据韩媒报道，三星电子以“拓展人工智能时代的创新”为主题在2026年开放计算项目（OCP）全球峰会发表了演讲，并提出将速度、内存扩展和数据持久性作为人工智能基础设施的技术方向。具体将通过推出高性能内存（如HBM5 和定制 HBM）提高数据处理速度、配备DRAM的CXL内存模块（CMM-D）和内存池化技术实现内存可扩展性，以及利用下一代SSD的数据存储和管理技术提升性能并延长使用寿命。

兆易创新公告称，公司拟使用10亿元-20亿元资金以集中竞价方式回购A股股份，用于注销并减少注册资本，回购期限为2026年8月20日至2027年2月19日，回购价格不超750元/股。截至目前，公司通过集中竞价交易方式累计回购股份271.78万股，占公司总股本的比例为0.39%，回购价格区间308.99元/股-411.95元/股，回购的均价为人民币380.71元/股，已支付的总金额为10.35亿元（不含交易费用）。

据韩媒援引业内人士消息， 三星电子正在内部研发三种类型的z-NAND闪存， 除已公开展示模型的zNAND-O外，还包括zNAND-T和zNAND-I。据悉，zNAND-T专为高吞吐量而设计，其特点是最大限度地提高带宽，以满足高容量、高性能AI数据中心的需求；zNAND-I则最大程度地提高了IOPS，虽然更宽的带宽允许一次性处理大量数据，但更高的IOPS意味着每秒完成更多的数据I/O操作。

铠侠大股东东芝持续出售铠侠股份，截至10月1日为止，对铠侠的持股比重从原先(9月7日)的12.84%降至11.80%。东芝自9月8日-10月1日期间分8次(9/8、9/9、9/10、9/18、9/24、9/25、9/29、10/1)通过市场交易出售铠侠股份。

据媒体报道，Meta工程师近日在LPC 2026上展示名为CRAM（Compressed RAM）的实验性内存压缩方案。该方案旨在让压缩后的数据继续以内存形式存在，从而减少传统Swap路径带来的软件开销，而非简单替代ZRAM或zswap。CRAM的核心思路是将硬件压缩后的内存作为一种特殊的NUMA内存提供给Linux，而不是模拟成块存储设备。据介绍，CRAM方案在纯读取场景下，吞吐性能相较当前主流的ZRAM提升达452倍，实际运行速度已极为接近原生DRAM。

据报道，美光科技董事会批准扩大股票回购计划，将于12月起生效。美光在10-K文件中表示，董事会“批准将自2026年12月9日起可酌情回购的普通股最高金额上调至351.6亿美元”。美光此前批准了一项100亿美元的股票回购计划，其中约22亿美元额度尚未使用。

据韩媒报道，三星电子获得的长期供应协议 (LTA)已涵盖其明年计划存储芯片产量的约 75-80%。与此同时，包括英伟达、谷歌和微软在内的全球科技公司正寻求锁定五年或更长时间的供应，以应对人工智能基础设施需求的激增。

君正股份通过互动平台表示，目前该司NOR Flash已给全球多家服务器企业供货。

佰维存储公告披露，其控股子公司广东芯成汉奇半导体技术有限公司完成增资扩股。本轮次总融资额不超过6亿元，外部投资者预计合计取得广东芯成汉奇增资后的股权比例不超过23.0769%。增资后，佰维存储持股比例由68.2742%降至52.5186%。本次增资完成后，广东芯成汉奇仍属于佰维存储控股子公司，仍将纳入公司合并报表范围。

群联电子公布2026年9月合并营收为306.39亿元新台币（约合64.3亿元人民币），环比增长8%、同比增长370%，连续第十个月刷新单月新高。第三季度合并营收860.77亿元新台币（约合180.6亿元人民币），环比增长27%、同比增长375%，连续六个季度创单季新高；前三季度累计合并营收1949.32亿元新台币（约合409亿元人民币），同比增长290%，创历年同期新高。

铠侠宣布推出首款采用第八代BiCS FLASH™ QLC闪存的E1.L规格SSD。随着数据需求（包括人工智能数据）的不断增长，超大规模数据中心正日益采用高密度设计，以在有限的服务器空间内实现更大的存储容量。铠侠LD4系列专为高密度1U服务器和读取密集型存储应用而设计。目前铠侠LD4系列硬盘正在接受样品测试。

联发科9月合并营收新台币553.99亿元（约合人民币116.17亿元），环比减少13.69％，同比增长1.97％；1-9月累计合并营收新台币4,693.91亿元（约合人民币984.31亿元），同比增长5.30％；第三季度合并营收新台币1,680.58亿元（约合人民币352.42亿元），较上季度增长10.43％，较去年Q3增长18.27％，超越公司原业绩预测上限新台币1,598亿元，再创单季新高。

Counterpoint Research在对最近有关HBM容量减少的传言进行调查后预测，英伟达下一代人工智能平台Rubin中的大部分HBM4将保持12层配置。此前，业内人士猜测英伟达已要求主要HBM供应商将堆叠层数从现有的12层减少到8层。甚至有分析认为，ASIC可能会降级为4层。然而，Counterpoint Research分析认为，在人工智能计算领域，确保内存带宽和容量比降低成本更为重要。他们解释说，Rubin平台的HBM4实际上正朝着12层架构发展，而4层架构的产品尚未在 ASIC 市场得到证实。

AMD 首席执行官 Lisa Su 日前表示，该司计划扩大与三星电子和 SK 海力士的中长期合作。半导体供应链高度复杂，需要制定三到五年甚至更长时间的合作计划，而不是一到三年的短期合作关系。Lisa Su透露，该司下一代MI455和Helios系统基于HBM4芯片，目前已开始出货，并强调这得益于三星电子和SK海力士的大力支持，双方的合作将持续到多个产品世代，而不仅仅局限于单一产品世代。这是AMD首次披露在其AI加速器和服务器平台中使用SK海力士内存。

据韩媒引述业界消息，三星负责电视业务的VD事业部已决定自2027年起，采购华邦电子LPDDR4与LPDDR4X晶片，相关品质认证测试已于2026年上半完成。业界认为，随着原厂逐步退出LPDDR4、LPDDR4X生产，电视产品所需的上一代存储供应日益吃紧，促使三星积极寻找替代供应来源。值得注意的是，尽管华邦电子是三星新的供应商，但据透露，VD事业部正考虑于2027年在电视产品中的约50%配置为华邦电子DRAM。

旺宏电子公布内部自行结算2026年9月份合并营收为新台币83.67亿元，较上月合并营收新台币81.45亿元增加2.7%，较2025年同期合并营收新台币29.03亿元，增加188.2%。累计2026年1-9月合并营收为新台币538.31亿元，较2025年同期新台币211.51亿元增加154.5%。

华邦电子自行结算的2026年9月份合并营收为新台币282.49亿元，较上个月增加3.44%，较去年同期增加256.67%。累计2026年1-9月合并营收为新台币1,804.27亿元，较去年同期增加187.39%。

南亚科技日前宣布，将于中国台湾地区屏东科学园区投资设立3D晶圆封装测试厂，将导入硅穿孔 (TSV)、晶圆堆叠等3D IC先进技术，布局晶圆级封装与测试的专业制造整合能力，以满足AI应用快速发展所带动的高效能、高频宽存储需求。

南亚科技2026年9月份自结合并营收为新台币450.91亿元，较上月增加0.9%，较去年同期增加576.62%。累计今年1-9月合并营收为新台币2,652.85亿元，较去年同期增加626.95%。

据媒体报道，美光桃园工会昨日公布投票结果，全体会员88.3%支持罢工，依法取得罢工权；台中厂工会预计将于22日进行第二次劳资调解，后续也可能发动罢工投票取得罢工权。这意味着台湾美光员工已陆续通过法定程序，取得合法罢工权。业界担忧将引爆新一波存储缺货潮，再次助涨报价。美光回应称，尊重员工依法享有的权利及法律程序，已听到并重视员工关切，将持续保持善意与工会沟通，通过既有对话及调解程序推进讨论。本月稍晚将与台中工会后续调解，并继续与桃园工会沟通，寻求兼顾各方的方案。

Netlist于当地时间6日宣布，已同意授予美光科技一项为期五年的非独家全球专利许可。根据协议，美光科技将可以使用Netlist的专利，包括服务器内存模块和高带宽内存（HBM）技术。 美光科技将在五年内分20个季度（从今年第四季度至2031年第三季度）向Netlist支付总计6亿美元，每个季度支付3000万美元。

此外，美光科技还签署了一项股票购买协议，将以100万美元的价格收购Netlist的1000万股普通股。这些股票设有锁定期，自发行之日起五年内每年将解除锁定20%。

据韩媒引述知情人士消息称，三星电子下一代12层HBM4E芯片已通过英伟达公司和全球主要超大规模数据中心运营商的客户认证测试。

东芯股份在最新投资者关系活动记录表公告中透露，其存算联融合芯片研发项目规划周期约42个月，项目正在有序推进。该项目通过先进封装将存储、联接、计算单元集成于单芯片，打造低功耗嵌入式智能计算芯片，具备本地智能处理、数据隐私安全、低延迟、低功耗等特点，由公司自有团队负责研发。芯片需要经历架构设计、流片、软硬件调试、客户验证等多个环节，研发落地存在不确定性，具体进展需以公司披露信息为准。

宜鼎近日推出全新工业级DDR5-8000 RDIMM内存模组，进一步拓展其面向边缘AI和企业服务器等计算密集型应用的DDR5产品组合。该模组提供8000 MT/s数据传输速度，比上一代产品提升11.1%，支持大型语言模型（LLM）、生成式AI、数字孪生和远程医疗等应用。 据报道，宜鼎将于2027年第一季度推出更多DDR5 8000内存模块，包括CUDIMM、CSODIMM、ECC CUDIMM 和 ECC CSODIMM，为各种系统设计提供更广泛的选择。

应用材料公司宣布，铠侠已加入其“应用EPIC（设备与工艺创新及商业化）中心”，成为创新合作伙伴，共同推进下一代存储技术的发展。通过此次合作，双方将在EPIC中心联合研究先进的存储单元和结构形成、多芯片堆叠架构以及新型材料工程方法，旨在提升人工智能时代所需的存储密度和性能。

据FnGuide报道，三星电子预计今年第三季度营业利润将达到约110万亿韩元，营收将达到约204万亿韩元，将突破第二季度创下的89.4924万亿韩元的历史最高营业利润纪录，同时也标志着三星电子季度营业利润将首次突破100万亿韩元大关。

这一预测基于以下分析：随着AI服务器需求持续增长，存储器市场持续繁荣，以及第六代高带宽存储器（HBM4）出货量开始显著提升，半导体业务将推动公司整体业绩更上一层楼。此外，非存储器业务（例如晶圆代工）亏损的减少也将有助于设备解决方案（DS）部门利润的增长。

据外媒报道，三星电子高管表示，预计明年高带宽内存 (HBM) 将占动态随机存取存储器 (DRAM) 芯片制造商总晶圆产能的近 30%，高于目前的约 20%。三星电子执行副总裁金泰宇表示，HBM和传统DRAM争夺相同的晶圆产能，意味着扩大HBM产量将可能会限制传统DRAM的供应。