三星电子宣布，已与AMD签署谅解备忘录 (MOU)，以扩大双方在下一代AI内存和计算技术方面的战略合作。根据该谅解备忘录，三星和AMD将在下一代AMD AI加速器、AMD Instinct MI455X GPU的主要HBM4供应以及代号为“Venice”的第六代AMD EPYC CPU的先进DRAM解决方案方面达成一致。这些技术将支持结合AMD Instinct GPU、AMD EPYC CPU和机架式架构（例如AMD Helios平台）的下一代AI系统。三星和AMD还将共同研发针对第六代AMD EPYC处理器的高性能DDR5内存。

据韩媒报道，三星电子工会宣布集体斗争行动议案以93.1%的赞成率获得通过，将于5月举行总罢工。分析指出，罢工一旦实施，平泽厂区约一半产能将受冲击，直接影响DRAM与NAND闪存芯片的产能释放。

中芯国际近日在上海举行18A晶圆生产线量产仪式，国内首条1.8纳米类比制程产线正式投产。这标志着我国高端半导体制造领域取得重大突破，将为人工智能、高性能计算等产业提供先进芯片支撑。

该产线主要生产CPU、GPU及存储芯片等高端产品。量产首周出货8万片晶圆，其中存储芯片代工占比达25%，涵盖DDR5内存和HBM内存等品类，良率稳定在95%以上。18A工艺在晶体管密度和能效比上较14nm节点提升超40%，达到国际领先水平。投产后将显著降低国内电子企业对海外晶圆制造的依赖，为半导体产业链自主可控提供有力支撑。

 美光科技近日在GTC 2026上宣布，已于2026年第一季度开始批量出货专为NVIDIA Vera Rubin平台设计的HBM4 36GB 12H显存。该产品数据传输速率超过11 Gb/s，提供超过2.8 TB/s的带宽，较上一代HBM3E带宽提升2.3倍，能效提升20%。此外，美光已向客户交付HBM4 48GB 16H样品，单颗容量提升33%。

同时，美光推出业界首款量产的PCIe Gen6数据中心SSD（Micron 9650），顺序读取速度达28 GB/s，性能为Gen5两倍，并针对NVIDIA BlueField-4架构优化。专为Vera Rubin设计的192GB SOCAMM2内存也已量产，支持高达2TB内存容量和每CPU 1.2 TB/s带宽。

美光科技发布2026财年第二季度财报，得益于人工智能驱动的内存需求激增，公司营收、毛利率及每股收益均创历史新高。财报显示，美光第二财季总营收达239亿美元，环比增长75%，同比增长196%，连续第四个季度创下营收新高。其中，DRAM营收同比增长207%至188亿美元，NAND营收同比增长169%至50亿美元。公司毛利率达75%，净利润为140亿美元。

美光首席执行官Sanjay Mehrotra表示，内存已成为人工智能时代的战略资产。随着HBM等产品需求旺盛，预计第三财季营收将达到创纪录的335亿美元，毛利率约为81.0%。同时，美光正大力扩产以满足需求，预计第三财季资本支出约为70亿美元。

据外媒报道，受人工智能浪潮推动，2026年AI内存芯片需求预计将持续激增，三星电子正考虑将内存芯片合同转向多年期合约，计划从现行的季度或年度合同延长至三至五年，以稳定供应并缓解市场对关键组件短缺的担忧 。

北京君正在互动平台表示，目前DRAM芯片、Flash芯片和部分计算芯片的价格有调整，DRAM新制程的产品已开始销售，预计今年公司业绩会有较好的增长。

据外媒报道，三星一直向英伟达供应HBM4、SOCAMM2内存模块和PM1763 SSD，现在又通过增加Grok3 LPU芯片的生产，扩大了双方的合作，已确立了其作为下一代人工智能加速器平台所有领域核心合作伙伴的地位。三星电子已确认正在开发第八代高带宽内存（HBM5），其底层芯片（最底层）采用2纳米工艺。对于第九代HBM5E，该公司计划提前在核心芯片上应用基于1D（第七代10纳米级）工艺的DRAM。

铠侠宣布推出一种全新类型的SSD产品“Super High IOPS SSD”，直译为“超高 IOPS SSD”。该产品可使GPU直接访问高速闪存，作为人工智能系统中高带宽内存（HBM）的扩展。这款全新超高IOPS SSD归属于KIOXIA GP系列，专为满足人工智能和高性能计算日益增长的性能需求而设计，可提供更大的GPU可访问内存容量，从而加快人工智能工作负载的数据访问速度。KIOXIA GP系列的评估样品将于2026年底前提供给部分客户。

在NVIDIA GTC 2026 大会上，三星全面展示了其在AI计算领域的技术布局，展出了从高性能内存到面向个人设备的低功耗解决方案的全系产品。三星首次展示了其下一代HBM4E内存。该产品每引脚传输速度可达16Gbps，带宽高达4.0 TB/s。此外，三星还展出了其混合铜键合（HCB）技术，这项新技术将使下一代HBM能够实现16层或更多堆叠，同时与热压键合相比降低20%以上热阻。

据外媒报道，韩国SK集团董事长崔泰源表示，由于人工智能驱动的需求持续超过供应，全球芯片晶圆短缺的情况可能会持续到2030年。在加州圣何塞举行的英伟达GTC大会间隙，崔泰源接受记者采访时表示，SK海力士正在考虑在美国上市ADR，以扩大其全球投资者基础；同时，其首席执行官可能会公布稳定DRAM芯片价格的计划，集团也正在探索替代能源。

当地时间3月16日（2026年GTC大会），英伟达正式发布BlueField-4 STX模块化存储参考架构，专为智能体AI长上下文推理打造，破解传统存储瓶颈。该架构基于Vera Rubin平台，由BlueField-4 DPU驱动，结合Vera CPU和ConnectX-9 SuperNIC，将上下文存储拉至GPU近邻，构建高性能存储层。

相较于传统架构，其每秒Token处理量提升高达5倍，能效提升4倍，数据摄入速度翻倍。目前该架构已获CoreWeave、Oracle OCI、Mistral AI等云服务商支持，戴尔、HPE、IBM等厂商正基于其设计下一代AI基础设施，相关系统将于2026年下半年上市。

当地时间3月16日，美光在官网宣布公司已于2026年第一季度开始批量出货其HBM4 36GB 12H内存。该产品专为NVIDIA Vera Rubin平台设计，实现了超过11Gb/s的引脚速度，带宽超过2.8TB/s。相比其上一代HBM3E，带宽提升了2.3倍，能效提升超过20%。为了进一步提升HBM立方体的容量，美光将16颗HBM芯片堆叠在一起，并已向客户交付了HBM4 48GB 16H的样品。与HBM4 36GB 12H产品相比，每颗HBM芯片的容量提升了33%。

Counterpoint Research预测，AI 服务器计算 ASIC 对 HBM 内存的需求到 2028 年将达到 2024 年水平的 35 倍，同时平均 HBM 内存容量也将增长近 5 倍。该机构预测称，HBM3E 仍将是 AI ASIC 阵营的主力高带宽内存品类，市场占比达到 56.3%。另一方面，HBM4 与 HBM4E 合计可占到 2028 年市场的 37.7%。

美光近日宣布，已完成对力积电位于中国台湾苗栗县铜锣乡的P5晶圆厂收购案，交易金额18亿美元。该厂拥有约30万平方英尺12英寸晶圆厂无尘室，将用于支持美光扩大包括HBM在内的先进DRAM产品供应，以满足人工智能驱动的市场需求。美光计划于2026财年底前启动第二座晶圆厂建造工程，再增27万平方英尺无尘室空间，预计2028财年起可支持规模出货。力积电在移交设施的同时，将依约为美光提供HBM后段晶圆制造代工，并推进存储器制程技术合作。这一战略转型有望为力积电3D AI代工新事业注入强劲成长动能。

据韩媒援引业内人士消息称，三星电子正在评估将2nm工艺技术应用于第七代HBM4E的基片，从而提升其技术竞争力。这种涵盖存储器、逻辑和封装的架构正成为AI半导体时代的关键优势。

慧荣科技今日（3月13日）推出专为数据中心启动盘设计的PCIe Gen5 SSD主控芯片SM8008，这也是业界首款此类产品。

该主控采用台积电6nm制程，功耗低于5W，顺序读写性能可达14GB/s，4K随机读写高达230万IOPS，支持最高3600MT/s的NAND接口速率，符合NVMe 2.0a协议及OCP超大规模NVMe开机SSD 1.0规范，适用于M.2、U.2、E1.S及E3.S等多种规格，能灵活满足不同服务器架构的部署需求。目前，ATP与Exascend已将SM8008整合至其新一代企业级SSD平台。

据韩媒援引业内人士消息称，三星电子正在与英伟达合作加速开发下一代NAND闪存芯片。三星半导体研究院、 英伟达和佐治亚州理工学院的联合研究团队开发出一种“物理信息神经算子（PINO）”的模型，能以比传统方法快10,000倍以上的速度分析铁电基NAND器件的性能。该研究成果已于6日在学术界发表。基于相关研究成果，三星正与英伟达合作开发和商业化铁电NAND闪存。

群联旗下企业级应用品牌PASCARI博思锐已在电商平台开设店铺，首款上架产品为数据中心级SATA固态硬盘SA53P，搭载国产3D TLC NAND闪存。该产品采用标准2.5英寸外形规格，厚度7mm，拥有1DWPD的耐久等级，顺序读写速度分别可达530MB/s和500MB/s，随机读写性能分别为98K IOPS和39K IOPS，并提供5年有限保修服务。据悉，目前上架的PASCARI SA53P固态硬盘包含480GB/960GB/1920GB/3840GB四种容量版本。

3月11日，兆易创新宣布，其1.2V超低功耗SPI NOR Flash产品GD25UF系列已完成从8Mb至256Mb的全容量扩展。该系列产品可在1.2V电压下稳定运行，相较于传统1.8V产品，功耗显著降低，主要面向可穿戴设备、AI加速卡、物联网及电池供电应用等对能效要求较高的场景。此次容量扩展进一步完善了兆易创新在超低功耗存储领域的产品布局。

当地时间 3 月 10 日，半导体设备巨头应用材料接连宣布，美光与SK海力士成为其EPIC中心的创始合作伙伴。该中心耗资50亿美元，专攻设备与工艺创新及商业化，是美国迄今最大规模的先进半导体设备研发项目，已于今年启用，旨在大幅缩短技术从研发到量产的时间。

根据合作，应用材料将与美光共同开发面向先进DRAM、HBM及NAND应用的下一代材料、工艺技术和架构，并探索支持高带宽、低功耗内存的先进封装方案，以应对AI带来的高功耗挑战。同时，应用材料与SK海力士签署全面技术开发协议，首批合作将聚焦新材料、复杂集成及HBM级先进封装，旨在提升未来存储架构的性能与可制造性。

据外媒报道，三星电子正面临成立以来最大规模的罢工危机。由于薪资谈判最终破裂，代表约8.9万名员工（占公司总人数60%以上）的三星电子工会联合斗争本部宣布，将于3月9日至18日举行全员罢工投票，若投票通过，工会计划在4月23日举行成员集会，并于5月21日至6月7日举行为期18天的全国总罢工。目前三星正全力为英伟达下一代AI加速器供应HBM4内存，5月的罢工节点极可能打乱出货节奏，导致良率下降或产出减少。

香农芯创3月10日在互动平台表示，存储芯片价格受供需关系、原材料成本等因素影响。公司自主品牌海普存储产品的价格根据上述等因素动态调整。

3月10日，SK海力士宣布，已成功开发基于第六代10nm级（1c）工艺的16Gb LPDDR6 DRAM内存产品，专为搭载端侧AI的智能手机、平板等移动设备设计。该产品于今年1月CES展会首次亮相，目前已完成全球首个1c工艺LPDDR6开发验证，计划上半年完成量产准备，下半年正式供货。相较于上一代LPDDR5X，其数据处理速度提升33%，功耗降低20%以上，将大幅优化移动设备AI体验与续航表现。

3月9日，受中东地缘冲突、油价暴涨等因素影响，存储板块分化明显，A股逆势抗跌，海外市场集体重挫。A股半导体板块回调，存储芯片板块逆势走强，江波龙、佰维存储等涨幅显著，主力资金逆势流入。韩股KOSPI指数大跌5.96%并触发熔断，三星电子、SK海力士分别下跌7.81%、9.52%。台股加权指数暴跌1489.12点，跌幅4.43%，存储个股集体承压。日股铠侠下跌9.74%，美股存储股普跌，西部数据、希捷科技等收盘均有明显跌幅。

群联电子公布2025年第四季合并财报暨2月营收公告。2025年第四季，公司合并营收达新台币227.99亿元（折合人民币约49.52亿元），同比增长81.3%，创单季历史新高；本期净利新台币46.29亿元（折合人民币约10.05亿元），同比增长93.6%。2025年全年，公司合并营收达新台币726.64亿元（折合人民币约157.83亿元），同比增长23.3%；净利新台币87.41亿元（折合人民币约18.99亿元），同比增长9.9%。2026年2月，当月合并营收为新台币121.98亿元（折合人民币约26.49亿元），同比飙升170%；1-2月累计营收为新台币226.5亿元（折合人民币约49.20亿元），同比增长180%，均刷新历史同期新高。

近日，英伟达首席执行官黄仁勋在摩根士丹利科技大会上向DRAM厂商明确表态：“产能扩多少，我们就会用掉多少。”他认为，芯片供给短缺对英伟达而言是“极好的消息”，因为在资源受限的环境下，客户更倾向于直接选择性能最强的解决方案。黄仁勋此番表态的背后，是英伟达即将推出的新一代Vera Rubin平台对存储资源的强劲需求。

3月9日，韩国综合指数开盘大幅走低，随后震荡下挫，截至发稿，已跌超8%。韩国交易所于KOSPI 200指数期货下跌5%后启动KOSPI指数熔断机制，程序化交易暂停5分钟。个股方面，三星电子、SK海力士、均跌超10%。

日经225指数截至发稿，已跌破52000点，下跌超4000点，跌超7%，创去年4月美国关税引发抛售以来的最大跌幅。其中凯侠跌超15%。

据韩国经济日报报道，业内人士透露三星电子和SK海力士已被选为英伟达下一代旗舰AI加速器Vera Rubin的第六代高带宽内存（HBM4）的唯一供应商，这使得韩国的两家内存巨头在高端AI芯片的竞争中，相较于美国的美光科技公司取得了新的领先优势。

长江存储官网日前上线了旗下首款 PCIe 5.0 商用SSD——PC550。据官网介绍，PC550是长江存储专为AI PC打造的PCIe 5.0商用消费级固态硬盘。该硬盘采用X4-9070闪存芯片及四通道方案，相比八通道方案降低了SSD的功耗与发热，满载功耗低于6W，休眠功耗低至3mW，使其更契合笔记本电脑的散热环境，同时提升设备续航能力。PC550 可选512GB、1TB、2TB三个容量版本，顺序读写速度分别可达 10,500MB/s、10,000MB/s，随机读写速度均可达 1300K IOPS（1TB 版本）。