美光在其最新业绩会议上透露，其从力积电手中收购的苗栗铜锣一厂预计将于 2027 年中开始贡献有意义的 DRAM 出货，较此前预期提前 1 个季度。而在洁净室约 28000m² 的铜锣一厂旁边，洁净室面积约 25000m² 的美光铜锣二厂也已启动建设。这座新晶圆厂将支持 EUV 光刻图案化设备，面向 1γ、1δ 乃至此后的先进 DRAM 制程工艺。

随着AI大模型参数量的不断膨胀，业界对HBM（高带宽内存）的堆叠层数需求正逼近物理极限。然而，芯片越堆越高，随之而来的“积热”问题便成了制约性能释放的最大瓶颈。近日，三星电子用一项重磅研究给出了破局方案：其研究团队首次通过量化数据证实，在下一代HBM封装中采用的混合铜键合（HCB）技术，在热管理上全面优于传统的热压接合（TCB）。

美光预计DRAM和NAND的供需状况将在2027年以后继续保持紧张。受限于新建晶圆厂漫长的建设周期、关键技工短缺、复杂的法规审批以及HBM对常规产能的持续挤压，行业供应紧张的局面预计将持续至2027年之后，直到2028年才会逐步改善。

美光2026财年第三财季（截至2026年5月28日）实现营收414.56亿美元，同比大增346%，环比大增74%；Non-GAAP下，营业利润336.81亿美元，同比暴增12.5倍，环比增长105%；净利润288.57亿美元，同比暴增12.2倍，环比增长106%。调整后每股收益（EPS）达25.11美元，远超分析师预期的20.49美元；调整后毛利率达84.9%。

长电科技公告称，拟通过设立控股子公司，在上海临港新片区建设高端先进封测工厂，项目总投资78亿元，注册资本预计40亿元。项目分两期建设，其中一期涵盖厂房建设、装修及设备投资等，计划于2028年下半年完成。

美光科技与Anthropic宣布建立长期战略合作，内容覆盖AI内存与存储架构设计、多年期产品供应、Claude在美光内部的企业级应用，以及美光对AnthropicH轮融资的战略投资。

三星电子今天推出业内速度最快的通用闪存存储 (UFS) 5.0 解决方案。该方案实现了业界最高的10.8GB/s带宽，顺序读取速度高达10.8 GB/s，顺序写入速度高达9.5 GB/s，顺序读写速度较上一代UFS 4.1标准快两倍以上。三星UFS 5.0方案显著提升了移动内存的存储和处理速度，同时提高了能效并缩小了封装尺寸，可提供更佳的设备端AI体验。三星将于今年第四季度开始量产UFS 5.0，容量最高可达1TB。

英韧科技联合辅导券商国泰海通，已于近日正式向上海证监局提交《辅导工作完成报告》。这标志着英韧科技历时一年半的上市辅导流程全部收官，即将向交易所递交正式上市申请。

据外媒报道，三星电子平泽P5 Fab 2工地近日已新部署了多台打桩机。行业人士表示，施工设备陆续进场，意味着P5 Fab 2的实质性施工即将开始，下个月左右破土动工的可能性很大。随着AI基础设施投资浪潮带动存储芯片订单激增，三星已将资本投资的时间表较原计划提前了约六个月。P5 Fab 2是三星电子平泽园区内将建设的第六座工厂，也是平泽园区的最后一条半导体生产线。基于300mm晶圆计算，预计其月产能可达20万至30万片，目标是在2029年实现首次投产。该厂将涵盖从HBM到下一代DRAM、NAND闪存和先进制程代工（合同制造）产线在内的全部产品。

SK海力士18日宣布，已向主要客户供应12层HBM4E样品，该产品是面向人工智能（AI）的下一代超高性能DRAM。此次新产品较上一代HBM4，性能和能效均取得了跨越式升级。其引脚速率最高可达16Gbps，并将能效提高20%以上，显著提升了AI训练和推理所必需的数据处理能力。

据韩媒THE ELEC援引业内人士消息称，ENF Technology已实现半导体制造过程中使用的氢氟酸的本地化生产，并于本月初完成产品质量认证，向SK海力士交付了首批半导体级氢氟酸（HF）。目前，该公司正在通过将其应用于生产流程来验证其稳定性。经过一到两周的初期运行后，从本月底开始，供应量将扩大到包括DRAM在内的主要生产线。

据韩媒THE ELEC报道，济州半导体副总裁黄柱元近日会见记者时表示，公司将在SK海力士的晶圆厂生产LPDDR5，作为LPDDR4X的后续产品。LPDDR5量产目标时间为2030年，具体规模尚未最终确定。据报道，济州半导体已与SK海力士签署合同，将在未来几年使用其工厂，生产基地据推测位于中国无锡。

铠侠今日在官网宣布其EXCERIA G3 SSD系列推出4TB型号，丰富了PCIe 5.0 产品线的容量选择，预计将于2026年7月上旬开始发售。此次新增的4TB型号采用基于其第八代BiCS FLASH™ 3D闪存技术的QLC存储器构建，为需要在AI应用和游戏主机环境中配备入门级SSD的用户提供了更多选择。EXCERIA G3 SSD系列的顺序读取速度高达10,000MB/s，顺序写入速度高达9,600MB/s。

证监会同意长鑫科技集团股份有限公司首次公开发行股票并在科创板上市的注册申请。招股书显示，长鑫科技此次 IPO 拟募资 295 亿元，用于存储器晶圆制造量产线技术升级改造项目、DRAM 存储器技术升级项目、动态随机存取存储器前瞻技术研究与开发项目等项目。

据韩媒inews24援引业内人士消息称，考虑到HBM4E计划于明年量产，客户验证和优化工作必须在今年下半年进行，因此样品供应指日可待。据透露，SK海力士正准备向主要客户提供HBM4E样品，最早可能在本月开始发货，最迟下个月也将开始。

在近期的交易日中，铠侠市值曾一度突破 45万亿日元，短暂超越丰田并跃居日本第二。随着股价继续攀升，截至6月12日收盘，铠侠已成功登顶日本企业市值榜首。

据韩媒朝鲜日报援引SK海力士和消防部门12日消息，当天上午9点55分（当地时间）左右，位于忠清北道清州市兴德区SK海力士清州园区4号楼M15X二楼发生火灾。火灾发生后，M15和M15X的员工立即疏散到室外。据报道，该公司消防队在初期就扑灭了火灾。清州市发布了灾害警报，建议附近居民避开该区域，车辆绕行，因为担心可能发生氟化物泄漏。消防部门目前正在现场核实是否真的发生了气体泄漏。SK海力士方面表示，已完成初步控制，正调查具体情况，生产设备运行正常。本月1日，SK海力士清州4号园区也曾发生火灾。

据外媒报道，谷歌正在开发第十代TPU，代号为“Icefish”，预计最早于2028年投入量产。此前，谷歌的TPU大部分由台积电生产。然而，谷歌计划在第十代TPU中采用台积电的1.4nm工艺生产核心运算芯片，并采用三星的2nm工艺制造其内存I/O Die。此举被解读为，在台积电因AI需求导致产能接近饱和的情况下，谷歌寻求供应链多元化的一种策略。

据韩媒报道，韩国半导体设备公司Pemtron今日宣布，近期已从美光科技获得一份新订单，为其提供用于AI服务器的SOCAMM2存储模块的检测设备。 此外，Pemtron还将向中国半导体企业供应半导体封装检测设备。 Pemtron表示，最近这笔订单是在经过全球顶级客户严格的大规模生产线评估后下的，公司已经证明了其检测设备的可靠性和大规模生产的稳定性。

佰维存储发布公告称，已与某存储原厂签订日常经营性采购合同，佰维存储同意按合同约定的数量、价格及时间向该供应商采购企业级闪存颗粒，合同总承诺采购金额为 18.6080 亿美元，锁量锁价，承诺采购期总计 24 个月。根据协议约定，本协议同时适用于协议双方及其各自控制下的子公司。合同履行期限为自生效日起至 2028 年 6 月 30 日。公告称，2026 年采购量占 2025 年公司NANDFLASH采购总量的 4.45%，占比较小；2027 年采购量占 2025 年公司NANDFLASH采购总量的 14.88%，占比较小。公司签订合同提前锁定未来24 个月的部分基础用量，与公司业务规模及业务规划匹配，风险整体可控。

据外媒报道，闪迪新款4TB/8TB SDUC及MicroSDUC存储卡通过SD协会海报在2026台北电脑展亮相。据悉，产品将于近期正式发布，包括容量分别为4TB和8TB的microSD卡和SD卡，并分为Ultra和Extreme系列。因SDUC标准不兼容现有读卡器，用户需更换全新的读卡器。

据韩媒报道，三星正在启动人工智能转型 (AX)，将AI引入其所有子公司的整体运营和包括研发、生产、采购、物流、营销、销售、服务和管理支持的所有业务流程中。该计划旨在将人工智能融入半导体、智能手机、金融、生物技术和建筑等主要业务，并通过提高从高管团队到普通员工的人工智能利用能力，彻底改变组织的运作方式。所有分支机构都将设立专门的人工智能部门，负责制定人工智能转型战略、管理数据、运营人工智能模型以及培养人工智能人才。此外，三星计划在本月正式向所有加盟商引入ChatGPT、Gemini 和 Claude等外部生成式人工智能服务，并计划在年底前完成所有员工的人工智能培训。

三星电子副会长兼DS事业部负责人全英贤会见了英伟达首席执行官黄仁勋，探讨了如何扩大在下一代高带宽内存（HBM）和代工服务领域的合作。双方还就中长期合作计划交换了意见，包括HBM4的供应，以及HBM4E、HBM5和下一代半导体的联合开发。全英贤表示，短期内，今年稳定供应HBM4和SOCAMM非常重要，双方就从明年开始供应HBM4E和HBM5等长期合作进行了深入讨论。他指出，正在与英伟达合作生产自动驾驶芯片和英伟达Groq LPU芯片，采用4nm和8nm工艺，并表示双方也探讨了下一代产品的合作。

据韩媒inews24报道，韩美半导体宣布已与SK海力士签署价值442亿韩元的供货合同，为其HBM4芯片制造提供“TC Bonder 4.5 Griffin”。合同期限从即日起至9月2日。TC键合机是HBM制造工艺中的核心设备，它利用热力和压力将多个DRAM芯片垂直堆叠在一起，决定了堆叠精度和良率，被认为是HBM生产竞争力的关键因素。鉴于单台设备售价约为30亿韩元，业内人士估计SK海力士将引进约15台。据悉，该设备极有可能部署在清州M15X工厂。

据韩媒援引业内人士消息称，得益于先进2nm工艺和HBM芯片产量的提升，三星电子晶圆代工业务部门在良率提升和大宗订单的推动下，有望将扭亏为盈的目标时间从原定的今年年底或明年提前至今年第三季度。这标志着该部门在经历了自2022年开始的数万亿韩元亏损后，时隔约四年实现盈利。

英伟达和SK海力士宣布达成一项多年技术合作协议，旨在推进下一代内存技术的发展，助力全球人工智能工厂的建设，并加速半导体设计和制造。随着AI工厂在全球范围内规模化发展，这项战略合作将确保内存供应能够与英伟达的基础设施路线图以及全球人工智能基础设施的持续建设保持同步。通过此次合作，SK海力士将拓展至英伟达正在创建的新市场——涵盖AI基础设施、个人AI和物理AI——共同开发用于英伟达Vera Rubin AI超级计算机、英伟达Vera CPU、英伟达RTX Spark PC和英伟达Jetson Thor机器人计算平台的内存。

江波龙发布车规级 UFS 4.1 存储产品，搭载自研 5nm 制程工艺 WM7400 主控，顺序读取速度可达 4200MB/s，顺序写入速度可达 4000MB/s；4KB 随机读写性能分别达到 630K IOPS 和 750K IOPS。采用 11.5×13×1.2mm 标准封装尺寸，并提供 128GB 至 512GB 容量选择。

华邦电子5月份合并营收新台币200.01亿元，较上个月增加3.93%，较去年同期增加181.97%。累计1-5月合并营收为新台币775亿元，较去年同期增加128.58%。