从产品矩阵来看,DRAM仍是威刚的核心支柱,5月份营收占比达52.9%。与此同时,自第二季度起NAND Flash价格涨势逐步增强,带动SSD需求的明显回暖。5月份SSD单月营收攀升至47.3亿元,环比大增47%,创下历史新高,其在总营收中的比重也提升至36.5%。此外,存储卡、U盘及其他产品占比为10.6%。

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据韩媒援引业内人士消息称,得益于先进2nm工艺和HBM芯片产量的提升,受良率提升和大宗订单的推动,三星电子晶圆代工业务部门有望将扭亏为盈的目标时间从原定的今年年底或明年提前至今年第三季度。这标志着该部门在经历了自2022年开始的数万亿韩元亏损后,时隔约四年终于扭亏为盈。

在产品线方面,目前DDR4的市场供给尚未出现明显改善迹象。宜鼎预计,第三季度DRAM价格的上涨趋势将更加明确,有望维持两位数的百分比涨幅。同时,自第二季度起,NAND Flash的需求快速升温,近两个月的NAND相关营收已超过第一季度整季水平,预计第二季度该业务营收将接近翻倍,成为下一阶段的核心增长动力。目前,这部分增量需求主要来自AI相关应用,市场同样面临缺货现象。

该协议支持先进存储器的供应,以应对延长的开发周期、先进的制造工艺和资本投资,从而维持人工智能工厂在全球范围内的建设。

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英伟达首席执行官黄仁勋证实,三星电子、SK海力士和美光科技均已顺利通过第六代高带宽内存(HBM4)的性能评估与资质认证。这一消息标志着围绕HBM4市场的激烈供应竞争已正式拉开帷幕。

该计划的核心目标是:将目前每月约55万张(包含中国无锡工厂约20万张产量)的DRAM月产能,提升至2030年的100万张左右。此次扩产将高度集中于龙仁半导体集群。

据外媒报道,SemiAnalysis最新报告称,英伟达正在对其下一代Vera Rubin NVL72机架系统的内存配置进行调整,Vera CPU原本192GB SOCAMM方案,或将“砍半”至96GB。

群联电子执行长潘健成表示,AI产业正从模型训练向大规模推理和Agentic AI部署过渡,行业趋势逐渐转向“以数据和存储为中心”。由于制造商在产能扩充上保持谨慎,NAND闪存市场目前维持着相对紧张的供需状态。

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此次九大协会的联名信更是明确敦促特朗普政府出手干预,建议借助《芯片法案》的资金支持或贸易协定机制,协同芯片制造商在美国本土及盟国扩大产能,以确保各细分市场的供应安全。

铠侠预计其CBA(CMOS直接键合阵列)技术的商业化应用领先同业约四年,到2029年将率先实现4.8Gbps接口速度。铠侠计划通过签订多年期长期协议(LTA)等方式,进一步提升业务的收入可见性与盈利稳定性。

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潘健成指出,AI的发展一定需要DRAM和NAND Flash,且AI模型规模越大,对存储容量需求也越高。企业投入大量资金购置GPU后,创造收入就会产生数据,即推动存储需求。虽然各大原厂都持续扩充产能,但新增的产能仍远追不上需求成长。预计供需吃紧的状态短期内难以缓解,明年存储缺货情况将比今年更严重。

崔泰源重申,由AI普及引发的存储供应瓶颈预计将持续至2030年。他指出,不仅全球资本正疯狂涌入AI数据中心建设,英伟达即将推出的AI PC架构同样对大容量存储有着刚性需求,这将为存储市场带来长期的增长动力。

数据显示,2025年度英韧科技SATA eSSD产品的市场排名尤为亮眼,在收入和容量(PB数)两大核心指标上均位列行业第四名,在本土供应商中排名第二,是国内厂商中的佼佼者。这一成绩标志着英韧科技在成熟的SATA eSSD市场已建立稳固的竞争优势,产品性能、可靠性和成本控制能力获得市场广泛认可。

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江波龙围绕“端侧AI存储·综合应用”,集中展示AI内存新品、全链路技术方案及多场景组合应用,依托旗下Lexar雷克沙全球化品牌优势,全方位呈现端侧AI存储领域的创新成果,助力端侧AI本地模型体验优化,推动行业生态协同发展。

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三星电子首席技术官宋载赫表示,HBM4和HBM5之间最大的区别在于核心芯片的工艺。HBM4应用了最先进的1c DRAM,并通过重新设计和完善工艺不断提升性能、良率和质量。而对于HBM5,三星计划引入先进的2nm工艺来优化基础芯片。

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