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在此次组织结构重组中,三星电子DS部门成立了“存储器开发部门”,该部门将统一管辖原存储器事业部下属的DRAM开发室和NAND Flash开发室。

在C-HBM4E阶段,为实现将内存控制器集成于基础裸片,从而节省计算芯片面积等目标,台积电将推出基于N3P先进制程的基础裸片解决方案。据称,该方案可将能效提升至HBM3E基础裸片的约两倍。

兆易创新GD25NX系列提供64Mb和128Mb两种容量选择,支持TFBGA24 8x6mm (5x5 ball array)以及WLCSP (4x6 ball array)封装形式。

铁电材料无需通电即可实现正负电荷的极化,因此无需持续供电即可维持数据。作为一种速度更快、能效更高的半导体材料,铁电材料正备受关注。三星电子SAIT首次在全球范围内发现了一种关键机制,通过融合氧化物半导体和铁电结构,可将功耗降低96%。

随着AI计算深入终端,存储系统面临数据实时吞吐、小数据块随机读写及复杂环境可靠性等多重挑战。在此背景下,江波龙以mSSD为高速核心存储介质,通过定制硬件、固件、可靠性标准与热插拔设计,衍生出全新存储形态...

在 GPU 和 CPU 中,核心是能够独立进行计算的基本单元。例如,四核 GPU 意味着有四个核心可以进行计算,核心越多,计算性能越好。将核心放置在HBM上,旨在将之前集中在GPU上的计算功能卸载到内存中,从而减少数据传输和 GPU 本身的负担。

根据发行方案,德明利拟向特定对象非公开发行股票数量不超过6806.59万股,募集资金总额不超过32亿元,分别投入到固态硬盘(SSD)扩产项目、内存产品(DRAM)扩产项目、德明利智能存储管理及研发总部基地项目、补...

累计2025年1-10月,日本芯片设备销售额达4.2万亿日圆、较去年同期大增17.5%,就历年同期来看,远超2024年的3.6万亿日圆,创下历史新高纪录。

三星电子宣布,已完成2026年常规高管人事调整,包括晋升161名高管,涵盖EVP、VP、研究员和专家等职位。与去年的137人晋升相比,此次晋升人数显著增加。

对于利基型DRAM 内存市场,兆易创新初步预计涨价趋势在 2025Q4 和 2026Q1 有望得以延续,并在 2026Q2~Q4 维持相对较高的价格水平。

Mark Murphy表示,目前还没有哪家公司完成人工智能半导体系统级的HBM4质量认证。美光HBM4带宽超过2.8 TB/s,引脚速度超过11 Gbps,正在按照既定程序接受评估。

该设备广泛适配≥96层3D NAND、≤1Xnm逻辑芯片、DRAM及HBM等先进制程。

长鑫存储最新的DDR5产品系列最高速率达8000Mbps,最高颗粒容量24Gb,并推出UDIMM、SODIMM、CUDIMM、CSODIMM、RDIMM、MRDIMM、TFF MRDIMM等七大模组及新型产品,覆盖服务器、工作站及个人电脑等全场景领域,满足各...

三星电子宣布最新人事调整,Roh Tae-moon被任命为设备体验(DX)事业部负责人兼首席执行官,与副会长兼设备解决方案(DS)事业部负责人Young Hyun Jun共同担任公司首席执行官。

南亚科技透露,因应客户强劲需求,已增加当下最缺、价格最夯的DDR4 / LPDDR4销售比重。

股市快讯 更新于: 11-29 12:47,数据存在延时

存储原厂
三星电子100500KRW-2.90%
SK海力士530000KRW-2.57%
铠侠9406JPY+3.95%
美光科技236.480USD+2.70%
西部数据163.330USD+3.54%
闪迪223.280USD+3.83%
南亚科技146.0TWD0.00%
华邦电子58.0TWD+1.93%
主控厂商
群联电子1120TWD+6.16%
慧荣科技88.960USD+1.58%
联芸科技47.38CNY+0.98%
点序67.9TWD-0.59%
品牌/模组
江波龙249.19CNY+4.22%
希捷科技276.690USD+1.62%
宜鼎国际493.5TWD+0.82%
创见资讯183.0TWD-4.69%
威刚科技177.5TWD+0.85%
世迈科技20.230USD-0.39%
朗科科技27.39CNY+1.37%
佰维存储109.05CNY+6.10%
德明利219.90CNY+2.67%
大为股份27.39CNY+2.66%
封测厂商
华泰电子47.10TWD+0.21%
力成157.0TWD+0.96%
长电科技35.91CNY+0.45%
日月光229.5TWD-0.43%
通富微电36.61CNY+0.69%
华天科技10.91CNY+0.37%