此次投资计划的一大焦点,是SK海力士拟在韩国清州新建一座NAND闪存晶圆厂。若该计划最终落地,这将是自2018年M15工厂建成以来,SK海力士在该厂区首次进行重大NAND产能扩张。

高通依托HBC架构,在低功耗云端推理、大规模AI算力部署赛道形成与传统HBM方案错位竞争的技术优势,持续完善自身AI算力生态布局。这一路径有望在特定场景下为客户提供HBM之外的高能效、低成本新选择,整体AI加速市场将呈现多元技术路线并存的格局,HBC与HBM各有适用边界,共同服务于日益增长的AI算力需求。

6 月 25 日,微软与苹果先后发布公告上调硬件定价,核心诱因是 AI 数据中心扩容带动存储芯片需求激增,叠加多重供应链因素推高元器件成本。

据韩媒inews24报道,SK海力士的赴美上市进程已进入最后冲刺阶段;与此同时,铠侠也发布了赴美发行ADR(美国存托凭证)的时间表,并计划通过拆股降低散户投资门槛。

数据显示,与现有的2纳米节点芯片相比,这款亚1纳米芯片的性能最高提升50%,能效提升高达70%,同时可将静态随机存取存储器(SRAM)的缩放比例提升40%。这一重大突破将极大满足生成式AI、云基础设施等前沿领域对高算力、低能耗的迫切需求。

高通正式发布高带宽计算(High-Bandwidth Compute,HBC)架构,将HBC加速器放置于LPDDR堆栈下方,通过TSV硅通孔技术实现LPDDR堆栈和HBC加速器互连。相较于竞品已发布产品,在卡级归一化条件下,HBC每瓦带宽相为HBM的6倍;在机架级归一化条件下,HBC每瓦容量为SRAM的200倍。采用HBC Gen 2的AI300则旨在实现进一步的阶梯式提升,相比AI200有效带宽最高可提升54倍,每瓦带宽较HBM实现7倍跃升。

受美国对华半导体出口限制约束,面向中国市场的 AI 加速器、数据中心 CPU、定制 ASIC、互联芯片四大数据中心产品线,高通均会单独调整性能参数、按合规标准重新设计,控制算力指标在监管许可阈值内,规避合规风险。

长期以来,HBM封装多采用热压键合(TCB)技术,但这种方式存在天然的物理缺陷。TCB依靠微小的凸点(bump)连接,且中间必须填充底胶(underfill),这导致热传导路径被阻断,热阻极大。相比之下,三星力推的混合铜键合(HCB)实现了铜与铜的直接接触。这种“直连”方式打通了更多的散热通道,大幅提升了热量逸出的效率。

由于生成式人工智能(AI)模型训练所需的硬件资源正面临极度短缺,OpenAI选择通过这种资本绑定的方式,确保自身能够获得稳定的算力基础设施。

据韩媒报道,三星电子近期将约7.5万片晶圆(占其每月15万片HBM DRAM晶圆投入量的一半)用于HBM4的生产,剩余一半则用于生产第五代HBM3E 12层产品。据悉,市场需求相对较低的HBM3E 8层产品的生产已暂时停止,并将产能转移至HBM4的生产。

据外媒报道,三星计划到2029年实现420层NAND闪存解决方案,到2030年实现超过560层。随后在下一个十年之初,三星计划将层数翻番,实现超过1000层的解决方案。层数翻倍会带来晶圆翘曲和层间对准误差等问题,但据悉三星计划引入Upper Chuck Design方案和Overlay Correction(叠对校正)技术解决相关问题。

JEDEC制定并公布了SPHBM4标准。SPHBM4是一项新的JEDEC标准,使用更少的信号引脚、标准封装和更经济的基板,即可实现接近HBM4的性能。SPHBM4将信号引脚数量减少到原来的五分之一,并通过将信号速度提高至原来的四倍,缓解性能损失的问题。这将使HBM制造商能够减少对昂贵的高级封装解决方案的依赖。

据《朝鲜日报》引述业内消息称,SK海力士正考虑略微推迟部分第五代HBM(HBM3E)产线向HBM4的转换计划。这一政策的核心在于提升对通用DRAM市场的响应速度。目前,通用DRAM的营业利润率已超越HBM,此举旨在确保更多利润。业界普遍认为,这反映出SK海力士的判断:鉴于其在HBM市场已稳占主导地位,目前并无必要急于向HBM4及第七代HBM(HBM4E)过渡。

美光科技宣布与人工智能公司Anthropic达成一项全面战略合作协议。此次合作涵盖内存与存储AI架构设计、产品供需协议、美光内部企业级AI应用部署,以及美光对Anthropic H轮融资的战略投资。该协议旨在将前沿AI模型的需求与底层基础设施的设计、供应及大规模部署紧密结合。

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三星电子今天推出业内速度最快的通用闪存存储 (UFS) 5.0 解决方案。该方案实现了业界最高的10.8GB/s带宽,顺序读取速度高达10.8 GB/s,顺序写入速度高达9.5 GB/s,顺序读写速度较上一代UFS 4.1标准快两倍以上。三星UFS 5.0方案显著提升了移动内存的存储和处理速度,同时提高了能效并缩小了封装尺寸,可提供更佳的设备端AI体验。三星将于今年第四季度开始量产UFS 5.0,容量最高可达1TB。

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