间数据传输产生的性能瓶颈。核心原理是在内存芯片内部嵌入运算单元(PIM 逻辑电路),直接在内存内部完成数据运算,最大限度减少数据搬移量。

据媒体报道,三星电子高级工程师James Ahn在“AMD Advancing AI 2026”活动中表示,三星电子的HBM4将应用于AMD最新的AI加速器Instinct MI455X和Helios平台。其架构是:Instinct GPU系列采用HBM4和HBM3E,服务器CPU EPYC系列采用RDIMM DRAM模块,而Helios平台则同时采用RDIMM和HBM4。据悉,AMD和三星电子的合作关系将在下一代产品HBM4E(第七代HBM)阶段进一步加强。

据韩媒报道,三星电子与忠清南道牙山市签订MOU,确定了温阳工厂扩建计划、振兴当地经济以及切实合作措施。新工厂计划于今年10月开工建设,目标是在2029年5月实现HBM的量产。据悉,该项目为韩国政府三大Mega Project的首个落地项目,总投资额为46万亿韩元,其中6万亿韩元将用于建设HBM生产线。

P&T7是SK海力士的第七座封装测试工厂,主要负责用于人工智能存储器的先进封装,包括高带宽存储器(HBM)。该工厂于去年4月开工建设。计划于2028年2月前陆续建成晶圆级封装(WLP)生产线及其他生产线,其中晶圆测试(WT)生产线将于2027年10月率先投产。

据韩媒报道,三星电子将在其平泽园区P5工厂建设一条包含50台晶粒到晶圆(D2W)混合键合设备的量产线,旨在为下一代HBM及逻辑半导体的生产提供先进封装支持。该量产线的设备搬入与安装工作预计将于今年年底正式启动。

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