SK海力士将从明年2月开始在M15X工厂启动用于HBM4的1b DRAM量产晶圆的投入。原计划量产晶圆投入时间为6月。初期将投入约1万张晶圆起步，年底将生产规模扩大至数万张。

如果SK海力士明年1月初能够提交更多优化后的样品，且质量测试能够迅速完成，预计将于2-3月开始全面量产，产能提升在第二季度将得以启动。

据业界消息，阿里巴巴正考虑向AMD下单订购40,000至50,000颗MI308 AI芯片。

尽管尚不明确能否获得英伟达芯片，但字节跳动已将明年人工智能处理器的预算定为 850 亿元。

报道称，英伟达对三星HBM4的供货需求量也远高于三星内部的预期，这可能会显著提振三星的盈利。

高通一直强调智能体人工智能将显著改变智能手机的用户体验，而此次推出的全新计算架构也正是基于此理念。Amon强调，智能体人工智能体验的关键在于“上下文”，它基于对用户所见、所闻、所言等感官信息的即时理解能力。

与前代产品 Exynos 2500 相比，Exynos 2600的 CPU 性能提升高达 39%，生成式 AI 性能提升高达 113%。预计该芯片将用于即将在2月推出的旗舰智能手机Galaxy S26。

目前，三星电子正在开发LPDDR5X-PIM，结合LPDDR5X和PIM技术，带宽高达614 GB/s，是现有LPDDR5X的八倍，并支持FP16/FP8和INT/4/8/16等多种运算。

三星将其新技术命名为“用于10nm以下CoP垂直通道DRAM晶体管的高耐热非晶氧化物半导体晶体管”。采用了一种基于非晶铟镓氧化物（InGaO）的晶体管，这种晶体管可以承受高达 550 摄氏度的高温，从而防止性能下降。 这种垂直沟道晶体管的沟道长度为 100nm，可以与单片 CoP DRAM 架构集成。