澜起科技宣布成功向客户送样DDR5第六子代寄存时钟驱动器芯片(RCD06)。该产品面向下一代服务器平台,可满足AI服务器、高性能计算(HPC)及云计算场景不断增长的内存带宽需求,支持高达 9200 MT/s 的传输速率,较上一代提升 15%。
存储品牌康盈半导体(KOWIN)亮相本次行业盛会,携嵌入式存储芯片、SSD固态硬盘、DRAM内存模组、移动存储四大核心产品线参展。凭借全品类、高规格的场景化存储产品,赋能AI穿戴、AI PC、Mini主机、工业工控等终端落地,全面展示品牌在AI存储领域的技术积淀与产品创新实力。
进入该厂商主页
台积电公布2026年5月营收报告。2026年5月合并营收约为新台币4,169.75亿元,环比增长1.5%,同比增长30.1%;1至5月累计营收约为新台币196,180.04亿元,较去年同期增加了30.0%。法人指出,台积电5月营收维持高位,代表AI供应链拉货动能未见明显降温,尤其是英伟达 Blackwell、Rubin平台、AMD高端AI加速器、美系云服务供应商(CSP)客制化ASIC芯片,以及苹果新品备货需求同步推进,持续推升3纳米、5纳米及先进封装产能利用率。
公告称,2026 年采购量占 2025 年公司NANDFLASH采购总量的 4.45%,占比较小;2027 年采购量占 2025 年公司NANDFLASH采购总量的 14.88%,占比较小。公司签订合同提前锁定未来24个月的部分基础用量,与公司业务规模及业务规划匹配,风险整体可控。
进入该厂商主页
据韩媒报道,三星电子正在推进位于光州的先进半导体封装(后端工艺)工厂的建设,标志着三星电子首次在湖南地区建立半导体生产基地(目前主要集中在忠清地区)。三星电子自温阳园区建成以来,35年来首次新建封装基地,该项目将包括DRAM和NAND闪存的前道工序生产线。据悉,这项投资计划将于29日由李在明总统主持召开的与包括三星在内的多家大型企业集团负责人的会议上进行讨论。
SK海力士HBM最大客户的英伟达CEO黄仁勋近日访韩时明确表示:“三大存储厂商均已通过HBM4的质量测试,并正在推进量产。”他还表示,SK海力士过去是其最大的内存合作伙伴,未来也将继续保持这一地位,不会改变。
从产品矩阵来看,DRAM仍是威刚的核心支柱,5月份营收占比达52.9%。与此同时,自第二季度起NAND Flash价格涨势逐步增强,带动SSD需求的明显回暖。5月份SSD单月营收攀升至47.3亿元,环比大增47%,创下历史新高,其在总营收中的比重也提升至36.5%。此外,存储卡、U盘及其他产品占比为10.6%。
进入该厂商主页
据韩媒援引业内人士消息称,得益于先进2nm工艺和HBM芯片产量的提升,受良率提升和大宗订单的推动,三星电子晶圆代工业务部门有望将扭亏为盈的目标时间从原定的今年年底或明年提前至今年第三季度。这标志着该部门在经历了自2022年开始的数万亿韩元亏损后,时隔约四年终于扭亏为盈。
在产品线方面,目前DDR4的市场供给尚未出现明显改善迹象。宜鼎预计,第三季度DRAM价格的上涨趋势将更加明确,有望维持两位数的百分比涨幅。同时,自第二季度起,NAND Flash的需求快速升温,近两个月的NAND相关营收已超过第一季度整季水平,预计第二季度该业务营收将接近翻倍,成为下一阶段的核心增长动力。目前,这部分增量需求主要来自AI相关应用,市场同样面临缺货现象。
该协议支持先进存储器的供应,以应对延长的开发周期、先进的制造工艺和资本投资,从而维持人工智能工厂在全球范围内的建设。
进入该厂商主页
英伟达首席执行官黄仁勋证实,三星电子、SK海力士和美光科技均已顺利通过第六代高带宽内存(HBM4)的性能评估与资质认证。这一消息标志着围绕HBM4市场的激烈供应竞争已正式拉开帷幕。
该计划的核心目标是:将目前每月约55万张(包含中国无锡工厂约20万张产量)的DRAM月产能,提升至2030年的100万张左右。此次扩产将高度集中于龙仁半导体集群。
据外媒报道,SemiAnalysis最新报告称,英伟达正在对其下一代Vera Rubin NVL72机架系统的内存配置进行调整,Vera CPU原本192GB SOCAMM方案,或将“砍半”至96GB。
群联电子执行长潘健成表示,AI产业正从模型训练向大规模推理和Agentic AI部署过渡,行业趋势逐渐转向“以数据和存储为中心”。由于制造商在产能扩充上保持谨慎,NAND闪存市场目前维持着相对紧张的供需状态。
进入该厂商主页
此次九大协会的联名信更是明确敦促特朗普政府出手干预,建议借助《芯片法案》的资金支持或贸易协定机制,协同芯片制造商在美国本土及盟国扩大产能,以确保各细分市场的供应安全。