AMD CEO苏姿丰强调,数据中心营收同比翻番以上,创下了历史最高水平的营收和盈利能力,目前仍处于多年AI采用周期的早期阶段。
此次发布的新一代QLC 3D,核心亮点在于应用了革命性的“CMOS直接键合至阵列”(CBA)技术。该技术通过在独立的晶圆上分别制造CMOS逻辑电路与存储阵列,随后利用高精度晶圆对晶圆对准工艺将两者键合在一起。得益于这一架构创新,新一代3D闪存的读写带宽较第八代产品获得显著提升,并成为业界首款接口速率达到4.8 Gb/s的QLC 3D闪存技术。
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Bravera SC6 集成了硬件 RAID 引擎和先进的 LDPC 纠错引擎,并内置了 Marvell 第六代 NANDEdge 技术。它拥有 16 个 3600MT/s 的 NAND 闪存通道,每个通道支持 8 个 CE,兼容来自多家原厂的不同类型闪存(包括 SLC、MLC、TLC 和 QLC)。
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三星电子在美国圣克拉拉举行的2026年未来存储与内存大会(FMS)上,公布其最新的AI内存产品组合和技术路线,展示业界首款zHBM、zNAND-O概念产品、400层以上V10BV-NAND,以及一系列旨在推进未来AI基础设施发展的综合解决方案。
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KIOXIA GP1系列利用了第二代XL-FLASH低延迟、高性能闪存的优势。与传统的基于TLC的SSD相比,该产品不仅能提供显著更高的IOPS和更低的单次I/O功耗,还能实现更细粒度的512字节数据访问。此外,其架构具备良好的可扩展性,在实现当前1000万随机读取IOPS的基础上,未来几代产品将向最高1亿IOPS的目标迈进。
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德明利围绕服务器带宽升级、平台兼容及稳定运行需求,推出企业级TR510C/TR520C系列DDR5 RDIMM产品,满足多元算力节点部署需求。
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据媒体援引知情人士消息,长鑫科技正考虑在北京亦庄建设一座新的12英寸晶圆厂。
此次发布的标准规范,是继SK海力士去年8月与闪迪启动HBF标准化合作,并于今年2月成立联盟后,历时约6个月推出的首项成果。该规范定义了两种容量配置,分别采用8层和16层NAND芯片堆叠,最高支持512GB容量;并按三个等级(Grade 1~3)设定带宽标准,数据传输能力覆盖约0.4TB/s至3.0TB/s。
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据媒体援引业内消息,三星晶圆代工部门全力冲刺今年下半年100%产能利用率目标,目前其整体产能利用率约为70%-80%。结合当前订单积压状态与合同推进进度,公司内外普遍看好该目标顺利落地,持续许久的亏损局面有望扭转。
7月份,受DRAM价格上涨及HBM等高附加值存储器出口强劲的带动,韩国半导体出口额高达410.1亿美元,同比暴增178.8%。这一成绩不仅连续第16个月刷新当月出口纪录,也位列历史第二高,仅次于去年6月创下的448亿美元峰值。
新规明确,适配 HBM 高带宽内存、Chiplet 芯粒、3D 堆叠封装工艺的高端固晶机、超薄晶圆减薄机、高精度芯片分选机、晶圆激光隐形切割机、3D 键合设备、TSV 硅通孔工艺设备等先进封测核心设备,全部纳入管制目录。目录内所有设备对华出口取消通用出口许可,强制执行逐案单独许可审批制度,单笔交易需要独立提交资质与用途审核,常规审批周期达到 3 - 6 个月,面向 AI 算力芯片配套设备的出口申请驳回率接近八成。
据媒体援引业内人士消息,长鑫存储的LPDDR6已接近研发验证尾声,这是量产前的重要一步。据悉,今年3月,长鑫存储已将LPDDR6样品送至核心客户,有望于2026年下半年实现全球首发量产导入。
联发科公布2026年第二季度财务报告。
aigo PL 系列存储新品预计 8 月登陆各大电商平台正式开售。这款拥有苹果官方认证的外接存储产品,一站式化解苹果用户本地容量不足、云端存储成本高、非合规配件风险、高清素材留存难等困扰,为苹果生态用户提供全新的存储升级方案。
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细分板块分化显著,手机业务成为最大拖累项:第三财季高通手机芯片业务营收 50.86 亿美元,同比下滑 20%;汽车业务延续高增长态势,营收 15.9 亿美元,同比大涨 61%,实现连续 23 个季度双位数增长。