三星电子HBM4 采用1c DRAM 和 4nm 制程工艺,其数据处理速度超过了JEDEC 标准的8Gbps,最高可达11.7Gbps,比上一代 HBM3E(9.6Gbps)提升22%。单层堆叠的内存带宽也高达3TB/s,比上一代产品提高了2.4 倍,12 层堆叠技术可提供最大 36GB 的容量。未来扩展到 16 层堆叠技术预计可将容量提升至 48GB。其另一大优势在于其低功耗设计,能够在支持高性能计算的同时,显著降低服务器和数据中心的功耗和冷却成本。
十铨科技2025年全年营收突破200亿元,营运规模不断扩大。为积极掌握产业发展契机,十铨已启动扩产计划,并同步规划少量多样的工控及工业电脑相关应用产能配置,逐步扩大产品线矩阵,推进中长期营运布局,提升整体营运动能与韧性。
据韩媒引述业内人士消息称,三星计划下周(农历新年假期后)开始出货HBM4芯片,用于英伟达生产的图形处理器(GPU)。英伟达的GPU广泛应用于生成式人工智能(AI)系统。据悉,三星已通过英伟达的质量认证流程并获得采购订单,生产计划已最终确定,以配合英伟达Vera Rubin的发布计划。
据韩媒报道,三星电子正在进行最终品质检验以确保2月底前实现HBM4量产出货,但英伟达请求无论测试结果如何先行供货。因AMD、谷歌等竞争对手加速追赶,英伟达开始加速确保HBM4供货。当前,三星电子与SK海力士都在进行HBM4的最终品质测试。分析称,因产品品质已得到一定程度的验证,英伟达遂请求跳过详细测试加急供货。
ZAM采用堆叠式DRAM架构,其性能将超越HBM标准,致力于在需要大规模AI模型训练、推论的数据中心等领域,实现大容量且高频宽的数据处理,并提升处理性能、降低功耗。
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AMD和高通所考虑的SOCAMM模组在物理设计上与英伟达采用的版本有所不同。AMD与高通的方案在模组PCB上并排布置两列LPDDR芯片,并可集成电源管理芯片(PMIC);而英伟达的版本则采用单列DRAM芯片布局,且未集成PMIC。
此外,SK海力士还在继续向英伟达提供改进型样品进行质量测试,英伟达在继续使用现有样品的同时,也在测试更多改进后的样品,并考虑到Rubin显卡的试生产计划。
报告期内,东芯股份营业收入同比增长约43.75%,毛利率大幅提升,存储板块已实现盈利。
据韩媒报道,三星第七代高带宽内存 (HBM) HBM4E 的开发流程已经进入基础芯片的后端设计阶段,这意味着该芯片的研发过程已经过半。
中微半导CMS25Q40A 容量为 4Mb,存储阵列划分为 2048 个可编程页,每页容量为 256B,单次编程操作最多可写入 256B 数据。
Cadence宣布与微软合作开发出一款面向数据中心的LPDDR5X(低功耗双倍数据速率5X)9600Mbps内存系统解决方案。该方案可同时实现高性能、低功耗和高可靠性。微软计划在其数据中心部署此方案。双方强调,通过应用 RAIDDR ECC 技术,实现了与现有服务器 DDR5 内存相当的数据保护能力。
三星电子在HBM4逻辑芯片上采用了4nm工艺。芯片开发和量产分别由DS事业部内的系统LSI部门和晶圆代工部门负责。此外,三星电子已被证实正在采用2nm工艺设计用于定制HBM的逻辑芯片。
三星的判断基准线是“冷测试良率50%”。即使良率未能立即提升,经营层也果断决策,认为必须迅速进入英伟达供应链,抢先确保市场份额。
目前,SK海力士无锡工厂基于12英寸晶圆的DRAM月产能为18万至19万片,其中约90%的产能为1a工艺。无锡工厂的产量占SK海力士DRAM总产量的30%至40%。