三星电子工会在23日的集会上重申其诉求：将年度营业利润的15%作为绩效奖金发放，废除绩效奖金上限，并要求奖金制度透明化。如果劳资双方未能达成协议，将于5月21日至6月7日正式展开罢工行动。
超聚变提供的产品和解决方案涵盖服务器、操作系统、AI开发平台、超融合解决方案、高性能计算解决方案以及数据库解决方案等领域。在全球部署10个研发中心与5个供应中心，设立6个全球技术服务中心与7大地区部，服务全球100多个国家和地区的10000多家客户。
据媒体报道，高通正加速布局数据中心CPU，计划推出一款基于Arm架构 、专为AI计算设计的服务器处理器，最快可能于2026年6月亮相。
摩尔线程发布2026年第一季报报告。2026年一季度营收7.38亿元，同比增155.35%，归母净利润0.29亿元，同比增加1.42亿元，归母扣非净利润亏损0.54亿元，亏损同比收窄60.10%。对于营收变动原因，摩尔线程表示，这主要系报告期内公司专注于全功能GPU的研发与创新，产品实现规模化落地，进而促进了收入的快速增长。
据韩媒报道，三星电子已生产出适用于10纳米以下DRAM工艺的可用工作晶圆。业内人士透露，三星在上个月采用其10a工艺制造的晶圆测试中，确认了一颗可用的晶圆，体现了4F²单元架构和垂直通道晶体管（VCT）结构的首次应用。据悉，三星的目标是在今年完成10a DRAM的开发，明年进行质量测试，并在2028年实现量产。该公司计划在10a、10b 和10c三代产品中使用 4F² 和 VCT 结构，然后在10d代转向3D DRAM。
此次获奖，是对SK海力士推动HBM创新与应用、引领AI计算发展所作贡献的高度肯定。SK海力士提前提出创新性HBM解决方案，并及时响应客户需求，这一举措在全球AI市场中发挥了关键作用。
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据台媒报道，台积电计划在2029年启用美国亚利桑那州先进封装厂，贴近美系CSP客户需求，抢攻AI与HPC高阶封装订单，强化在地供应链布局。在AI芯片需求爆发下，台积电于2026年北美技术论坛同步释出CoWoS与3D堆叠升级蓝图，封装地位由“辅助”跃升为“系统核心”。
英特尔CEO陈立武表示，近几个月，CPU正重新成为AI时代不可或缺的基础。公司将继续专注于最大限度地利用其工厂网络，以提高供应量，并满足客户全年的需求。量产级AI计算的核心仍是以CPU为基础的架构，这对英特尔更是重大机遇。基于这一结构性趋势，英特尔CEO陈立武相信CPU业务将成为公司未来数年（而非仅几个季度）的重要增长引擎。
3D X-DRAM采用存储单元垂直整合架构，突破传统存储容量扩展限制。该技术有望应用于HBM、DDR以及AI与HPC等领域。
具体性能，顺序读取速度高达 10,300 MB/s，顺序写入速度高达 10,000 MB/s，随机读取和写入性能分别高达 140 万和 130 万 IOPS。
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当地时间4月22日，JEDEC发布了一系列计划纳入其JESD209-6 LPDDR6标准下一版本的新功能预览，致力于将LPDDR6的应用范围从移动平台扩展到支持特定数据中心和加速计算工作负载。即将推出的LPDDR6更新计划包括以下特征：更窄的芯片接口（x6）以实现更高的容量；支持灵活的元数据分离；容量有望突破当前LPDDR5/5X的最大容量限制达到512GB；LPDDR6 SOCAMM2模块标准正在开发中。此外，LPDDR6 PIM 存内处理技术标准制定也接近完成。
Nextorage（群联旗下日本存储模组企业）宣布推出 G Series EEA固态硬盘，提供1TB、2TB、4TB、8TB四种容量版本。该SSD采用PCIe Gen4 × 4接口，搭载3D QLC NAND闪存，整体方案为DRAM-less HMB+SLC Cache，质保期1年。
本次上修支出主要用于建厂、无尘室设施，及增加高功率预烧老化（Burn-in）测试机台，预估今年产能有望扩充30%–50%。京元电子强化高功率测试能力，被视为因应AI GPU与ASIC等高阶芯片需求。
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SK海力士预测，存储效率化技术的扩散将提高人工智能服务的经济性，进而推动整体服务规模的扩大，这将进一步拉动存储器需求。基于此，SK海力士预计DRAM和NAND闪存市场均将维持有利的价格环境。
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据媒体报道，由于特斯拉的存储需求激增，4月三星向特斯拉供应的8GB GDDR6 DRAM较第一季度月均水平增长了三倍。三星已提高位于韩国华城工厂的产能，以满足客户对DRAM的需求，还计划在2026年下半年于得克萨斯州的工厂开始为特斯拉生产先进的人工智能芯片。
营业利润增长4倍、投资规模大幅增加，SK海力士：本轮涨价周期可能比过去更长
存储成品零售贸易价格持续下探，渠道SSD和内存条价格再度走跌！
CFM预计Q2服务器NAND和DRAM涨幅收敛至50%以内，下半年涨幅将逐季放缓