SK海力士已向主要客户送样12层HBM4E,引脚速率最高可达16Gbps

厂商动态 SK海力士 SK海力士 2026-06-18 07:43

SK海力士18日宣布,已向主要客户供应12层HBM4E样品,该产品是面向人工智能(AI)的下一代超高性能DRAM。

SK海力士表示:“凭借长期以来积累的HBM先导开发能力和量产经验,公司成功向客户提供12层HBM4E样品。我们将与主要客户紧密协作,致力于确保按时量产。”

此次新产品较上一代HBM4,性能和能效均取得了跨越式升级。其引脚速率最高可达16Gbps,并将能效提高20%以上,显著提升了AI训练和推理所必需的数据处理能力。

此外,HBM4E通过新一代接口和设计优化,有效降低了数据传输延迟,即使在高带宽环境下也能保持稳定运行。SK海力士预计,这将能进一步提升下一代AI数据中心和大规模计算系统的处理效率。

SK海力士在HBM4E产品采用了先进(Advanced)MR-MUF*工艺,通过12层堆叠实现48GB容量的同时,进一步提高了结构稳定性。与HBM4相比,其热阻降低了约17%,确保了在高性能计算环境中的稳定运行。

*批量回流模制底部填充(MR-MUF,Mass Reflow Molded Underfill):在堆叠半导体芯片后,为了保护芯片间的电路,在其中填充液体保护材料,并使其固化。

SK海力士凭借在HBM3、HBM3E和HBM4上积累的量产和供应经验,始终能够适时提供 符合客户需求的存储器解决方案。SK海力士将继续依托经市场认可的品质和供应能力,针对HBM4E产品也继续与客户携手解决AI系统瓶颈问题,全力支持下一代基础设施的构建。

SK海力士开发总管(CDO, Chief Development Officer)安炫社长表示:“我们将把迄今为止所积累的业界领先技术竞争力和量产能力延续至HBM4E产品,夯实持续引领AI创新的基础。公司将通过与合作伙伴的紧密协作,以前瞻性布局实现市场所需价值,进一步巩固作为‘全方位面向AI的存储器创造者’的技术领导地位。”

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