据台媒报道，FADU商务长金泰均（Tony Kim）近日表示，存储短缺情况至2027年仍难明显改善，主因新增产能从投资、建厂到量产需要时间。FADU产品布局已由PCIe Gen5延伸至Gen6、Gen7。据悉，Gen6控制器今年上半年完成chip out，预计下半年起出货；Gen7设定传输效能目标达每秒57GB，针对数据处理需求重新设计架构，目前正与客户讨论规格，预计2028年开始送样验证。
据媒体报道，Primemas将于今年下半年与美光科技合作开始量产JBOM（just a bunch of memory）。该系统将多张CXL存储卡组合成一个更大的共享存储池。公司计划在明年年底前通过Compute Express Link (CXL) 内存解决方案创造2亿美元的收入，该解决方案可在单个服务器上支持超过100TB的内存。
从HBM4开始，先进逻辑工艺将被应用于基础芯片（Base Die），存储器和系统半导体之间的界限正变得越来越模糊。这意味着AI加速器与HBM的协同优化变得至关重要——与其分别开发AI芯片和HBM再进行整合，不如从产品设计的早期阶段就对二者进行联合优化。
据韩媒报道，三星电子计划将其京畿道平泽半导体基地的核心设施——P5 1号和2号工厂，从现有的"双层晶圆厂"结构升级为"三层晶圆厂"结构。旨在顺应全球AI半导体和存储器"超级周期"，最大化产能。
据韩媒报道，忠清南道于19日宣布，已完成城市规划委员会对三星电子在牙山温阳园区扩建半导体制造厂的必要审议。该扩建项目投资额达6万亿韩元，是在温阳园区内占地 389,825 平方米 (㎡) 的地块上建造一座新工厂，以扩大高性能AI半导体（如HBM）的生产。三星电子计划下个月开始建设新工厂，竣工日期尚未公布。
除了美国市场的强势扩张，SK海力士在中国市场的表现同样超出市场预期。今年上半年，SK海力士来自中国市场的营收达到32.4783万亿韩元（约合229.9亿美元），占总销售额的24.6%。
据韩媒报道，三星电子将第7代10纳米级DRAM（1d DRAM）开发完成目标时间定于今年9月，并计划于12月启动量产移交，明年底有望实现首批量产。据悉，三星电子1d DRAM的良率提升速度超出预期，在高温环境下的热测试良率已达目标水平，目前正集中确保低温冷测试的良率。三星已宣布将1d DRAM应用于HBM5E，预计2030年左右推出产品。
陈立武透露，新存储架构是他正在关注的“个人关注项目”之一。他提到：“目前正涌现出大量新技术。我聘请了我的好友、前SK海力士高管李锡熙加盟，这足以让大家了解我的一些思考方向。不过，我们目前还不准备对外公布具体细节。”
业内预计，明年三星在DRAM和NAND领域的投资仍将保持较大规模。对于DDR5、eSSD等高附加值产品，其后道工序仍将在国内持续进行。
据ZDNET援引日经新闻报道，铠侠披露，其最大股东已由原东芝变更为一家名为BCPE Pangea Cayman 2（以下简称SPC2）的特殊目的公司。SK海力士通过可转换债券(CB)对SPC2进行了投资。从上个月15日至本月3日，东芝通过总共7笔交易将其持股比例降至14.06%。因此，持有铠侠14.19%股份的SPC2成为该公司的最大股东。
SK海力士声明，为提升业务竞争力，公司正在探讨多种方案，但目前尚未做出决定。
据韩媒援引业内人士消息，尽管今年2月三星HBM4量产初期良率一度跌破60%，近期其良率已接近80%，且较原定年底达成80%的目标提前约4个月。据悉，三星电子已设定内部目标，力争在年底前将其HBM市场份额提升至与DRAM整体市场份额（约38%）相近的水平。
据韩媒报道，三星电子已与美国半导体企业Netlist达成专利纠纷和解。双方签署了一项为期5年的战略合作协议，内容涉及专利交叉许可、存储产品供应和技术合作。
据媒体报道，英伟达正在研发新技术，未来可以让SSD充当额外显存。
华邦电近日召开法说会，总经理陈沛铭表示，高雄现有Module A 月产能将由目前1.5万片扩增至2.4万片，预计今年底开始投片。为应对客户对2029 年以后产能的强烈需求，公司启动Module B建设，预计2027年动工、2029年装机及量产，未来将支援16nm、14nm及12nm制程，实际产出与营收贡献则主要落在2030年。
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