黄仁勋强调,当前真正的瓶颈并非市场需求,而是英伟达将芯片生产出来的能力。英伟达近年来一直在推动供应链多元化,并锁定关键零部件的多年期供应协议。
据韩媒zdnet报道,SK海力士旗下子公司Solidigm正在考虑在美国建设首个NAND闪存生产基地。目前正处于协调工厂选址、投资时点等详细计划的阶段。
SK海力士负责解决方案AT的副社长Lim Eui-cheol近日在美国举办的"AI Infra Summit"上进行了发表。他表示,随着人工智能工作负载日益多样化,仅靠现有的GPU-HBM架构已难以满足新的需求。SK海力士正在准备PIM(存内计算)、HBF和SALT-KV等软硬件结合的新解决方案,以满足这些不断变化的工作负载的需求。
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据外媒报道,美光预计2026年将在印度首座半导体封装测试工厂(Sanand工厂)组装和测试数千万枚芯片,并在2027年将产能扩大到数亿枚。
汪涛同时透露,昇腾超节点已广泛部署,截至目前已向 370 多家客户交付 1000 多套超节点,标志着华为新一代 AI 算力产品正式进入商业部署阶段。
交易预计于 2027 年下半年完成,交易完成后,目标公司将以“Spansion”为名,华邦将直接或间接持有目标公司 100% 股权。目标公司将延续其既有营运模式,独立运营并以美国为总部所在地。
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据外媒报道,Nebius将于10月1日起提高其部分按需计算资源的价格,这是该公司自5月以来的第二轮提价。涨价范围包括H100、H200、B200、B300、AMD EPYC Genoa CPU等。最终对用户账单的影响将取决于其具体配置和使用情况。
据韩媒引述业界消息,三星电子决定将PC、服务器和笔记本电脑所需的DDR5内存模块及SSD等增产部分,全部交由OSAT合作伙伴承接,不再扩充自有产能,以便将有限的内部资源集中投入到HBM等高附加值内存产品的生产中。
原协议规定现金与股票的比例为40%比60%,而修订后的方案将其调整为现金与股票各占50%。此外,现金部分被细分为若干部分,允许以10%为单位转换为股票,这意味着员工可以根据自身意愿选择以股票形式领取全部奖金。
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据媒体报道,英特尔首席执行官陈立武预计,由于AI需求不断增长,明年内存供应短缺的情况将更加严重。他表示,部分内存的价格已经上涨了五倍、六倍,甚至七倍,许多企业因无法获得足够的内存而放缓扩大业务的步伐。人工智能领域对HBM的需求激增,给通用DRAM的供应带来了越来越大的压力。此外,陈立武还强调了先进封装技术的重要性,认为将CPU、AI加速器、HBM和I/O芯片集成到单个封装中,对于缩短数据传输距离、提高处理速度和能效至关重要。英特尔正凭借其专有的先进封装技术“EMIB”进军AI半导体市场。
美光科技宣布,已成功在多个服务器平台上展示全球首款512GB DDR5内存模块,最高速率可达9200 MT/s。据悉,AMD和英特尔均在积极对该内存模块进行验证。美光预计,512GB RDIMM将于2027年下半年开始量产,以满足客户需求。
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联发科正式发布新一代旗舰 5G 智能体 AI 芯片——天玑 9600 Pro。作为安卓阵营首批迈入 2nm 制程的移动平台,该芯片在核心性能、AI 算力及存储规格上均实现了显著跃升。
据韩媒报道,三星计划打破以往完全依赖内部晶圆代工部门生产的模式,转而采取同时利用台积电工艺制造Base Die的“双轨制”战略。
声明称,目前该司正筹备将其普通股对应的美国存托股份在美国证券交易所上市,旨在稳步且可持续地提升企业价值。但关于上市的具体细节,包括时间表、上市市场及上市方式等,尚未最终确定。在筹备过程中,视具体情况,该司也可能决定不再继续推进上市计划。
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据媒体报道,十铨总经理陈庆文表示,存储市场目前供给持续吃紧,第四季价格仍会上涨,但涨幅将较过去八、九个月趋缓,预计由单月大涨15%至20%,转为一季上涨约20%至30%。需求方面,陈庆文认为,DRAM需求目前比NAND Flash更加稳固,DRAM缺口非常明显且庞大;NAND Flash虽然也有缺口,但相对没有那么严重。供给方面,存储原厂产能都已被大量长约包揽,新厂扩产速度也跟不上需求。预计真正严重的缺货可能落在2027年上半年,届时外部能取得的货量非常少。