三星电子将为DGX Spark供应高性能存储解决方案PM9E1 SSD，读写速度最高可达14.5GB/s和13GB/s，最高支持4TB容量，并搭载第八代V-NAND和5nm控制器，显著提升了能效和稳定性，可最大限度地减少DGX Spark等AI超级计算系统中的数据瓶颈，并作为超高速计算处理的基础存储。

在AI PC方面，英特尔指出商用市场对AI PC的采用率正持续提升，其对2025年底累计出货约1亿台AI PC设备的目标维持不变。

RCD04数据传输速率最高可达 7200MT/s，较上一代产品提升超12.5%。通过采用新的电源管理架构和信号处理技术，该芯片在实现更高传输速率的同时，优化了功耗表现，并增强了信号完整性。

正如CFM闪存市场分析，基于服务器应用包括NAND、DRAM在内的产能分配优先，手机嵌入式存储供应较为有限，预计四季度mobile NAND、LPDDR4X/5X等产品全面延续涨价行情。

据CFM闪存市场最新报价，1Tb QLC 涨 8.33% 至 $6.50，1Tb TLC 涨 7.46% 至 $7.20，512Gb TLC 涨 14.29% 至 $4.80。

郭鲁正表示，他认为明年的存储器行业不会糟糕，SK海力士将像今年一样，努力保持对明年的希望。

与之相对应的是，英特尔即将发布的 Panther Lake 和 Wildcat Lake 平台均使用第五代 NPU（NPU5）。

数据显示，韩国今年1-9月半导体出口额累计已达1197亿美元，同比增长16.9%。2024年，韩国半导体出口额为1419亿美元。

JESD328 预计将支持完整的 LPDDR5X 数据速率，即在平台信号完整性允许的情况下达到每引脚 9.6 Gb/s，数据传输速度高达9,600 MT/s，高于SOCAMM 1的8,533 MT/s。LPDDR5/5X 内存设备的使用降低了系统能耗和冷却要求，这是高效处理大数据的关键特性。

朱宪国指出，AI带动HBM等高阶存储产品需求强劲，使晶圆厂将产能转向HBM等高阶产品，排挤利基型DRAM产能，带动价格走扬；SLC NAND在韩厂减产下，第三季也有涨价；NOR Flash受惠AIoT应用需求增加，带动需求，价格同步上扬。

为了构建下一代数据中心，Arm还推出了一项新的“全面设计”计划。该计划支持企业基于 Arm IP快速开发定制半导体 (ASIC)。

目前，江波龙这项创新产品已完成开发、测试，并申请了国内外相关技术专利，处于量产爬坡阶段。