华虹半导体(01347.HK;688347.SH)今日公布2025年第四季度及全年业绩。第四季度销售收入达6.599亿美元,同比增长22.4%,环比增长3.9%,再创历史新高;毛利率13.0%,同比提升1.6个百分点;全年销售收入24.021亿美元,同比增长19.9%;毛利率11.8%,同比提升1.6个百分点;公司全年平均产能利用率高达106.1%,处于晶圆代工企业领先水平,反映市场需求旺盛及公司运营效率强劲。
联想集团今日公布截至2025年12月31日的2025/26财年第三季度业绩,营收与利润双双创下历史新高。第三季度营收达222亿美元,同比增长18%;前九个月总营收614.86亿美元,同比增长18%。在业绩向好的同时,杨元庆对存储行业发出明确预警:存储价格上涨周期远未结束。
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2月12日,三星电子宣布,其HBM4已抢先开始量产,并向客户交付商用产品。三星的HBM4可提供高达每秒11.7 Gbps的稳定处理速度,比业界标准的8Gbps提升约46%,树立了HBM4性能的新标杆。三星预计其HBM产品销量在2026年将比2025年增长三倍以上,并正积极扩大HBM4的产能。在HBM4成功推向市场后,HBM4E的样品预计将于2026年下半年开始发放,而定制的HBM样品将根据客户的具体规格于2027年开始交付。
当地时间2月11日,美光CFO在Wolfe Research组织的半导体会议上表示,公司已实现HBM4量产,并开始向客户交付。针对近期有关美光HBM4无缘英伟达供应的猜测,美光科技否认三星电子和SK海力士将瓜分HBM4供应量的预期。Mark Murphy进一步表示,美光今年一季度HBM4的出货量正在稳步增长,比去年12月财报发布时提到的时间提前了一个季度。2026年的HBM产量已全部售罄,HBM4的生产良率正按计划进行,其速度超过每秒11Gb。
2026年2月11日,韩国产业通商资源部在“AI半导体核心企业成长战略座谈会”表示,针对韩国Fabless企业长期面临的代工产能瓶颈问题,韩国政府决定投入4.5万亿韩元(约合216亿元人民币)新建一座12英寸40nm工艺晶圆厂,专门用于支持本土无晶圆厂企业的研发与商业化。
据韩媒报道,SK海力士正在开发名为“AIP(All-In-Plug)”的创新技术,以缓解因堆叠层数增加而带来的成本增长。据悉,为实现高堆叠NAND而增加的HARC蚀刻工艺数量是导致制造成本上升的最大因素。传统制造方法需要分别对多个NAND层进行蚀刻,通过键合工艺连接起来,而AIP可在单次工艺中对超过300层的高密度NAND闪存进行HARC蚀刻,旨在通过一次性蚀刻全部NAND层来显著降低制造成本。如果这项技术应用于实际量产,预计从下一代NAND闪存(例如V11)开始,HARC工艺的数量和成本将显著降低。
三星目前正在开发 zHBM,其核心是将 HBM 堆叠成 3D 结构,有望在物理人工智能时代所需的带宽或能源效率方面带来另一项重大创新。
2月上旬韩国半导体出口额同比增长137.6%,达到67.3亿美元,占出口总额的31.5%,比去年同期增长 12.3 个百分点。
按产品线划分,闪存产品线占2025年营收为35%,以NOR Flash全球第一供货商的角色持续扩大市场领先地位;逻辑产品线占比34%;客制化内存产品线占比29%,来自于20nm的营收呈现指数型成长,而其他产品线占比为2%。
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中芯国际 2025 年第四季度财报数据出炉,公司该季度实现销售收入 24.89 亿美元,较 2025 年第三季度环比增长 4.5%,较 2024 年第四季度同比增长 12.8%;实现毛利 4.78 亿美元,环比减少 8.5%、同比减少 4.2%,毛利率为 19.2%,环比下降 2.8 个百分点、同比下降 3.4 个百分点。
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据外媒报道,受去年年底服务器DRAM与NAND闪存价格大幅上涨影响,国内云计算服务商及超大规模数据中心正加快设备更新步伐,引发服务器CPU需求激增。其中,英特尔至强6系列处理器(Xeon 6系列)交付周期长达6个月,AMD第五代EPYC(霄龙)系列处理器交付周期约为10周。英特尔服务器CPU的交付周期明显长于AMD,核心原因在于其采用的Intel 3工艺量产进度滞后、自有晶圆厂产能规模不足,以及内部产能分配策略的综合作用。
受市场需求强劲驱动,华邦电子2026年第一季度DRAM合约价延续大涨态势,涨幅接近50%。目前,公司今年所有DRAM产能已被预订一空,甚至连尚未完全投产的高雄路竹厂新增的DDR4及LPDDR4产能也全部被客户预购。
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雷克沙官网现已上线JumpDrive D500双接口高速固态U盘,基于USB 3.2 Gen 1 (5Gbps)协议,同时提供Type-A与Type-C接口,拥有广泛的设备兼容性。JumpDrive D500采用铝合金外壳,支持360°旋转。其工作温度范围0~50℃,共有四种容量,分别是128GB/256GB/512GB/1TB,速率最高可达400MB/s。此外,这款固态U盘还可配合专用Lexar App实现移动端手机相册自动备份。
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据外媒报道,英特尔代工业务成功争取重量级客户联发科,有望通过其最先进的14A工艺量产天玑移动芯片。此前,苹果初步敲定英特尔的18A-P工艺用于入门级M系列芯片,最快在2027年出货。
三星电子HBM4 采用1c DRAM 和 4nm 制程工艺,其数据处理速度超过了JEDEC 标准的8Gbps,最高可达11.7Gbps,比上一代 HBM3E(9.6Gbps)提升22%。单层堆叠的内存带宽也高达3TB/s,比上一代产品提高了2.4 倍,12 层堆叠技术可提供最大 36GB 的容量。未来扩展到 16 层堆叠技术预计可将容量提升至 48GB。其另一大优势在于其低功耗设计,能够在支持高性能计算的同时,显著降低服务器和数据中心的功耗和冷却成本。