佰维存储公告称，公司及控股子公司广东芯成汉奇拟与东莞松山湖高新区管委会签订合作协议，投资建设晶圆级先进封测制造项目三期，总投资约45亿元，其中固定资产投资40亿元。项目不涉及新增用地，建设内容在原项目工业用地内完成。公司表示，本次投资系在原项目基础上的增资扩产，资金来源为自有及自筹资金，不涉及募集资金。

9 月 22 日早盘，A 股存储概念个股整体表现偏强，多数延续上涨态势。截至 10:15，兆易创新涨 4.72%；香农芯创涨 1.33%，佰维存储涨 2.47%，江波龙涨 1.61%，德明利涨 1.68%，联芸科技涨 1.85%，长鑫科技涨 1.79%；大普微涨 0.09%，基本持平。

业界消息指出，三星计划将HBM制程中玻璃载体的外包清洗量由今年每月2万片提升至明年每月5万片，较去年每月1万片增至5倍。玻璃载体是HBM制程中临时安装于DRAM晶圆底部的支撑结构，用于防止晶圆在蚀刻与钻孔过程中发生弯曲或破裂。由于玻璃载体可重复使用，实际用量受投料方式及制程良率影响，但若清洗需求增至2.5倍，预示三星HBM4系列明年产量至少翻倍的可能性较高。三星正积极筹备扩大HBM4与HBM4E产能，两款产品均采用12层以上的高堆叠架构。

据韩国交易所9月20日公布的企业信息披露系统显示，三星电子自8月24日以来，在20个交易日内回购了3980万股股票，占其5328.5968万股目标的74.69%，累计支出达10.31万亿韩元（约合74.4亿美元）。SK海力士自8月20日以来，在22个交易日内也回购了1415万股股票，占其目标的58.79%，支出达24.39万亿韩元。两家公司累计回购股票总额达34.70万亿韩元，回购速度超出预期。

9月20日，德明利公布关于申请向特定对象发行股票获得深圳证券交易所上市审核中心审核通过的公告。公告称，公司于2026年9月18日收到深交所出具的审核中心意见告知函，深交所上市审核中心对公司向特定对象发行股票的申请文件进行了审核，认为公司符合发行条件、上市条件和信息披露要求，后续深交所将按规定报证监会履行相关注册程序。该事项尚需履行中国证监会注册程序，公司将根据进展情况及时履行信息披露义务。

据韩媒报道，Cadence开发了一种用于HBM4和HBM4E的3纳米内存子系统IP，旨在解决AI加速器系统级芯片 (SoC) 与高带宽内存之间的主要瓶颈。Cadence表示，该内存子系统在其实验室环境中进行的实时内存流量测试中，每引脚传输速率达到了 14 Gbps，并且在控制器到 DRAM 再返回的往返路径上未记录到任何错误。这比主流 HBM3E 产品每引脚 8 Gbps 至 9.6 Gbps 的速度范围快了约 1.5 倍。在独立的发射器（TX）测试中，Cadence 实现了每引脚16 Gbps的数据速率——这是最终版HBM4标准中的最高数据速率。对更广泛的内存子系统进行的压力测试也表明，在18 Gbps的速率下，信号完整性依然保持良好，这表明其性能超越了目标运行速度。

瑞银最新估算显示，2026年全球AI资本支出总额将达9980亿美元，较2025年的5060亿美元几乎翻倍；2027年进一步升至1.447万亿美元。这一大幅上修主要源于内存价格快速攀升，而非基础设施投资规模的整体扩张。据悉，内存在AI资本支出中的占比从2025年约14%升至2026年的37%，2027年进一步跃升至64%。瑞银测算，2026年AI资本支出同比增量中约60%来自内存成本上涨，2027年内存支出增量甚至超过AI资本支出整体净增量，因为其他组件支出同期下滑；2025至2027年间近1万亿美元的增量中，约90%来自内存支出上升。

长鑫存储宣布第五代DRAM技术平台（简称“G5平台”）实现量产，同步展出基于该平台打造的大容量LPDDR5X新品。该平台工艺水平比肩行业顶尖量产工艺节点，是长鑫存储在高端存储技术路线上的里程碑式突破。

G5平台在关键工艺维度上依托创新的四重曝光技术把内存阵列的有源区半间距微缩至11.95纳米，接近全球最顶尖的内存量产平台制程。通过变革工艺流程、采用新材料，存储电容深宽比达45:1。开发适配DRAM工艺的高介电常数金属栅（HKMG）工艺，成功将G5平台核心功能区高度缩小到6762纳米。

SK 海力士推出其企业风险投资 (CVC) 品牌“SK 海力士创投”，旨在扩大其在全球人工智能生态系统中的战略合作伙伴关系，并确保未来的创新技术。SK海力士自2015年设立企业风险投资机构，通过直接投资和基金承诺等方式，对半导体和新兴技术领域具有发展潜力的早期创业公司进行间接投资。通过投资美国、中国、以色列和日本等主要地区的企业，该公司迄今为止已实现累计投资额两倍以上的回报。

据知情人士透露，长鑫计划在其北京新厂建设一条NAND研发产线，并已设立专门的研发部门推进相关技术开发。在业务拓展方面，长鑫已就NAND业务规划与客户展开接洽，其中包括一家计划将长鑫NAND芯片应用于AI系统及超算存储产品研发的初创企业。

据韩媒Heraldcorp报道，SK海力士负责AT解决方案的副社长Lim Eui-cheol近日在美国举办的"AI Infra Summit"上进行了发表。他表示，随着人工智能工作负载日益多样化，仅靠现有的GPU-HBM架构已难以满足新的需求。SK海力士正在准备PIM（存内计算）、HBF和SALT-KV等软硬件结合的新解决方案，以满足这些不断变化的工作负载的需求。具体来看，PIM技术能够提高高端服务快速解码工作负载的性能和效率，是克服现有局限性的绝佳替代方案。HBF技术能够在提供高带宽和大容量的同时，提高需要处理长上下文的AI服务的效率。SALT-KV技术基于对KV缓存的特性和可重用性考虑来提高处理效率，也具有引领AI系统演进的足够潜力。SK海力士表示将增强技术竞争力，积极响应人工智能时代多样化的需求。

据韩媒chosun报道，业内人士18日透露，Solidigm正在考察选址和详细条件，计划在美国东部建立一条NAND闪存量产生产线。Solidigm是SK海力士于2021年收购英特尔NAND业务部门后成立的美国子公司；该公司目前在中国大连设有一家工厂，其总部和研发中心位于美国。如果该计划得以实施，这将成为Solidigm在美国的首个生产基地。对此，SK海力士相关人士表示，Solidigm正在审查各种增强其竞争力的措施，但尚未最终确定任何措施。

据报道，美光预计2026年将在印度首座半导体封装测试工厂（萨南德工厂）组装和测试数千万枚芯片，并在2027年将产能扩大至数亿枚。据悉，美光已将首批印度本土制造的内存模组交付给戴尔，用于其面向印度市场生产的笔记本电脑。美光公司首席执行官Sanjay Mehrotra表示，目前的产能已经超过了印度整个笔记本电脑市场所需的内存量。DRAM和NAND闪存产品正从美光位于古吉拉特邦萨南德的工厂出厂，并贴有“印度制造”的标签，销往世界各地的客户。

华邦电子宣布，已与英飞凌旗下的Infineon Technologies LLC签署股份购买协议，将以全现金方式取得英飞凌NOR Flash与F-RAM事业100% 股权。基础交易价格为11.2亿美元，并将于交割前按照股份购买协议所订的相关规定进行调整。本交易已获华邦董事会核准。交易预计于 2027 年下半年完成，交易完成后，华邦将直接或间接持有目标公司 100% 股权。目标公司将依循其既有营运模式，独立运营并以美国为总部所在地。

针对近日“消息人士称，SK 海力士正与英特尔洽谈首次在美国生产内存芯片的交易”的相关报道，SK海力士官方声明称，该司正在探索多种方案以增强其全球竞争力，但目前尚未最终确定任何具体计划或安排。对于“1、SK 海力士可能会租赁英特尔在俄亥俄州筹划已久的半导体制造工厂的一部分；SK 海力士、英特尔和主要云公司可能成立一家合资企业”这两种情况，该司尚未做出任何决定。

据媒体报道，英特尔CEO陈立武预计，由于AI需求不断增长，明年内存供应短缺的情况将更加严重。他表示，部分内存的价格已经上涨了五倍、六倍，甚至七倍，许多企业因无法获得足够的内存而放缓扩大业务的步伐。人工智能领域对HBM的需求激增，给通用DRAM的供应带来了越来越大的压力。此外，陈立武还强调了先进封装技术的重要性，认为将CPU、AI加速器、HBM和I/O芯片集成到单个封装中，对于缩短数据传输距离、提高处理速度和能效至关重要。英特尔正凭借其专有的先进封装技术“EMIB”进军AI半导体市场。

据韩媒报道，三星电子正强烈要求其OSAT合作伙伴扩大生产线，以满足日益增长的通用内存模块需求。三星并未扩大自身DDR5内存模块和SSD的产能，而是增加了分配给外包合作伙伴的产量。三星电子正在扩大通用模块的外包生产，以便集中精力生产高附加值内存产品。

继去年9月份起的近半年时间里，适用于行业DDR5内存条的次级颗粒以累计超6倍的涨速拉升，3月下旬价格转跌一个月后持续横盘，并于三季度初价格止跌反弹，持续上涨下令DDR5次级颗粒价格创下历史新高。面对成本滚动上扬，行业厂商已分次调涨相关成品，但过高的产品价格正遭受更多的客户抵触，仅少数海外客户尚能接受高价，本周行业8GB/16GB DDR5内存条价格小幅调涨。当前，越来越多的PC OEM评估将更多产品转向降级方案来应对成本压力，客户需求的转变也将导致出货更加艰难，未来行业存储厂商对于高价资源的备货也将更加谨慎。

内存条(行业市场)：DDR5 SODIMM 8GB 5600 涨 1.69% 至 $120.00，DDR5 SODIMM 16GB 5600 涨 0.83% 至 $242.00。

随着原厂LPDDR资源价格持续走高，目前价格已达今年历史峰值，但成本上涨并未对相应成品形成有效地、持续地带动作用，LP4X/LP5X产品均仅在6月份出现短暂涨价行情，7月份起个别LP4X产品价格转而下跌，主要是市场不同等级的LP4X产品价格混乱，尤其是高容量的LP4X产品高低等级方案价格存在数十美金的差距，越来越多的终端客户在饱受高价存储产品带来的硬件成本压力下转向更具价格优势的低端LP4X产品；而LP5X因本身多适用于高端化应用场景，客户对于产品质量有严格要求，即便个别存储厂商有旧库存作为缓冲，以较低价格来争取新单，厂商间的价差也相对较小，因此LP5X价格较LP4X更加坚挺，二者走势已然出现分化，未来大容量LP4X价格仍然承压。

上周在DDR5资源上涨的带动下，存储厂商跟随成本而调涨成品价格，尽管客户仍需一定的时间接受新定价，但当前资源上涨仍在持续且供应趋紧，未来渠道DDR5内存条或将被动跟涨，而支撑成品价格上涨的持续性则在于需求端的承接力度。本周渠道DDR5/DDR4内存条、SSD价格暂时持平。

Flash Wafer价格维持不变，DDR方面，DDR5 16Gb Major/DDR5 16Gb eTT分别小幅调涨至$45.00/$26.00。

DDR：DDR5 16Gb Major 涨 2.27% 至 $45.00，DDR5 16Gb eTT 涨 4.84% 至 $26.00。

SK海力士16日宣布，劳资双方已就2026年工资和集体谈判达成最终协议。修订后的协议调整了股票期权比例，并扩大了员工的选择权。支付比例由原协议中的40%现金和60%股票调整为50%现金和50%股票，现金部分也进行了细分，允许员工以10%为单位选择股票，而不是现金。此外，员工的个人选择权也得到了扩大，允许以股票形式全额支付绩效奖金。此外，将公司亏损时工资延期支付的规定写入法律。

威刚9月14日公告现增发行价格，每股订290元（新台币，下同），预计发行2,000万股，以发行价格计算，总募资规模约58亿元，用途为偿还银行借款。

据日媒报道，东芝14日向关东财务局提出变更报告书(持股变动报告书)指出，截至9月7日为止，对铠侠的持股比重从原先(8月3日)的14.06%降至12.84%。

据业界消息，苹果已接受三星电子 2027 年一季度存储芯片报价。其中 DRAM 接近 2.0 美元 / Gb，NAND 接近 0.33 美元 / GB，较 2026 年三季度报价上涨 30% 至 40%。受存储芯片价格上涨影响，苹果已于今年 6 月上调 Mac、iPad 售价。近期发布的iPhone 18 Pro、iPhone 18 Pro Max售价均较上一代上调，部分在售旧款iPhone也出现了不同程度的涨价。

据韩媒引述业内人士消息称，在定制化高带宽内存时代， 三星电子为其高带宽内存（HBM）提供基础芯片的战略 预计将发生重大变化。 该司将不再依赖其现有的内部代工厂进行自主生产，而是采取“双轨制程”战略，即同时采用基于台积电工艺的基础芯片。 

从今年开始量产HBM4开始，三星电子和SK海力士已开始采用代工工艺而非传统的DRAM工艺来制造基片。与DRAM工艺相比，代工工艺的优势在于能够将更多功能集成到基片中，从而提升性能和能效。

9月15日，A股三大指数早盘集体低开。存储概念个股方面，截至午间收盘，兆易涨超2%，大普微涨超1%，联芸涨1%，长鑫涨0.72%，佰维涨0.47%，香农芯创涨0.36%，江波龙涨0.18%，德明利跌0.23%。

铠侠控股发布声明称，该司正在筹备将其普通股对应的美国存托股票在美国证券交易所上市，以稳步、可持续地提升企业价值，但有关上市的细节，如时间安排、上市市场和上市方式，尚未确定，且该司可能视筹备过程中的情况决定不再继续推进上市。

美光近日宣布，将向全球超过6万名员工发放2026财年奖励，金额创下公司成立以来的最高纪录。其中，中国台湾地区员工每人最高可获100万新台币的感谢现金奖金，产线员工的整体薪酬水平相当于35至68个月的薪资。

然而，美光桃园工会随后发表声明指出，劳资双方目前尚未达成共识。工会强调，其核心诉求并非一次性奖金的金额高低，而是希望建立一套透明、可预期且与公司获利直接挂钩的利润分享制度。工会方面坚持要求将营业利润的15%拨作员工奖金，并以三星电子、SK海力士的员工分红机制作为参照，指出韩国同行的利润分享安排已拉大了美光员工与韩国同行之间的薪酬差距。工会警告，若公司方面不予回应，将继续推进罢工程序。