业界消息指出,因4纳米制程产能接近满载,三星顺势调整策略,积极推广成熟且具成本优势的5纳米制程,吸引国内外无晶圆厂(Fabless)客户采用。
从下游需求端来看,尽管4月和5月渠道市场需求相对疲弱,但自6月下旬起,渠道库存已恢复至健康水位。进入7月和8月,市场需求持续回升,OEM及品牌渠道拉货同步增温。威刚表示,第三季度的营运表现将优于第二季度,整体业绩有望持续攀高。
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FADU 正在推进一项业务计划,绕过内存厂商,将 SSD 控制器直接供货给服务器客户。该公司的目标是进一步拓展超大规模客户群。目前,FADU 已拿下的超大规模客户包括 Meta 等。
据媒体报道,南亚科技董事会日前通过多项重大决议,宣布启动5A新厂长期投资计划。
CoreWeave 与 Solidigm 建立了这项多年期协议,以确保在企业加速采用人工智能以及整个行业存储供应日益紧张的情况下,能够优先分配资源。
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江波龙以“端侧AI 存储聚变”为参展主题,聚焦AI BOX智能体主机、AI PC个人终端、AI Mobile移动嵌入式三大核心端侧AI应用场景,全方位展示端侧AI存储全新落地形态与商业化能力。
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AMD CEO苏姿丰强调,数据中心营收同比翻番以上,创下了历史最高水平的营收和盈利能力,目前仍处于多年AI采用周期的早期阶段。
此次发布的新一代QLC 3D,核心亮点在于应用了革命性的“CMOS直接键合至阵列”(CBA)技术。该技术通过在独立的晶圆上分别制造CMOS逻辑电路与存储阵列,随后利用高精度晶圆对晶圆对准工艺将两者键合在一起。得益于这一架构创新,新一代3D闪存的读写带宽较第八代产品获得显著提升,并成为业界首款接口速率达到4.8 Gb/s的QLC 3D闪存技术。
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Bravera SC6 集成了硬件 RAID 引擎和先进的 LDPC 纠错引擎,并内置了 Marvell 第六代 NANDEdge 技术。它拥有 16 个 3600MT/s 的 NAND 闪存通道,每个通道支持 8 个 CE,兼容来自多家原厂的不同类型闪存(包括 SLC、MLC、TLC 和 QLC)。
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三星电子在美国圣克拉拉举行的2026年未来存储与内存大会(FMS)上,公布其最新的AI内存产品组合和技术路线,展示业界首款zHBM、zNAND-O概念产品、400层以上V10BV-NAND,以及一系列旨在推进未来AI基础设施发展的综合解决方案。
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KIOXIA GP1系列利用了第二代XL-FLASH低延迟、高性能闪存的优势。与传统的基于TLC的SSD相比,该产品不仅能提供显著更高的IOPS和更低的单次I/O功耗,还能实现更细粒度的512字节数据访问。此外,其架构具备良好的可扩展性,在实现当前1000万随机读取IOPS的基础上,未来几代产品将向最高1亿IOPS的目标迈进。
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德明利围绕服务器带宽升级、平台兼容及稳定运行需求,推出企业级TR510C/TR520C系列DDR5 RDIMM产品,满足多元算力节点部署需求。
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据媒体援引知情人士消息,长鑫科技正考虑在北京亦庄建设一座新的12英寸晶圆厂。
此次发布的标准规范,是继SK海力士去年8月与闪迪启动HBF标准化合作,并于今年2月成立联盟后,历时约6个月推出的首项成果。该规范定义了两种容量配置,分别采用8层和16层NAND芯片堆叠,最高支持512GB容量;并按三个等级(Grade 1~3)设定带宽标准,数据传输能力覆盖约0.4TB/s至3.0TB/s。
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据媒体援引业内消息,三星晶圆代工部门全力冲刺今年下半年100%产能利用率目标,目前其整体产能利用率约为70%-80%。结合当前订单积压状态与合同推进进度,公司内外普遍看好该目标顺利落地,持续许久的亏损局面有望扭转。