据亚洲日报报道，三星电子和SK海力士决定与全球大科技公司签订3至5年的长期供应合同，放弃一年期的短期合同。三星电子此前表示正在推动将供应合同从年度或季度转为3至5年的多年度合同，预计将稳定地向微软、谷歌等主要客户供应3年期的内存产品。SK海力士则正在与谷歌商讨5年期的通用DRAM长期供应合同，以最大化供应稳定性。此举旨在通过与客户在AI内存开发初期的战略合作，建立稳定的高收益模式。

江波龙（301308.SZ）4月9日在投资者互动平台表示，公司高度重视AI端侧应用带来的行业机遇，并将SPU（存储处理单元）及相关技术作为公司业务探索与战略布局的重要方向之一。目前，SPU及其相关技术尚在商业化初期，该业务的具体进展受宏观市场需求、技术发展演进及竞争格局等多重客观因素影响，较难准确量化预期。

据台媒报道，针对近期DDR5降价传闻，创见（Transcend）董事长束崇万近日受访时明确否认。他指出，现货价短暂回调并不代表趋势反转，合约价仍在强势上行。受AI服务器需求爆发及原厂产能排挤影响，第二季度DDR5合约价预计将环比大涨40%~50%。与此同时，DDR5与工业级NAND Flash两大产品线缺货态势持续加剧，交期显著延长。束崇万强调，存储超级周期仍在延续，价格高企与缺货状况短期内难以缓解。

戴尔科技CEO Michael Dell近日在美国银行访谈中预测，到2028年，AI加速器所需的总内存容量将达到2023年的625倍。这一增长来自两个因素的叠加：单颗加速器的内存从英伟达H100的80GB跃升至2TB（增长25倍），同时加速器的部署总量也预计扩大25倍。Michael Dell认为，AI仍处于“S曲线”的高增长阶段，代理化将深刻改变企业运作方式，凭借长期建立的伙伴关系和广泛产品线，戴尔能在一定程度上缓解供应链压力。

SK海力士今日在官网宣布，其首款基于321层QLC NAND闪存的固态硬盘PQC21现已启动供应。4月起率先向戴尔出货，客户群体未来将扩大至其它企业。PQC21是一款客户端固态硬盘(cSSD)，具备高容量、高性能以及低功耗特征，现有1TB、2TB两种容量供客户选择。

据外媒报道，闪迪面向专业影像工作者，发布2TB Extreme Pro UHS-II SD存储卡，售价高达1999.99美元（折合人民币约13650.33元）。该存储卡主打专业市场，宣称具备310MB/s 顺序读取速度和305MB/s 顺序写入速度。相比售价不足500美元的2TB UHS-I版本，新品价格暴涨超过4倍。

4月7日，香农芯创发布2025年度业绩快报，公司营业总收入为352.51亿元，同比增长45.24%；归母净利润为5.44亿元，同比增长106.06%。同日，公司发布2026年第一季度业绩预告，预计实现归母净利润11.40亿元-14.80亿元，同比增长6714.72%-8747.18%。

受惠价量齐扬，威刚3月合并营收105.4亿元（新台币，下同），改写单月新高，同比增幅达181.5%，同时DRAM模组及SSD两大产品销售额以70.6亿元及27.4亿元同创历史单月新高。

存储主控芯片厂商得一微电子股份有限公司近日在深圳证监局办理上市辅导备案登记，正式重启A股IPO进程，辅导机构为中信建投证券，中伦律师事务所、上会会计师事务所联合参与。

得一微曾于2022年11月申报科创板，后于2024年3月主动撤回申请。公司是一家以存储控制技术为核心的芯片设计企业，产品覆盖固态硬盘、嵌入式存储、扩充式存储三大产品线。此次重启，公司将重点聚焦AI存力、存算一体、CXL等前沿方向。

据韩媒报道，三星电子已为平泽半导体生产基地P5晶圆厂集群的首个阶段PH1订购了70余台光刻机，为该阶段2027年的投运做好准备。平泽P5 PH1所需的这些光刻机来自ASML和佳能，其中约20台为ASML的EUV曝光系统。P5 PH1将用于1c nm制程DRAM生产，将同时制造通用内存和HBM。三星电子预计将从2027Q2开始为平泽P5 PH1安装图案化设备，届时该阶段的洁净室施工也将完成，有望在2027年内贡献产能，满足英伟达 "Rubin" 与其它AI XPU的需求，纾解当前DRAM市场的供应紧张态势。

据外媒报道，苹果正以极高价格囤积市场上所有可用移动DRAM，目的就是阻止竞争对手获取足够芯片。目前这一策略已初见成效：联发科、高通均削减4纳米芯片产量，对应减少1500万至2000万颗移动芯片供应，中低端智能手机市场受影响显著；三星也在韩国上调多款平板及手机售价，间接反映出芯片成本压力。

报道称，南加州大学研究团队成功研发出一款可在700℃高温下稳定运行的新型存储芯片，工作期间未出现任何性能退化，相关成果在《Science》发表。

该芯片采用界面工程优化的忆阻器结构，突破传统存储器件对温度环境的严苛限制。实验显示，芯片不仅能耐受极端高温，还可承受超10亿次开关操作，具备优异的可靠性与耐用性。

兆易创新GigaDevice今日宣布，其新一代大容量SPI NAND Flash闪存GD5F4GM7 (4Gb)/GD5F8GM8 (8Gb) 已进入样品阶段。据悉，这两款产品旨在提供同等容量eMMC 的替代方案，面向智能穿戴、高端路由、安防设备、扫地机器人等领域。GD5F4GM7与GD5F8GM8均采用4KB页面大小设计，支持更高的数据传输速率。其可选1.8V/3.3V两种工作电压，支持工规温度范围，4Gb款支持WSON8 6mm×5mm紧凑封装，待机功耗相比传统叠封方案降低约50%。

中国台湾地区经济部门投资审议会核准台积电在日控股子公司JASM位于熊本县的第二晶圆厂 (Fab23 P2) 从原定的6nm制程工艺升级至3nm制程工艺。该厂月产能15000片12英寸晶圆，预计2028年设备安装设定并开始量产。同时核准台积电向TSMC GLOBAL LTD. 增资300亿美元，用于投资银行定期存款与美元债券以赚取利息、降低外汇避险成本。

德明利发布2026年第一季度业绩预告。公司预计2026年第一季度营收为73亿元-78亿元，同比增长483.05%-522.98%；归属于上市公司股东的净利润为31.5亿元-36.5亿元，上年同期亏损6908.77万元；扣除非经常性损益后的净利润为31.4亿元-36.4亿元，上年同期亏损7495.86万元。报告期内，在供应偏紧的背景下，行业景气度持续上行，存储价格持续上涨，公司依托前期充足的原材料战略储备，盈利能力持续改善，利润水平大幅提高。

3月31日，铠侠再次向客户发出通知，宣布将于2028年停止生产部分浮栅式（Floating Gate）和BiCS FLASH™ Gen3产品。具体涉及的产品包括基于32/24/15nm制程（SLC/MLC/TLC）的浮栅式和BiCS FLASH™ Gen3晶圆、BGA、TSOP、eMMC、UFS、普通SD。铠侠表示，最后采购预测（即客户最后一次下单数量）期限为2026年9月30日，最后出货时间为2028年12月31日。此前，铠侠曾于3月16日向客户宣布停产采用“薄型小尺寸封装”（TSOP）的MLC NAND闪存产品。

根据上交所最新披露的信息，2026年3月31日，长鑫科技集团股份有限公司IPO的状态从已受理变更为中止。

兆易创新近日发布公告，公司及控股子公司2026年度拟向长鑫科技集团股份有限公司及其控股子公司（含长鑫存储技术、长鑫科技（合肥）等）采购代工生产的DRAM相关产品，预计交易额度为8.25亿美元，折合人民币约57.11亿元。此举标志着双方在DRAM领域的战略合作进一步深化。

据韩媒报道，美光已启动一项全新研发计划，旨在开发一款垂直堆叠结构的GDDR内存产品，通过类似HBM的垂直堆叠技术，大幅提升传统显存的性能与容量。这一创新设计有望在标准GDDR与高端HBM之间开辟一条新的技术路径，满足市场对高性能、低成本内存解决方案的迫切需求。据悉，美光计划在今年下半年完成相关设备的安装并进入工艺测试阶段。目前初步确定的方案是进行4层GDDR芯片的垂直堆叠，若进展顺利，首批测试样品最快将于2027年亮相。

3 月 27 日，江波龙在MemoryS 2026峰会上发布两大存储新品，布局端侧 AI 存储。

PCIe Gen5 mSSD采用联芸 MAP1802 主控，DRAM-less 设计，尺寸 20mm×30mm，兼容 M.2 2230，顺序读写最高11GB/s、10GB/s，单盘8TB，配五层立体散热。

SPU（WM8500）为 5nm 智能存储专用单元，支持 
DRAM-less 架构，单盘128TB，集成2:1 存内无损压缩与 HLC 高级缓存，搭配 iSA 存储智能体，优化 AI 模型部署效率。

据韩媒报道，三星电子位于中国西安的NAND晶圆厂近期成功完成工艺制程升级，实现了236层堆叠的第八代V-NAND (V8 NAND)的量产。本次制程升级始于2024年，旨在改造原有的V6 (128L) NAND，以提升产品性能与生产效率，增强产能竞争力，满足AI时代对高性能存储设备的需求。三星西安晶圆厂的下一步瞄准了286层堆叠的V9 NAND，相关生产线将位于X2工厂，计划在2026年内完成过渡并实现量产。

2026年3月25日，全球主要市场存储板块多数走强，核心驱动力仍来自AI算力需求爆发及存储芯片涨价周期的持续加持。

A股存储芯片板块表现强势，睿能科技、超颖电子等多股涨停，佰维存储涨9.44%。其日前签订的15亿美元晶圆采购合同进一步提振了市场信心。

日韩股市同步上扬。日经225指数收涨2.87%，铠侠大涨6.37%；韩国KOSPI指数涨1.59%，SK海力士微涨0.91%。

台股加权指数上涨2.54%，权重股台积电涨1.42%，南亚科涨4.62%，存储相关个股整体表现活跃。

佰维存储（688525）3月25日公告，公司与某存储原厂签订15亿美元采购合同，为期24个月（2026年二季度至2028年一季度），标的为特定存储晶圆。合同金额超公司2025年营收与总资产的50%，达到重大合同披露标准。公司表示，此举旨在锁定中长期晶圆供应，稳定采购成本，助力业务稳健发展。

深圳市工信局近日印发《深圳市加快推进人工智能服务器产业链高质量发展行动计划（2026-2028年）》。计划提出，到2028年全产业链产能与出货量实现跨越式增长，核心芯片、存储、PCB、光模块等重点领域全球市场份额显著提升。
存储产品方面，支持开展存储芯片研发及应用，加快存储芯片先进封装技术攻关，重点发展企业级SSD、企业级内存模组等高端存储产品；强化近存封装、存算一体等新型技术研发，提升高端存储供应能力，打造适配大模型训练、超算中心的高端存储产品供给体系。

北京君正3月24日在投资者互动平台表示，由于存储大周期导致的产能结构变化，车规、工业等领域的存储供应十分紧张，目前客户需求旺盛。

据外媒报道，SK海力士将引进价值约12万亿韩元（约合554亿元人民币）、占总资产9.97%的极紫外光刻（EUV）设备，用于下一代DRAM和高带宽存储器（HBM）量产。设备计划从本月起至明年底分期引进，每台设备分次付款。EUV由荷兰ASML独家生产，波长仅为传统ArF光源的1/13，是实现超精细工艺的关键设备，最新款单价约3000亿韩元。相关设备将陆续导入正在建设的清州M15X晶圆厂及龙仁半导体集群首座工厂，后者预计在明年2月洁净室启用后开始设备引进。

据外媒报道，群联电子CEO潘健成近日表示，受AI需求激增影响，存储芯片供需严重失衡，目前公司仅能满足客户三成需求，高达七成的订单缺口无法应对。

潘健成指出，此轮缺货主要由AI数据中心建设驱动，呈现结构性成长，并非传统消费电子周期波动。由于上游制造商扩产谨慎，产能短期难以释放，他预计供应紧张局势将持续。