产品结构上,上半年 DDR 系列营收 694.7 亿元,营收占比由 2025 年 31.87% 提升至 46.22%;LPDDR 系列营收 781.9 亿元,占总营收 52%。其自研 LPDDR6 峰值速率 12800Mbps,最高容量 16GB,目前已向核心客户送样验证,推进量产。

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由于供应正转向以需求为导向的定制化模式,即便下行周期到来,也不会像过去那样出现严重的供过于求问题。郭鲁正表示:"即便下行期到来,需求也不会急剧萎缩,而是趋于放缓或维持在计划水平。因此,我对2030年之后的前景并不担忧。"

在HBC的制造环节,高通仅负责设计和系统集成,开发位于DRAM芯片下方的计算裸片,并提供TSV设计方案。三星电子和SK海力士则负责DRAM的堆叠工作。高通计划与台积电合作,完成各项技术的集成与封装。

总投资额将超过40亿美元的印第安纳晶圆厂,预计于2028年10月完成无尘室 (Cleanroom)建设,并于2029年下半年启动新一代HBM量产。未来随着生产全面步入正轨,该基地有望发展成为拥有1000余名员工的美国核心HBM生产基地。

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此外,铠侠宣布,已正式启动位于日本岩手县北上工厂的全新现代化制造工厂Fab3的场地准备及相关建设工作,旨在扩大先进3D NAND BiCS FLASH™的产能。Fab3将建于Fab2南侧,预计将于2029财年投入运营。

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订单经双方书面确认起生效,交付期限为订单生效后 18 周内。订单还就产品名称、产品数量、单价、付款条件等内容进行约定。

据日媒报道,因AI普及,带动存储需求激增,为加快高性能产品的增产投资,铠侠将在岩手县兴建NAND Flash新厂房,预估投资额将超过1兆日圆(约合62.78亿美元)。铠侠高层将在27日访问日本首相官邸,宣布新厂兴建计划。

在兼容性方面,LPDDR5X-PIM采用与现有LPDDR5X相同的封装和内存控制方式,无需额外的内存控制器即可直接应用于现有系统。通过按照JEDEC制定的封装标准开发产品,使用现有LPDDR5的用户可以轻松切换到LPDDR5X-PIM。

在2048引脚配置下,14Gbps版本单堆叠最大带宽可达3.6TB/s;当速率提升至16Gbps时,单堆叠最大带宽将跃升至4TB/s。

按季度看,联芸科技第二季度营收4.988亿元,同比增长35.31%,环比增长40.41%;归母净利润5.107亿元,同比增长531.03%,环比大增56.6倍;扣非净利润5045万元,同比减少26.92%,环比增长730.94%。

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作为构建自有AI基础设施战略的一部分,OpenAI计划从今年年底起小规模部署该芯片用于驱动AI模型。

由于初步协议被否决,劳资双方预计将立即进入重新谈判阶段。预计具体的调整将集中在关键争议点上,例如计入绩效奖金的库存股比例以及股票拆分出售的条件。

2026年上半年,佰维存储嵌入式存储营收102.84亿元,占整体存储产品营收的76.5%;工业级存储营收2.92亿元,占比为2.2%,消费级存储营收28.75亿元,占比为21.38%。

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截至报告期末,大普微存货金额为30.07亿元,占总资产比例为39.85%,较2025年年末增长107.8%。

三款产品覆盖手机终端、通用 AI 加速、车载智驾三大方向,标志着小米自研芯片业务从单一手机主芯片,向人车家全场景算力底座延伸。

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