三款产品覆盖手机终端、通用 AI 加速、车载智驾三大方向,标志着小米自研芯片业务从单一手机主芯片,向人车家全场景算力底座延伸。
HBM 的堆叠层数正不断攀升:早期为4层,当前主流12-16层,未来方向20层以上。层数越多,带宽和容量越大,但功率密度也随之急剧上升,散热难度显著增加。这已成为 HBM 进一步扩展面临的核心工程挑战。
长存控股主营业务收入来源主要为NAND Flash产品,根据产品形态分为存储芯片、智能终端产品和固态硬盘,今年一季度存储芯片营收占比为50.84%;智能终端营收占比为35.53%;固态硬盘营收占比为10.05%。
进入该厂商主页
据韩媒报道,尽管AI驱动的内存需求加剧了DRAM的供应短缺,但预计三星电子今年下半年的增产速度将低于市场预期。这主要是因为三星电子优先考虑从10nm第五代(1b)工艺向10nm第六代(1c)工艺的过渡,更加注重提高良率而非扩大产量。
闪迪发布了专为现代网络附加存储 (NAS) 环境打造的NAS高耐久性SSD产品组合,包括SANDISK NAS 600 SATA SSD和SANDISK NAS 800 NVMe SSD。该产品专为多用户或要求苛刻的创意专业工作负载而设计,旨在提供严苛的NAS工作负载所需的可靠、稳定的性能、高耐久性和可扩展性。
进入该厂商主页
创见宣布推出全系列DDR5-7200工业级内存模组,凭借极速传输、稳定运作与多元规格配置,满足新一代运算平台对效能与资料处理能力的更高需求。产品线涵盖CUDIMM、CSODIMM、ECC CUDIMM、ECC CSODIMM及RDIMM,应用范围从AI PC、桌面电脑与工业嵌入式系统,延伸至工作站、服务器及数据中心。
进入该厂商主页
据台媒报道,FADU商务长金泰均(Tony Kim)近日表示,存储短缺情况至2027年仍难明显改善,主因新增产能从投资、建厂到量产需要时间。FADU产品布局已由PCIe Gen5延伸至Gen6、Gen7。据悉,Gen6控制器今年上半年完成chip out,预计下半年起出货;Gen7设定传输效能目标达每秒57GB,针对数据处理需求重新设计架构,目前正与客户讨论规格,预计2028年开始送样验证。
据媒体报道,Primemas将于今年下半年与美光科技合作开始量产JBOM(just a bunch of memory)。该系统将多张CXL存储卡组合成一个更大的共享存储池。公司计划在明年年底前通过Compute Express Link (CXL) 内存解决方案创造2亿美元的收入,该解决方案可在单个服务器上支持超过100TB的内存。
从HBM4开始,先进逻辑工艺将被应用于基础芯片(Base Die),存储器和系统半导体之间的界限正变得越来越模糊。这意味着AI加速器与HBM的协同优化变得至关重要——与其分别开发AI芯片和HBM再进行整合,不如从产品设计的早期阶段就对二者进行联合优化。
据韩媒报道,三星电子计划将其京畿道平泽半导体基地的核心设施——P5 1号和2号工厂,从现有的"双层晶圆厂"结构升级为"三层晶圆厂"结构。旨在顺应全球AI半导体和存储器"超级周期",最大化产能。
与N2P相比,A16在相同功耗下可提升8%–10%的计算速度,芯片集成密度也提高了8%至10%。在相同速度下,其功耗可降低15%–20%。因此,A16被认为是一种适用于AI加速器和高性能计算等需要复杂信号布线和高功率的半导体的工艺。
预计 Marvell 将为 谷歌的 TPU 提供详细的芯片设计和生产管理支持,并提供一系列与 TPU 生态系统相关的定制半导体产品。具体而言,谷歌 和 Marvell 计划开发各种定制半导体,包括 AI 推理加速器、存储控制器、网络接口控制器、内存接口控制器和近内存计算解决方案。
据韩媒报道,忠清南道于19日宣布,已完成城市规划委员会对三星电子在牙山温阳园区扩建半导体制造厂的必要审议。该扩建项目投资额达6万亿韩元,是在温阳园区内占地 389,825 平方米 (㎡) 的地块上建造一座新工厂,以扩大高性能AI半导体(如HBM)的生产。三星电子计划下个月开始建设新工厂,竣工日期尚未公布。
SK海力士正引领面向AI的存储器市场,业绩连续创下历史新高。截至今年第二季度末,净现金约为69万亿韩元,现金创造能力大幅改善。
进入该厂商主页