长鑫科技发布 2026 年半年度报告。2026 年上半年，公司实现营业收入 1503.1 亿元，同比增长 873.64%；归属于上市公司股东的净利润 776.05 亿元，上年同期亏损 23.32 亿元，实现扭亏为盈；扣非净利润 787.93 亿元，上年同期亏损 23.87 亿元，同样扭亏。截至报告期末，公司主营业务毛利率达 84.84%。

分季度来看，长鑫科技第二季度营收约 995 亿元，环比增长约 95.8%；归母净利润 528.43 亿元，环比增长113%；扣非净利润 524.5 亿元，环比增长99.13%。

闪迪发布了专为现代网络附加存储 (NAS) 环境打造的NAS 高耐久性SSD产品组合，包括SANDISK NAS 600 SATA SSD和SANDISK NAS 800 NVMe SSD。该产品专为多用户或要求苛刻的创意专业工作负载而设计，旨在提供严苛的NAS工作负载所需的可靠、稳定的性能、高耐久性和可扩展性。其中，SANDISK NAS 600 SATA SSD专为创意专业人士和小型企业优化，提供500GB至4TB的容量选择；SANDISK NAS 800 NVMe SSD专为部署全闪存和混合型NAS以运行高要求或业务关键型工作负载而设计，采用TLC 3D NAND，选择容量范围从960GB到7.68TB。

据媒体报道，闪迪在投资者日公布长期财务模型，预计在2028财年至2030财年期间，公司营收将保持15%-19%增长，增速与比特出货量增长相匹配。同时，非GAAP口径下，毛利率预计维持在约80%，营业利润率约为75%。此外，闪迪表示公司将根据盈利优化需要调整可供销售的bit量，并承诺在完成业务投资后，将把100%的剩余现金返还股东。

8月10日晚，江波龙发布2026年半年度报告。2026年第二季度，公司实现营业收入141.80亿元，环比增长43.1%，同比增长138.7%；归属于上市公司股东的净利润67.15亿元，环比增长73.9%，同比增长3930.9%；归母扣非净利润61.05亿元，环比增长54.8%，同比增长2506.1%。2026年上半年，公司实现营业收入240.88亿元，同比增长136.26%；归母净利润105.77亿元，同比增长71528.66%；归母扣非净利润100.47亿元，同比增长31,096.33%。

SK海力士4日联手闪迪，共同发布下一代存储技术高带宽闪存（HBF，High Bandwidth Flash）的首个标准规范。此次发布的标准规范，是继SK海力士去年8月与闪迪启动HBF标准化合作，并于今年2月成立联盟后，历时约6个月推出的首项成果。该规范定义了两种容量配置，分别采用8层和16层NAND芯片堆叠，最高支持512GB容量；并按三个等级（Grade 1~3）设定带宽标准，数据传输能力覆盖约0.4TB/s至3.0TB/s。

铠侠已开始交付采用其第九代BiCS FLASH™ 3D闪存技术的1Tb TLC样品，该产品采用基于第八代 BiCS FLASH™ 技术和先进 CMOS 工艺的 230 层堆叠工艺开发，其 NAND 接口速度高达4.8Gb/s，比第八代提升了33%，性能与第十代产品相当。

2026年第二季度（4-6月），三星电子整体业绩表现强劲，营收及营业利润均刷新历史单季最高纪录：营业收入达171.5万亿韩元（约合1189亿美元），同比增长130%，环比增长28%；营业利润：高达89.5万亿韩元（约合620.5亿美元），同比暴增18倍，环比增长56.5%；净利润：达到71.6万亿韩元（约合496.4亿美元），同比增长13倍，环比增长51.7%。

本季度业绩的爆发式增长几乎完全归功于半导体业务。设备解决方案（DS）部门成为公司绝对的利润引擎：

DS部门整体表现：Q2合并营收达127.5万亿韩元（约合884亿美元，环比增56%，同比增357%），营业利润达89.2万亿韩元（约合618亿美元，环比增66.1%，同比激增222.5倍）。该部门贡献了全公司99.7%的营业利润。

存储业务创纪录：在产能受限的背景下，存储业务Q2营收达120.8万亿韩元（约合837.5亿美元，环比增62%，同比增471%），超过2025年该部门全年营收（104万亿韩元）。

SK海力士预计DRAM bit出货量环比增长约10%（以服务器AI存储产品为核心）；NAND bit出货量（含Solidigm）预计环比低个位数增长（1%-3%），主推321层产品与企业级SSD。预计2026年全球DRAM bit需求增速将从2025年的17%-19%提升至约25%；全球NAND bit需求增速将从15%提升至17%-19%。随着供应限制的缓解，潜在需求将进一步释放。

江波龙公告，预计上半年归属于上市公司股东的净利润92亿元～110亿元，比上年同期增长62,204.03%～74,393.95%，扣除非经常性损益后的净利润90亿元～105亿元，比上年同期增长27,844.32%～32,501.71%，营业收入220亿元～250亿元。

SK海力士制定总额达1100万亿韩元（约合7130亿美元）的中长期投资战略，以应对全球AI存储器的快速增长需求。该战略将分阶段在龙仁投资600万亿韩元、清州投资100万亿韩元、西南地区投资400万亿韩元。

原计划于2045年竣工的龙仁半导体产业集群，其第四座晶圆厂的完工时间将提前12年至2033年；

SK海力士将在清州投资100万亿韩元（约合648亿美元），扩大NAND闪存产能。这是自2018年M15工厂建成以来，SK海力士在该厂区首次进行重大NAND产能扩张。该投资将用于建设新的NAND闪存晶圆厂、安装生产设备以及扩大用于HBM后端加工的先进封装能力。SK海力士计划将清州进一步发展成为涵盖NAND、HBM和先进封装的综合制造中心；

SK海力士计划投资400万亿韩元（约合2593亿美元）在西南地区打造新的半导体产业集群。该投资将分阶段进行，涵盖土地购置、晶圆厂建设和生产设备安装。

据台媒报道，群联电子执行长潘健成近日表示，当前NAND Flash市场供给持续紧张，缺货情况深不见底。他预计，今年下半年的供需紧张程度将远超上半年，而明年的情况恐怕还会更加严峻。潘健成强调，Flash缺货将是一个长期且不可逆的趋势，目前公司的订单已经排到了2027年第一、第二季度。

三星电子近日召开了为期三天的全球战略会议。据韩媒引述业内人士消息，其DS部门会议重点围绕高带宽内存（HBM）的销售扩张以及长期供应协议（LTA）战略进行了深入探讨。