英伟达首席执行官黄仁勋证实,三星电子、SK海力士和美光科技均已顺利通过第六代高带宽内存(HBM4)的性能评估与资质认证。这一消息标志着围绕HBM4市场的激烈供应竞争已正式拉开帷幕。

该计划的核心目标是:将目前每月约55万张(包含中国无锡工厂约20万张产量)的DRAM月产能,提升至2030年的100万张左右。此次扩产将高度集中于龙仁半导体集群。

据外媒报道,SemiAnalysis最新报告称,英伟达正在对其下一代Vera Rubin NVL72机架系统的内存配置进行调整,Vera CPU原本192GB SOCAMM方案,或将“砍半”至96GB。

群联电子执行长潘健成表示,AI产业正从模型训练向大规模推理和Agentic AI部署过渡,行业趋势逐渐转向“以数据和存储为中心”。由于制造商在产能扩充上保持谨慎,NAND闪存市场目前维持着相对紧张的供需状态。

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此次九大协会的联名信更是明确敦促特朗普政府出手干预,建议借助《芯片法案》的资金支持或贸易协定机制,协同芯片制造商在美国本土及盟国扩大产能,以确保各细分市场的供应安全。

铠侠预计其CBA(CMOS直接键合阵列)技术的商业化应用领先同业约四年,到2029年将率先实现4.8Gbps接口速度。铠侠计划通过签订多年期长期协议(LTA)等方式,进一步提升业务的收入可见性与盈利稳定性。

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潘健成指出,AI的发展一定需要DRAM和NAND Flash,且AI模型规模越大,对存储容量需求也越高。企业投入大量资金购置GPU后,创造收入就会产生数据,即推动存储需求。虽然各大原厂都持续扩充产能,但新增的产能仍远追不上需求成长。预计供需吃紧的状态短期内难以缓解,明年存储缺货情况将比今年更严重。

崔泰源重申,由AI普及引发的存储供应瓶颈预计将持续至2030年。他指出,不仅全球资本正疯狂涌入AI数据中心建设,英伟达即将推出的AI PC架构同样对大容量存储有着刚性需求,这将为存储市场带来长期的增长动力。

江波龙围绕“端侧AI存储·综合应用”,集中展示AI内存新品、全链路技术方案及多场景组合应用,依托旗下Lexar雷克沙全球化品牌优势,全方位呈现端侧AI存储领域的创新成果,助力端侧AI本地模型体验优化,推动行业生态协同发展。

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三星电子首席技术官宋载赫表示,HBM4和HBM5之间最大的区别在于核心芯片的工艺。HBM4应用了最先进的1c DRAM,并通过重新设计和完善工艺不断提升性能、良率和质量。而对于HBM5,三星计划引入先进的2nm工艺来优化基础芯片。

据韩媒thebell报道,SK海力士已正式推进在大连二厂(Fab 68)量产采用浮动栅极(FG)结构的200层级中后段NAND Flash,计划从明年下半年开始全面投产,全力抢夺AI数据中心eSSD市场。

如果能够同时实现低成本芯片设计、自主制造、风冷部署和非HBM内存方案,那么英特尔有望在当前AI基础设施成本持续攀升的背景下,切入一个不同于英伟达和AMD的新市场——即大规模AI推理与企业级AI部署市场。从某种意义上说,Crescent Island并不是英特尔挑战英伟达训练GPU的产品,而更像是在AI推理时代,试图重新定义“性价比AI算力”的一次尝试。

零部件短缺已对实际交付造成直接冲击。某检测设备制造商近期虽与三星电子签订了百亿韩元级别的供货合同,但因部件迟迟无法到位,最终不得不将交货日期推迟了3个月。

这已是韩国芯片出口连续第三个月突破300亿美元大关,且连续14个月刷新了同月的历史出口纪录。在全球AI基础设施投资持续加码的背景下,半导体不仅稳坐出口头把交椅,更成为了拉动韩国整体外贸增长的核心引擎。

慧荣科技发布全新的SM2524XT固态硬盘主控芯片。这是一款基于PCIe 5.0接口的DRAM-less主控,主要针对AI推理以及KV Cache密集型工作负载进行了优化。

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