特斯拉CEO马斯克发文称,得益于人工智能辅助设计的加速,特斯拉第六代专用AI芯片AI6有望在今年12月完成流片。马斯克表示,AI5主要针对Optimus和Robotaxi中的AI边缘计算进行了优化,性能将远超其规格,但仍有巨大的提升空间。在相同的半晶圆面积和工艺节点下,单颗AI6芯片有望达到双SoC AI5的性能水平。
三星电子宣布,已与AMD签署谅解备忘录 (MOU),以扩大双方在下一代AI内存和计算技术方面的战略合作。根据该谅解备忘录,三星和AMD将在下一代AMD AI加速器、AMD Instinct MI455X GPU的主要HBM4供应以及代号为“Venice”的第六代AMD EPYC CPU的先进DRAM解决方案方面达成一致。这些技术将支持结合AMD Instinct GPU、AMD EPYC CPU和机架式架构的下一代AI系统。三星和AMD还将共同研发针对第六代AMD EPYC处理器的高性能DDR5内存。
进入该厂商主页
3月18日,阿里云官网发布AI算力、存储等产品调价公告。由于采购成本显著上涨,公司经审慎评估决定将于2026年4月18日起对AI算力、CPFS(智算版)等服务价格进行调整。其中,平头哥真武810E等算力卡产品上涨5%-34%,CPFS(智算版)上涨30%。
铠侠宣布推出一种全新类型的SSD产品“Super High IOPS SSD”,直译为“超高 IOPS SSD”。该产品可使GPU直接访问高速闪存,作为人工智能系统中高带宽内存(HBM)的扩展。这款全新超高IOPS SSD归属于KIOXIA GP系列,专为满足人工智能和高性能计算日益增长的性能需求而设计,可提供更大的GPU可访问内存容量,从而加快人工智能工作负载的数据访问速度。KIOXIA GP系列的评估样品将于2026年底前提供给部分客户。
在NVIDIA GTC 2026 大会上,三星全面展示了其在AI计算领域的技术布局,展出了从高性能内存到面向个人设备的低功耗解决方案的全系产品。三星首次展示了其下一代HBM4E内存。该产品每引脚传输速度可达16Gbps,带宽高达4.0 TB/s。此外,三星还展出了其混合铜键合(HCB)技术,这项新技术将使下一代HBM能够实现16层或更多堆叠,同时与热压键合相比降低20%以上热阻。
当地时间 2026 年 3 月 16 日 —— 英伟达在 2026 年 GTC 大会上重磅发布全栈 AI 基础设施,核心涵盖 Vera Rubin 平台、Feynman 前瞻架构、Groq 3 LPU 推理芯片三大硬件旗舰,同步推出 NemoClaw 智能体平台与 Dynamo AI 工厂操作系统,宣告 AI 正式迈入智能体与物理 AI 新纪元。
SK海力士以“聚焦AI存储器(Spotlight on AI Memory)”为主题设立展区,集中展示面向AI的存储技术与解决方案。展区分为“英伟达合作区(NVIDIA Collaboration Zone)”、“产品组合区(Product Portfolio Zone)”与“活动区(Event Zone)”,以沉浸式体验为主的展示,助力参观者能够直观理解面向AI的存储技术。
进入该厂商主页
3月19日19:00,小米将举办春季新品发布会。届时,新一代SU7、全新高性能超轻薄本Xiaomi Book Pro 14、全能运动长续航手表Xiaomi Watch S5将相继发布。
美光(Micron)近日宣布,已完成对力积电(PSMC)位于中国台湾苗栗县铜锣乡P5晶圆厂的收购交易,总金额18亿美元。该厂区将作为美光台中大型园区的战略延伸,与相距约15英里的台中厂形成垂直整合体系,从而进一步强化美光在台湾地区的产业布局。
进入该厂商主页
此次夺天下·群英会”——Mini SSD战略研讨会不仅是技术交流的盛会,更标志着Mini SSD生态的正式构建。从构建利益共享机制、推动统一标准到终端厂商的Design-in计划,生态伙伴已绘就清晰的行动路线图。
进入该厂商主页
据韩媒援引业内人士消息称,三星电子正在与英伟达合作加速开发下一代NAND闪存芯片。三星半导体研究院、 英伟达和佐治亚州理工学院的联合研究团队开发出一种“物理信息神经算子(PINO)”的模型,能以比传统方法快10,000倍以上的速度分析铁电基NAND器件的性能。该研究成果已于6日在学术界发表。基于相关研究成果,三星正与英伟达合作开发和商业化铁电NAND闪存。
3月12日晚,AI芯片企业寒武纪(688256.SH)发布2025年年度报告,公司首次实现上市以来全年盈利。年报显示,2025年公司实现营业收入64.97亿元,同比增长453.21%;归母净利润20.59亿元,成功扭亏为盈,上年同期为亏损4.52亿元。
群联旗下企业级应用品牌PASCARI博思锐已在电商平台开设店铺,首款上架产品为数据中心级SATA固态硬盘SA53P,搭载国产3D TLC NAND闪存。该产品采用标准2.5英寸外形规格,厚度7mm,拥有1DWPD的耐久等级,顺序读写速度分别可达530MB/s和500MB/s,随机读写性能分别为98K IOPS和39K IOPS,并提供5年有限保修服务。据悉,目前上架的PASCARI SA53P固态硬盘包含480GB/960GB/1920GB/3840GB四种容量版本。
3月11日,追觅科技生态企业“芯际穿越”正式发布三款全栈自研芯片,覆盖旗舰手机、高阶自动驾驶、泛机器人三大领域。手机端推出赤霄01旗舰处理器,搭载自研NPU架构,AI等效算力200 TOPS,面向高端智能手机市场。智能汽车领域推出自动驾驶舱驾一体芯片,采用2纳米先进制程,单颗AI算力高达2000 TOPS,达到行业主流高阶智驾芯片平均算力的三倍,现已进入样片测试阶段。此外,发布天穹泛机器人SoC,实现高集成度与低成本量产,将搭载于追觅全品类泛机器人产品。
美国当地时间3月10日,全球半导体制造设备龙头应用材料接连发布公告,宣布美光与SK海力士分别成为其位于硅谷的EPIC中心创始合作伙伴,共同推进下一代内存技术研发,助力AI及高性能计算产业发展。