该战略将分阶段在龙仁投资600万亿韩元、清州投资100万亿韩元、西南地区投资400万亿韩元。

进入该厂商主页

消息称,在本次IPO的路演过程中,昆仑芯推出了一项罕见的附加条件:在遴选投资者时,将优先考虑愿意采购其芯片的机构。部分参与认购的机构被要求,需额外购买价值相当于其认购金额3-7倍的昆仑芯芯片。据悉,这并非写入招股书的公开条款,而是路演阶段的实际操作。

据韩媒报道,三星电子详细阐述了其价值2655万亿韩元的集团国内投资计划。该计划的核心是扩大全国范围内的生产基地,重点发展人工智能(AI)半导体、机器人、电池以及IT组件和材料。据悉,三星正投资2030万亿韩元用于培育半导体产业集群,其中包括平泽园区和龙仁国家工业园区,并计划在湖南、忠清和岭南地区投资625万亿韩元,重点发展人工智能半导体、机器人、电池以及IT组件和材料。

应用材料公开了面向AI半导体使用的三维(3D)芯片制造设备产品线。该系列设备主要侧重于如高带宽存储器(HBM)、芯粒(Chiplet)、混合键合(Hybrid Bonding)等先进封装工艺所需的平坦化、沉积、和计量检测等。具体来看,本次公开的设备包括用于封装领域的先进化学机械抛光 (CMP)、电化学沉积 (ECD) 和等离子体增强化学气相沉积 (PECVD) 设备等,还新增了基于电子束的工艺控制设备,并升级了其用于DRAM工艺的外延设备。

此次投资计划的一大焦点,是SK海力士拟在韩国清州新建一座NAND闪存晶圆厂。若该计划最终落地,这将是自2018年M15工厂建成以来,SK海力士在该厂区首次进行重大NAND产能扩张。

高通依托HBC架构,在低功耗云端推理、大规模AI算力部署赛道形成与传统HBM方案错位竞争的技术优势,持续完善自身AI算力生态布局。这一路径有望在特定场景下为客户提供HBM之外的高能效、低成本新选择,整体AI加速市场将呈现多元技术路线并存的格局,HBC与HBM各有适用边界,共同服务于日益增长的AI算力需求。

6 月 25 日,微软与苹果先后发布公告上调硬件定价,核心诱因是 AI 数据中心扩容带动存储芯片需求激增,叠加多重供应链因素推高元器件成本。

据韩媒inews24报道,SK海力士的赴美上市进程已进入最后冲刺阶段;与此同时,铠侠也发布了赴美发行ADR(美国存托凭证)的时间表,并计划通过拆股降低散户投资门槛。

数据显示,与现有的2纳米节点芯片相比,这款亚1纳米芯片的性能最高提升50%,能效提升高达70%,同时可将静态随机存取存储器(SRAM)的缩放比例提升40%。这一重大突破将极大满足生成式AI、云基础设施等前沿领域对高算力、低能耗的迫切需求。

高通正式发布高带宽计算(High-Bandwidth Compute,HBC)架构,将HBC加速器放置于LPDDR堆栈下方,通过TSV硅通孔技术实现LPDDR堆栈和HBC加速器互连。相较于竞品已发布产品,在卡级归一化条件下,HBC每瓦带宽相为HBM的6倍;在机架级归一化条件下,HBC每瓦容量为SRAM的200倍。采用HBC Gen 2的AI300则旨在实现进一步的阶梯式提升,相比AI200有效带宽最高可提升54倍,每瓦带宽较HBM实现7倍跃升。

受美国对华半导体出口限制约束,面向中国市场的 AI 加速器、数据中心 CPU、定制 ASIC、互联芯片四大数据中心产品线,高通均会单独调整性能参数、按合规标准重新设计,控制算力指标在监管许可阈值内,规避合规风险。

长期以来,HBM封装多采用热压键合(TCB)技术,但这种方式存在天然的物理缺陷。TCB依靠微小的凸点(bump)连接,且中间必须填充底胶(underfill),这导致热传导路径被阻断,热阻极大。相比之下,三星力推的混合铜键合(HCB)实现了铜与铜的直接接触。这种“直连”方式打通了更多的散热通道,大幅提升了热量逸出的效率。

由于生成式人工智能(AI)模型训练所需的硬件资源正面临极度短缺,OpenAI选择通过这种资本绑定的方式,确保自身能够获得稳定的算力基础设施。

据韩媒报道,三星电子近期将约7.5万片晶圆(占其每月15万片HBM DRAM晶圆投入量的一半)用于HBM4的生产,剩余一半则用于生产第五代HBM3E 12层产品。据悉,市场需求相对较低的HBM3E 8层产品的生产已暂时停止,并将产能转移至HBM4的生产。

据外媒报道,三星计划到2029年实现420层NAND闪存解决方案,到2030年实现超过560层。随后在下一个十年之初,三星计划将层数翻番,实现超过1000层的解决方案。层数翻倍会带来晶圆翘曲和层间对准误差等问题,但据悉三星计划引入Upper Chuck Design方案和Overlay Correction(叠对校正)技术解决相关问题。

简讯快报

更多