投资515亿美元!SK海力士新建NAND闪存工厂,2029 年上半年投产

厂商动态 网络 Andy 2026-07-02 11:16

近日,SK海力士总裁兼首席执行官郭鲁正宣布,该司将加大在韩国忠清地区的投资,以进一步提升韩国未来的产业竞争力。

产能扩张迫在眉睫,清州成NAND闪存最优选址

郭鲁正表示:“当前的供应短缺加上激增的需求,使得扩大产能变得至关重要。”他指出,清州是快速、高效扩建NAND闪存晶圆厂的最优地点。

随着AI服务的加速普及,除了HBM和服务器DRAM外,企业级固态硬盘(eSSD)和NAND闪存的需求正迅速增长。同时,代理式AI(Agentic AI)和具身AI(Physical AI)的兴起,预计将进一步扩大NAND产品的应用场景与市场需求。

郭鲁正强调,NAND需求的持续攀升已导致供应接连出现短缺,扩大产能势在必行。半导体制造设施的建设对大规模用地、可靠的基础设施(如水电供应)以及时间节点要求极高。清州不仅具备与现有工厂协同高效生产的优势,且土地、电力及水利等基础设施均已准备就绪,可立即启动建设。

100万亿韩元投资落地:M17晶圆厂与P&T7封装设施并行

为将清州重新确立为驱动韩国存储半导体产业竞争力的核心枢纽,SK海力士计划在清州总投资100万亿韩元(约合643亿美元)。

具体规划如下:

投资约80万亿韩元(约合515亿美元)用于建设全新的NAND闪存制造工厂(M17),计划2027年动工,目标在2029年上半年正式投产。

投资20万亿韩元用于建设P&T7先进封装设施及其他配套项目,预计将于2027年底完工。

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