华邦电子5月份合并营收新台币200.01亿元，较上个月增加3.93%，较去年同期增加181.97%。累计1-5月合并营收为新台币775亿元，较去年同期增加128.58%。

据安世中国消息，闻泰科技针对安世荷兰的不当干预，正式在中国启动法律程序，案件已被司法机关受理。据安世中国介绍，闻泰科技已向广东省东莞市中级人民法院起诉安世荷兰，法院已立案。

群联在Computex 2026上，展示了其首款PCIe 6.0 SSD主控方案“PS5303-X3”，最大容量支持2PB。根据展示，PS5303-X3顺序读写速度均可达28000MB/s，随机读写均可达680万IOPS，相较于PCIe 5.0方案都翻了一番。群联的X3 SSD原型设计包括E3.S、E1.S两种接口。据悉，该方案目前已经基本完成，预计12月份给客户送样，明年中量产出货。

群联电子5月单月和累计合并营收均创历史新高。数据显示，群联电子5月合并营收为新台币228.28亿元，环比增长13%，同比增长300%；1-5月累计营收为新台币840.02亿元，同比增长229%。潘健成表示，随着AI推理应用快速普及，整体NAND存储需求依然十分强劲，目前市场并未看到需求降温的迹象，而NAND供给端仍维持相对保守，市场供需持续维持紧俏状态。

华天科技在互动平台表示，其主营业务为集成电路封装测试，拥有FC、TSV等先进封装技术。目前，公司持续扩大包括存储芯片在内各个领域的封测能力。

南亚科技2026年5月份自结合并营收为新台币276.7亿元，较上月增加8.55%，较去年同期增加730.14%。累计1-5月营收新台币1,022.48亿元，较去年同期增加649.62%。

铠侠第十代BiCS FLASH闪存采用332层堆叠的1Tb TLC设计，样品将于今夏交付，量产爬坡随后启动。相比业界部分竞争对手追求的400层以上方案，铠侠测算其332层设计在每GB成本上低约10%，功耗效率优化约10%，单元可靠性高出约35%。

江波龙于COMPUTEX 2026重点推出两款为端侧AI推理打造的专用内存产品，精准匹配AI模型在各类场景下的部署需求。

AIDIMM™：单条稳定承载70B+端侧AI大模型

AIDIMM™凭借最高128GB容量、256bit位宽、307.2GB/s单通道超高带宽及紧凑体积，有效解决当前智能体主机普遍存在的内存容量不足、算力任务卡顿、散热困难、升级不便等核心难题。该产品采用4颗LPDDR5x同面布局设计，布线简洁，搭载的高速率、高密度、高针脚数连接器可适配主流智能体主机的主板架构，无需对现有硬件进行大幅改造，从而降低客户硬件升级成本。

AILPBGA™：兼容LPDDR接口的高带宽内存芯片

AILPBGA™聚焦对紧凑体积有要求的嵌入式AI推理场景，同时具备“高效益、高适配、低功耗”的核心优势。产品采用自研技术标准与创新架构，单颗原生256bit位宽设计，带宽可达307GB/s，容量覆盖24GB~64GB，全面适配LPDDR接口；同时采用22×22mm的紧凑封装设计，体积小巧、集成度高，可灵活适配AI推理、中轻量模型部署等紧凑型终端。

群联执行长潘健成近日在采访中表示，随着AI数据中心持续出货、AI PC逐步落地，数据生成量将大幅增加，存储需求将持续扩大。目前产业最大问题已不是需求，而是供给远追不上Token和数据量成长。他指出，虽然各大原厂都在增加产能，希望每个月都有新产出，但新增产能仍远无法满足Token 需求成长，预计明年存储缺货情况将比今年更严重。

铠侠计划在2026至2028财年年均研发投入2300亿日元（约合14.4亿美元），年均资本开支4700亿日元（约合29.4亿美元）。此外，铠侠考虑从下一个财年开始发放股息，也可能更早启动。

据韩媒援引业内人士消息，三星电子的晶圆代工部门正在与包括比亚迪在内的中国主要汽车制造商洽谈自动驾驶系统芯片（SoC）合同。据悉，三星电子正与比亚迪和其他主要汽车制造商就2纳米和4纳米工艺的订单进行洽谈。如果交易最终达成，除了现有客户蔚来汽车（已采用三星5纳米工艺生产自动驾驶芯片）之外，更多中国大型汽车制造商也将加入三星的客户行列。

据韩媒报道，三星电子在2026年台北国际电脑展（Computex 2026）上首次公开了其第八代高带宽内存（HBM5）的实体模型。三星电子首席技术官宋载赫表示，HBM4和HBM5之间最大的区别在于核心芯片的工艺。HBM4应用了最先进的1c DRAM，并通过重新设计和完善工艺不断提升性能、良率和质量。而对于HBM5，三星正准备引入先进的2nm工艺来优化基础芯片。从展出的模型来看，HBM5与前代产品HBM4E最大的区别在于采用了HPB结构。HPB是一种旨在解决散热问题的技术，其结构本身就像一个物理通道，可以将热量排出到外部。

群联在COMPUTEX 2026宣布与Intel合作，将Pascari aiDAPTIV内存延伸技术导入Intel AI PC平台，突破传统PC受限于DRAM容量的瓶颈，让AI PC可在地端执行更大型MoE模型及代理式AI应用。群联表示，aiDAPTIV透过高效能NAND Flash与DRAM协同运作，建立新型AI记忆体架构，降低大型模型对系统存储容量的需求。根据内部测试，搭载aiDAPTIV的系统仅需16GB DRAM，即可执行260亿（26B）参数AI模型；若未采用该技术，则需32GB DRAM才能完成相同工作负载。

韩国当地时间6月1日上午，SK海力士韩国清州第四园区发生气体室火灾，并伴随有毒气体氟化氢（HF）泄漏。现场泄漏浓度约为5ppm，超出安全标准。事故造成至少7人送医治疗，厂区约3600名员工一度被紧急疏散。SK海力士官方回应称，火势已被自动喷淋系统迅速控制，工厂的生产设备运行未受影响，不会使生产中断；目前SK海力士正在调查事故发生的确切原因。

联芸科技在接受机构调研时表示，其自主研发的首款UFS3.1嵌入式主控芯片已成功导入国内核心客户，在多家国内主流终端手机厂商测试顺利，将于2026年起正式贡献量产营收，正积极导入更多终端手机厂商。

德明利宣布推出其首款基于 QLC NAND 的 UFS。该产品基于成熟的 UFS 2.2 标准，采用慧荣主控方案，支持 LDPC 纠错，具备动态写入策略与缓存机制、温度管理与动态调控机制，同时其还具备智能化的数据迁移与坏块管理，可实现比肩同类 TLC 的性能。

Sandisk首席技术官(CTO)兼执行副总裁Alper Ilkbahar日前接受媒体访问时称，全球AI竞赛正变得越来越以存储为中心，而非算力，该趋势或加剧全球史无前例的存储芯片供应紧张局面。他还透露了HBF的进展，表示目前正在设计晶片，HBF晶片将于今年底提供样品，配备控制器的完整产品预计明年推出。

慧荣科技发布全新的SM2524XT固态硬盘主控芯片。这是一款基于PCIe 5.0接口的DRAM-less主控，主要针对AI推理以及KV Cache密集型工作负载进行了优化。SM2524XT基于台积电6nm制程工艺，采用四核处理器架构，支持PCIe 5.0 x4通道以及高达4800 MT/s的NAND闪存接口速度。据官方数据显示，其顺序读取速度可达14 GB/s，随机读写性能最高可达250万 IOPS。

据朝鲜日报援引业内人士透露，SK海力士近期收到了来自Alphabet、微软和Meta的内存半导体工厂投资支持提案，承诺提供数万亿韩元（约百亿美元）的资金支持，用于建设晶圆厂和购买EUV光刻设备。然而，据称管理层并未认真考虑这一方案。如果由特定的大型科技公司出资建厂，将会形成包含独家供货义务的合同结构。据悉，SK海力士婉拒了这些提议，同时将其作为长期供货合同的筹码。业内人士解读，这意味着SK海力士将要求更高的预付款、五年或更长时间的超长期合同以及价格下限保障条款。该策略旨在将大型科技公司带来的资金转化为更有利的合同条款，而不是转化为工厂股权。

据外媒报道，三星电子计划投资约15亿美元在越南建设半导体测试工厂。据悉，该工厂生产通用芯片，计划年产能为1533亿GB DRAM和2556亿GB NAND闪存。目前工厂已开始建设，预计将于明年11月开始运营。

Solidigm（思得）宣布任命郭炘和 Richard Chin为两位新任联席CEO。郭炘已于今年三月履职，将主导 Solidigm在技术和工程领域的全球业务战略制定和执行，打造引领市场的创新产品。Chin 于 5 月 1 日就任，他将围绕提升公司业绩、拓展核心能力、优化业务流程和推动业务拓展等方向展开工作。

三星半导体官网正式发布首款PCIe Gen6企业级固态硬盘PM1763。该产品性能较上一代产品提升高达2倍，能效提升高达1.8倍，其顺序读取速度高达28,400MB/s，写入速度高达21,000MB/s。PM1763支持E1.S、E3.S和U.2三种外形尺寸，U.2版本限Gen5容量范围从4TB到64TB，符合NVMe 2.1、OCP 2.6标准。

长鑫科技科创板IPO获上市委会议通过。

日月光宣布已开发出业界首个 310mm × 310mm 面板级封装 (PLP) 自动化产线，预计将于 2027 年上半年投入量产。随着 AI 加速器和 HPC 组件的复杂度与日俱增，面板级封装已成为实现超大规模系统级封装 (SiP) 架构的关键创新。相较传统的晶圆级封装 (WLP)，使用矩形面板的 PLP 工艺可大幅提升载体的可用面积和单次加工面积，进而改善吞吐量和材料利用率。

长鑫科技科创板IPO今日上会。此次IPO拟募资295亿元，用于存储器晶圆制造量产线技术升级改造项目、DRAM存储器技术升级项目、动态随机存取存储器前瞻技术研究与开发项目等项目。

SK 海力士今日股价一度上涨超11%，成为亚洲第三家市值突破 1 万亿美元的企业；三星电子本月稍早晋升 1 万亿美元俱乐部。

SK海力士26日宣布发布“iHBM”技术。该技术通过在HBM封装内集成一体化冷却元件“ICE*”，显著降低产品运行时的发热量。iHBM技术的特点在于从结构层面根本性解决上述散热难题。传统HBM依赖热量经由核心芯片（Core Die）向外传导的间接散热方式。iHBM的核心在于，直接在热量最为集中的D2D PHY区域内嵌入热控元件（ICE），构建专用热量排出通道（Heat Path）。相较传统方案，热阻（Thermal Resistance）降低30%以上，同时确保产品在高温、高负载环境下的稳定运行特性。

据报道援引业内人士消息称，铠侠计划明年开始量产第十代（BiCS 10）NAND闪存。据悉，BiCS 10的存储堆叠层数可以达到332层，与上一代（218层）相比，单位面积存储容量提升了59%，数据传输速度提升了33%，从而带来更大的存储空间以及速度，主要用于超大容量SSD的制造，且大概率还将针对AI市场对闪存进行特别的优化。