据业内人士分析,谷歌正在开发一款基于TPUv9(Humufish)升级版的芯片,代号可能为Triggerfish。联发科独家获得了这份新的、价格更高的订单。据悉,升级版v9(Triggerfish)与Humufish的主要区别在于:SRAM容量显著增加到Humufish的2-3倍,新增模拟芯片,且内存从Humufish的HBM4升级到HBM4E。在Humufish生命周期400-500万科出货量预估不变的情况下,谷歌额外追加100-200万颗Triggerfish,预计2027年底开始生产,2028年放量。
面对严峻的供需形势,潘健成透露,尽管群联已获取了相对充足的供应渠道,但客户需求增速仍快于供给增速,群联目前只能优先保障核心客户的需求。为应对危机,群联正全力囤货,第一季度存货规模已突破700亿元新台币,且库存水位仍在持续攀升。在供给极度紧缺的环境下,现在的市场并非“有钱就能买到货”,而是必须依赖原厂的供货支持,因此群联的策略是积极建立库存,多多益善。
作为每年6月和12月举行的常规会议,全球战略会议的核心目的是复盘上半年业绩并制定下半年销售策略。在当前AI需求激增导致内存供应紧张的背景下,强化HBM业务成为了今年会议的绝对重心。除了产品与技术,三星电子还重点复盘了自今年年初起针对大型科技巨头推进的LTA战略。
告期间,韩国半导体出口额跃升至255亿美元,同比暴涨188.4%,几乎达到去年同期的2.9倍,同样创下历史新高。半导体出口额占韩国总出口额的比重高达41.2%,较去年同期大幅增加了18.3个百分点。
P5 Fab 2是三星电子平泽园区内将建设的第六座工厂,也是平泽园区的最后一条半导体生产线。基于300mm晶圆计算,预计其月产能可达20万至30万片,目标是在2029年实现首次投产。该厂将涵盖从HBM到下一代DRAM、NAND闪存和晶圆代工产线在内的全部产品。
适逢端午节假期,按国家规定放假3天,即6月19日-6月21日放假,6月19日所有产品均暂停报价,6月22日(星期一)恢复报价。
此次新产品较上一代HBM4,性能和能效均取得了跨越式升级。其引脚速率最高可达16Gbps,并将能效提高20%以上,显著提升了AI训练和推理所必需的数据处理能力。
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据韩媒报道,三星目前正与多家合作伙伴共同研发用于量产第七代10纳米(1d)DRAM的设备,并计划于明年第二或第三季度推出。考虑到实际量产准备所需的时间,预计最早将于明年年底开始1d DRAM的初步量产。三星的1d DRAM预计将被用于第九代高带宽内存(HBM5E)的核心芯片,该产品拟于2029年实现商业化。
据外媒报道,英特尔宣布其18A制程节点的升级版本“18A-P”,已正式进入风险生产(risk production)阶段。英特尔18A-P制程基于去年第四季度量产的18A,针对数据中心CPU以及人工智能和高性能计算 (HPC) 半导体的生产进行了优化。与18A相比,18A-P在相同功耗下性能提升高达9% ;在相同性能水平下,功耗最多可降低18%。此外,英特尔计划利用18A-P生产“Diamond Rapids” CPU 芯片,预计将于明年发布。
整体来看,SK海力士正逐步形成“中国无锡工厂主攻通用型与传统DRAM产品、韩国本土工厂专注尖端DRAM产品”的双线布局。这种策略旨在保持供应链的稳定性,并在全球产能竞争中维持市场竞争力。
随着3D NAND向更高层数演进,低电阻金属钼(Mo)被广泛引入字线金属化工艺中,这要求对各个字线之间进行精准的物理隔离以防止短路。传统的湿法蚀刻在处理当今高耸的3D堆叠结构时,由于液体化学试剂难以触及高深宽比特征的底部,往往会导致“上厚下薄”的刻蚀轮廓,严重限制了器件性能和可扩展性。
铠侠今日在官网宣布其EXCERIA G3 SSD系列推出4TB型号,丰富了PCIe 5.0 产品线的容量选择,预计将于2026年7月上旬开始发售。此次新增的4TB型号采用基于其第八代BiCS FLASH™ 3D闪存技术的QLC存储器构建,为需要在AI应用和游戏主机环境中配备入门级SSD的用户提供了更多选择。EXCERIA G3 SSD系列的顺序读取速度高达10,000MB/s,顺序写入速度高达9,600MB/s。
具体而言,该技术会将不常访问的数据从昂贵的DRAM动态转移至单位容量成本低得多的NAND闪存中。由于闪存的存储成本远低于DRAM,这种架构能够在不大幅增加主内存硬件投入的前提下,大幅扩大可用内存池的规模。
据官方介绍,在高负载条件下的测试显示,搭载 GraTherX 的 DDR5 内存模组可实现高达 23.4°C 的降温效果,显著优于传统散热方案通常 3-5°C 的温降表现。此外,该设计还优化了模组正反两面的散热分布,有助于维持设备在长时间运行下的稳定性。
据韩媒报道,三星电子晶圆代工事业部副总裁宋泰俊今日表示,三星电子晶圆代工事业部明年将把多项目晶圆(MPW)工艺扩大至2纳米。2纳米工艺是目前已商业化的最尖端工艺,由于其制造难度极高,目前仅应用于人工智能和高性能计算(HPC)等特定超高性能半导体领域。此举预计将加速韩国国内无晶圆厂(Fabless)企业在超高性能人工智能(AI)半导体领域的研发进程。