据外媒报道，苹果公司正在与长鑫存储和长江存储就存储芯片供应问题进行谈判。报道称，如果谈判成功，苹果将考虑优先把这些公司的存储器应用于在中国销售的某些产品。

SK海力士将在韩国清州投资总计100万亿韩元，其中80万亿韩元（约合515亿美元）用于M17 NAND闪存生产工厂，20万亿韩元用于P&T7先进封装工厂。其中，M17 的建设计划于明年开始，目标是在 2029 年上半年投入运营。

今日早间，韩国股市开盘后，韩国交易所因KOSPI 200期货下跌5%启动KOSPI的熔断机制，程序化交易暂停5分钟。日本股市亦全线下挫。截至发稿，韩国KOSPI指数跌超3%，日经225指数跌超1%，铠侠跌超12%，SK海力士跌超7%、三星电子跌超6%。

七彩虹宣布推出全新 PRIME 系列存储产品，该系列专为 B 端行业客户打造，涵盖固态硬盘及内存模组，主打 1:1 专属客户服务与 BOM 长期供应承诺，确保产品规格与供货周期稳定，降低客户因存储资源紧缺带来的供应链风险。PRIME 系列产品将面向国内及海外 B 端客户同步供应，明确不涉及消费类零售渠道。

据媒体报道，三星电子首席技术官兼半导体研究所所长Song Jae Hyuk在DS部门内部经营说明会上表示，HBM4E的可靠性测试良率已提升至70%以上。下一代DRAM工艺开发方面，Song Jae Hyuk表示D1d工艺的技术竞争力已领先于竞争对手，并以今年11月取得生产准备认证（PRA）为开发目标。

兆易创新推出全新GD24CL系列I²C通信接口的EEPROM，首发容量为256Kb。该产品能够切实满足工业、电表、能源、数字基础设施等领域对关键配置信息长期、稳定保存的严苛需求。

存储芯片概念快速拉升，截至发稿，江波龙涨超6%，德明利、佰维存储涨超3%，大普微涨超2%，联芸科技涨近2%。

江波龙宣布已建设完成mSSD月产能百万级交付能力，具备稳定且规模化量产交付条件，可充分匹配市场增量需求，后续产能仍具备持续扩容、翻倍释放的空间。

三星电子发布名为 “包括沿垂直方向堆叠的多个半导体芯片的半导体封装”的HBM封装新专利，旨在解决高带宽内存（HBM）封装的可靠性问题。据其28日提交的申请显示，三星电子采用“深槽切割”工艺，将堆叠在HBM顶部的虚拟芯片的侧面加工成三级阶梯状曲面结构，这种方法可以有效改善高堆叠HBM中常见的芯片分层、开裂和翘曲等问题。另外，热管理方面，该专利将粘合绝缘层底面与水平延伸面之间的垂直距离精确设计在1-10微米之间，使传热效率保持在现有水平；还包含一种改进的凸起表面结构，可最大限度地减少成型层的体积，从而有可能改善传热路径。

据外媒报道，为突破现有 CXL 套件限制，实现单服务器多类型内存混合使用，Meta开发了一项名为“Vistara”的内存复用技术，可将旧服务器拆下的DDR4内存重新接入新服务器，并借助自研CXL（Compute Express Link）技术在不同应用之间共享内存，同时尽量降低跨应用共享带来的额外时延。据悉，Vistara ASIC 的核心设计是通过符合 CXL 2.0/1.1 标准的 PCIe Gen5 x16 接口将 DDR4 内存连接到主机处理器，Meta已将这种CXL技术应用于拥有数百万台服务器的超大规模基础设施。

据业界消息，聚辰股份已向其经销商下发通知，全系列NOR Flash产品价格将于2026年7月6日起适度上调，调整幅度为在现有价格基础上调25%。聚辰股份表示，所有新签订单及未交付订单的未执行部分均按新价格执行。

6月30日早间，截至发稿，德明利、大普微跌超4%，佰维跌超3%，江波龙、兆易跌超2%，联芸逆势走高涨超1%。盘面上，兆易创新昨晚发布股票交易风险提示的公告称，股票价格短期累计涨幅较大，未来可能存在股价快速回落风险。

据路透社引述知情人士消息，长鑫存储与腾讯控股签署了一份价值超过 200 亿元人民币的长期供应协议。消息称，该协议涵盖为期数年的服务器 DRAM 芯片供应。对于该协议的期限，有观点认为最长三年，另有观点称期限最长可达五年。

中国中车集团公布2026年度存储设备集中采购项目中标结果，中科曙光中标分布式NAS、分布式对象、分布式块、集中式SAN、集中式NAS全部五个标段，实现了在高端装备制造领域对全场景存储需求的全面覆盖与支撑。

ASICLAND今天在官网宣布，已与SK海力士签署下一代 eSSD主控开发合同。该协议涵盖SK海力士下一代eSSD主控定制设计服务及后续开发阶段（包括流片支持）。ASICLAND将作为技术合作伙伴，利用其基于台积电先进工艺的ASIC设计和验证能力，支持SK海力士下一代产品的开发。合同金额约为319亿韩元（折合人民币约1.4亿元），有效期为2025年5月27日至2027年12月31日。

今日早间，韩国股市开盘后集体走低，三星电子盘中大跌超5%，SK海力士盘中跌幅一度逼近5%。受盘面剧烈波动影响，韩国交易所启动KOSDAQ指数熔断机制，暂停程序化交易买盘5分钟。日本股市亦大幅走低，铠侠股价跌超7%。消息面上，上周五美股存储概念股遭遇重挫，成为今日亚太市场承压的重要诱因。上周五美股多家存储芯片巨头股价重挫，其中西部数据跌超13%，希捷科技跌超12%，闪迪跌超10%，美光科技跌超6%。

三星电子近日发布《2026年可持续发展报告》，报告称，三星计划到2030年将HBM和服务器固态硬盘的能效分别提升2.5倍和4倍，从而为客户提供最佳的人工智能基础设施解决方案。

深圳市时创意电子股份有限公司创业板IPO申请已获受理，保荐机构为中信证券。时创意拟公开发行A股数量不超过1.16亿股，计划募集资金18.42亿元，募集资金将投向半导体存储器扩产、研发中心扩建及补充流动资金三个项目。

据报道，德明利宣布推出USB-C 5Gbps接口车载闪存盘TC301。据悉，德明利TC301基于128GB“精选”原厂TLC NAND闪存，顺序读写速率分别可达 320MB/s 和 255MB/s。此外，TC301支持 7×24 长时间循环录制和数据覆写，能满足多路视频流同时写入的性能要求，工作温度范围 -25~+85℃、存放温度范围 -45~+85℃。

据pulse报道，SK海力士拟在韩国清州新建一座NAND闪存晶圆厂，以应对AI时代激增的芯片需求。若该计划最终落地，将是自2018年M15工厂建成以来，SK海力士在该厂区首次进行重大NAND产能扩张。

针对“6月25日7时30分左右发生在日本东北地区的地震”，铠侠最新回应称，经确认，其北上工厂的建筑物和设施未受损，北上工厂的生产活动照常进行。

美光在其最新业绩会议上透露，其从力积电手中收购的苗栗铜锣一厂预计将于 2027 年中开始贡献有意义的 DRAM 出货，较此前预期提前 1 个季度。而在洁净室约 28000m² 的铜锣一厂旁边，洁净室面积约 25000m² 的美光铜锣二厂也已启动建设。这座新晶圆厂将支持 EUV 光刻图案化设备，面向 1γ、1δ 乃至此后的先进 DRAM 制程工艺。

高通正式发布高带宽计算（High-Bandwidth Compute，HBC）架构，将HBC加速器放置于LPDDR堆栈下方，通过TSV硅通孔技术实现LPDDR堆栈和HBC加速器互连。与HBM相比，HBC旨在以更低的总拥有成本和更高的能效，提供更快、更高效且更具可扩展性的处理能力。相较于竞品已发布产品，在卡级规格标准下，HBC每瓦带宽相为HBM的6倍；在机架级标准化下，HBC每瓦容量为SRAM的200倍。

随着AI大模型参数量的不断膨胀，业界对HBM（高带宽内存）的堆叠层数需求正逼近物理极限。然而，芯片越堆越高，随之而来的“积热”问题便成了制约性能释放的最大瓶颈。近日，三星电子用一项重磅研究给出了破局方案：其研究团队首次通过量化数据证实，在下一代HBM封装中采用的混合铜键合（HCB）技术，在热管理上全面优于传统的热压接合（TCB）。

美光科技高管于业绩交流会上表示，人形机器人的存储容量大约是L2+自动驾驶车辆的10倍，预计从这个10年（截至2030年）的后半部分开始，相关市场将开启大规模、长达数十年的内存需求周期。

据外媒报道，铠侠首席财务官川村义彦在年度股东大会上表示，铠侠计划在本财年3月底结束后进军美国市场。预计将于2027年春季发行美国存托凭证，目标时间是下一财年伊始，大约在四月、五月或六月。据悉，铠侠正在积极研究股票拆分方案。

存储芯片板块持续活跃，截至发稿，德明利涨停，江波龙涨超9%，佰维存储涨超15%，大普微涨近3%，联芸科技涨超2%。

美光预计DRAM和NAND的供需状况将在2027年以后继续保持紧张。受限于新建晶圆厂漫长的建设周期、关键技工短缺、复杂的法规审批以及HBM对常规产能的持续挤压，行业供应紧张的局面预计将持续至2027年之后，直到2028年才会逐步改善。