SK海力士DRAM中长期扩产计划曝光

存储器 CFM闪存市场 Andy 2026-06-05 15:09

据韩媒报道,SK海力士已向主要合作企业分享了其在2030年至2031年间将DRAM晶圆产能扩大至目前两倍水平的中长期扩产计划。

值得注意的是,这一计划的筹备时间早于英伟达CEO黄仁勋在COMPUTEX展会现场写下“请多生产(Please make more)”的举动。报道称,约两个月前,SK海力士的采购部门及龙仁半导体集群负责人已开始向核心供应商通报这项基于晶圆投入量的产能扩张规划。

该计划的核心目标是:将目前每月约55万张(包含中国无锡工厂约20万张产量)的DRAM月产能,提升至2030年的100万张左右。此次扩产将高度集中于龙仁半导体集群。


来源:公开信息,CFM闪存市场整理

根据规划,SK海力士将龙仁一期晶圆厂划分为6个洁净室,首个洁净室(Phase 1)的设备搬入时间已从原定的2027年5月提前至2月。在完成设备调试并新增6万张产能后,剩余产能将在随后的3年内逐步释放,共计增产36万张。按此推算,仅龙仁一期晶圆厂就能在2030年上半年新增每月36万张的DRAM产能。

与此同时,目前正在扩建的清州M15X晶圆厂也将贡献增量。该厂预计将于今年下半年以每月4万张的规模启动运营,并在明年达到约8万张的产能。结合龙仁集群新增的36万张与M15X新增的8万张,到2030至2031年左右,SK海力士的DRAM月产能有望触及100万张大关。

从现有规划来看,SK海力士新增产能均聚焦于DRAM领域;至于NAND闪存,未来将主要通过技术升级(如增加层数)来推进。

SK集团会长崔泰源在COMPUTEX 2026现场明确表示:“将全速推进,在5年内将整体晶圆产能扩大一倍。”业内认为,这番表态与上述内部扩产计划高度契合。

针对外界对内存价格波动的担忧,崔泰源在现场也强调:“价格的突然飙升可能会损害整个产业的可持续性。为了生态系统的长远发展,稳定性至关重要。”这番言论进一步彰显了SK集团不被短期价格涨跌所左右、坚定推进长期扩产战略的决心。

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