近日,高投集团旗下基金成都高新倍特启新股权投资合伙企业(有限合伙)对西安紫光国芯半导体股份有限公司完成投资。紫光国芯已经正式启动向不特定合格投资者公开发行股票并上市的辅导工作。
德明利在互动平台表示,其光明智能制造基地定位为高端制造与测试验证中心,主要涉及企业级与嵌入式存储产品,投产后将形成覆盖智能制造、测试验证及规模化交付的一体化高端制造体系,具备企业级SSD、RDIMM及嵌入式存储等产品的测试与规模量产能力。目前光明基地正处于产能爬坡阶段,整体产能利用率处于合理水平。
据韩媒Herald经济援引业内人士消息称,SK海力士上周开始拆除位于其清州园区的C1光罩厂。据悉,SK海力士已开始对其位于清州园区的光罩厂进行改造,将其改建为晶圆测试工艺技术研发中心。目前改造工程正在进行中,目标是最早今年12月或最迟明年2月投入运营,此举似乎旨在提高高带宽存储器(HBM)的良率。然而,SK海力士相关人士当天对此回应表示此事难以核实。
南亚科技总经理李培瑛今天表示,公司与多家国际AI公司合作,最近有4家客户参与私募,目标都是云端AI应用。由于思科等4家客户认购的南亚科技私募股票要闭锁3年,南亚科承诺供货3年。他指出,目前产能无法满足客户需求,预期DRAM市场供需缺口可能延续到明年底。南亚科技将积极推动新厂建设与资本支出,预计2026年资本支出超过新台币520亿元。新厂预计明年一季度开始装机,下半年进入量产,明年底至后年将贡献产出,预期会增加3万多片,预期2到3年后南亚科技产能将比目前增加80%至100%。
继昨晚晚间三星电子与工会达成初步协议之后,今日早盘三星电子、SK海力士股价集体高开,截至发稿,三星电子、SK海力士股价涨幅分别扩大至7%、11%以上。
据上交所披露,长鑫科技集团股份有限公司的科创板首发事项(IPO)已确定将于 2026年5月27日上会审议。
中国证监会及上海证券交易所披露公告,终止对武汉新芯集成电路股份有限公司首次公开发行股票并在科创板上市的审核。此次终止系公司与保荐人主动撤回申请。
5月19日,证监会官网显示,长江存储控股股份有限公司发布首次公开发行股票并上市辅导备案报告,辅导状态现为辅导备案,辅导券商为中信证券、中信建投证券。
据韩媒报道,曾任三星电子DS部门负责人的庆桂显于5月18日在首尔出席韩国国家工程院(NAEK)论坛时指出,中国企业正积极扩大产能,随着存储供应量的激增,市场格局可能会在明年下半年或2028年上半年发生转变,预计存储芯片价格将从明年下半年开始下降。他还提出警示,若AI投资报酬率不如市场预期,2028年后甚至不排除出现需求萎缩风险。
随着市场需求变化,为了更好地反映存储行情,CFM闪存市场将于2026年5月19日新增DDR5 UDIMM、SODIMM及LPDDR5X产品报价。
新增产品如下:DDR5 UDIMM 8GB 5600、DDR5 UDIMM 8GB 6000;DDR5 SODIMM 8GB 5600、DDR5 SODIMM 16GB 5600;LPDDR5X 32Gb、LPDDR5X 48Gb、LPDDR5X 64Gb、LPDDR5X 96Gb、LPDDR5X 128Gb(上述LPDDR5X指标为245ball、315ball两种封装形式;其中,32Gb/64Gb/96Gb包含LPDDR5X 245ball、315ball;48Gb为LPDDR5X 245ball,128Gb为LPDDR5X 315ball)
新增产品均为每周二上午11:00更新报价,单位:美金。此外,将删除DDR4 SODIMM 4GB 3200和LPDDR4X 96Gb产品报价。
西部数据宣布在其最新款高容量 Ultrastar® UltraSMR 硬盘驱动器中集成后量子密码技术 (PQC),旨在帮助保护从制造到现场服务的设备信任链。此举不仅是功能增强,更体现了将量子弹性安全直接嵌入数据基础设施底层架构的更广泛趋势。其重点在于保护设备级信任,包括固件完整性和密钥管理,而非静态数据加密。目前,该硬盘正在接受多家超大规模客户的认证,这反映出市场对量子弹性存储架构的浓厚兴趣。
据韩媒援引内部消息人士透露,三星电子DS部门最近将应用于HBM3E核心芯片的10纳米级第五代(1b)DRAM的良率提高到92%(基于冷态测试),并将安装在HBM4上的第六代(1c)DRAM的良率提高到75%以上。
Sandisk Optimus(闪迪奥丁马仕)固态硬盘系列今日正式上市,包括GX PRO 8100、GX PRO 850X、GX 7100和5100。其中,GX PRO 8100支持1TB/2TB/4TB/8TB(暂未开售),顺序读取最高 14900MB/s;GX PRO 850X支持1TB/2TB/4TB/8TB,顺序读取最高 7300MB/s;GX 7100和5100均支持500GB/1TB/2TB/4TB,顺序读取最高分别为7250MB/s、7100MB/s。
5月18日上午,兆易创新(A股)盘中封涨停,股价续创历史新高。截至发稿,兆易创新股价408元,成交金额超170亿,总市值超2850亿。
长鑫科技集团股份有限公司科创板IPO招股说明书(申报稿)显示,公司预计2026年1-6月主要财务数据如下:营业收入11,000,000万元至12,000,000万元,同比增长612.53%至 677.31%;净利润6,600,000万元至7,500,000万元,归属于母公司所有者的净利润5,000,000万元至5,700,000万元,扣除非经常性损益后归属于母公司所有者的净利润520亿元至580亿元。
铠侠财报显示,2025年第四财季(2026年1-3月)其NAND Flash平均售价(以美元计)环比增长超一倍,Bit增长率环比下降约10%。
铠侠发布截至2026年3月31日的FY25 Q4(2026年1-3月)财务业绩,营收10029亿日元(约合69.7亿美元),环比增长84.5%,同比大增188.9%;Non-GAAP下,营业利润为5991亿日元(约合41.7亿美元),环比大增314.2%,同比大涨近15倍;Non-GAAP下归属于母公司所有者的利润为4099亿日元(约合28.5亿美元),环比增长357.9%,同比大涨近30倍。
群联与联发科携手于MediaTek天玑开发者大会上宣布,已在天玑9500平台上,单机运行20B (200亿个参数)大型语言模型,展现新一代地端AI推论的关键突破。通过群联专利aiDAPTIV Hybrid UFS 解决方案,结合aiDAPTIV Cache Memory 与aiDAPTIV Middleware 技术,成功将部分MoE 模型权重动态卸载至UFS存储层,有效降低对DRAM 的依赖,原需16GB+ DRAM 的大模型,可在12GB DRAM 环境下流畅运行,大幅提升大模型在终端设备部署的可行性。
中芯国际联合CEO赵海军在业绩会上表示,受行业产能挤压影响,专用存储器市场面临紧缺格局。目前中芯国际现有逻辑电路、MCU、功率器件等产品线产能均处于满载状态,无法直接抽调现有产能大规模转产专用存储器,只能依靠扩充整体总产量的方式,逐步分出部分产能投向专用存储器。现阶段专用存储器整体仍处于供不应求状态,短期内无法一次性满足客户全部需求。
铠侠官网发布面向PC OEM厂商的XG10系列SSD,采用PCIe 5.0技术,容量规格包括512 GB、1024 GB、2048 GB 和 4096 GB。相较于前代产品,XG10系列的顺序读写表现超2倍,随机读取性能提升约122%,随机写入性能提升约158%——支持更快的数据访问和更高的系统响应速度。KIOXIA XG10 系列目前正在向部分 PC OEM 客户提供样品,搭载该SSD的PC产品预计将于2026年第二季度开始出货。新款硬盘将在5月18日至21日于拉斯维加斯举行的戴尔科技世界大会上亮相。
随着AI大模型开始进入智能手机,本地AI正在成为全球手机产业的新竞争焦点。而为了让智能手机和平板电脑带来服务器级别的AI算力体验,三星电子正在开发一项全新的移动存储封装技术。这项技术被称为“多层堆叠FOWLP(Multi Stacked FOWLP)”,它的出现,或许将彻底打破移动端AI的性能瓶颈。
存储芯片股午后持续走强,截至发稿,德明利涨停,江波龙涨超9%,佰维存储涨超6%,大普微涨超18%。
美光宣布,已向关键服务器生态系统合作伙伴提供256GB DDR5 RDIMM样品。该模块采用美光1-gamma技术,传输速度高达每秒9200兆传输(MT/s),比目前量产的模块快40%以上。单个256GB模块的运行功耗比两个128GB模块低40%以上,从而显著提升现代人工智能数据中心的效率。
钰创董事长卢超群昨日表示,当前DRAM价格以每月10%-20%的速度上涨,DDR4、DDR5供给吃紧至少延续至明年中。他指出,AI带来的结构性改变正全面推升存储需求,尽管市场预期Q3后DRAM价格涨势可能趋缓,但若AI新应用和新平台需求持续扩大,不排除价格仍有进一步上涨空间。此外,公司订单能见度已达今年底至明年上半年,后市展望乐观。
据韩媒援引业内人士消息报道称,三星电子计划今年第 3 季度向主要服务器和数据中心客户交付基于 CXL 3.1 规范的 CMM-D 内存模块样品,最早今年四季度量产。与上代 CXL 2.0 规范的 CMM 内存模块相比,CXL 3.1 CMM-D 的每通道传输速率翻倍,这意味着系统可从 CXL 附加内存处获得更大的内存带宽,提升整体运行效率。
部分存储厂商4月通过竞价方式,成功获取环比上月价格更低的原厂LPDDR4X资源,有效摊薄了成品成本。但从需求端来看,近期市场买气持续疲弱,即便上述具备成本优势的厂商主动下调成品报价,客户仍多以观望为主,成交意愿不强,低成本优势在当前低迷的需求环境下,未能有效转化为实际出货量,本周多数LPDDR4X价格小幅调降。
LPDDR:LPDDR4X 64Gb 跌 2.91% 至 $100.00,LPDDR4X 48Gb 跌 3.75% 至 $77.00,LPDDR4X 32Gb 跌 6.67% 至 $56.00;
eMCP:eMCP(eMMC + LPDDR4X)64GB+32Gb 跌 4.82% 至 $79.00,eMCP(eMMC + LPDDR4X)128GB+32Gb 跌 4.40% 至 $87.00,eMCP(eMMC + LPDDR4X)128GB+48Gb 跌 2.70% 至 $108.00;
uMCP:uMCP(LPDDR4X + UFS2.2)4GB+128GB 跌 4.30% 至 $89.00,uMCP(LPDDR4X + UFS2.2)6GB+128GB 跌 2.65% 至 $110.00,uMCP(LPDDR4X + UFS2.2)8GB+128GB 跌 2.21% 至 $133.00,uMCP(LPDDR4X + UFS2.2)8GB+256GB 跌 1.84% 至 $160.00。
在近半年多的时间里,存储价格暴涨正逐渐挑战行业客户的可承受价位,甚至目前高价行业存储产品已超过特定应用场景的客户承受区间,部分PC客户降容明显,DDR4产品中8GB等低容量产品应用居多。基于此前囤积的较低价的次级资源,行业厂商在仍有一定利润基础上具备较大的价格调整空间,加上个别竞争者竞价出货造成的压力犹存,本周行业8GB DDR4内存条价格缓跌。近期原厂NAND资源官价坚挺微涨且控货力度渐强,行业SSD价格相对较稳。
内存条(行业市场):DDR4 SODIMM 8GB 3200 跌 3.53% 至 $82.00。
尽管五一假期后,渠道贸易端抛货拉踩动作明显减少,甚至存储股市的狂热风吹到了渠道市场,部分贸易商继上月出逃抽离后,基于当前价格处于近两个月的较低水位又重拾备货信心,渠道品牌SSD及内存条贸易零售价率先出现不同程度的止跌反弹,渠道市场短期观望情绪正缓慢退却,询单环比上月有所增加,但是买卖双方之间仍存在一定的价差,实单成交较为艰难,本周渠道SSD、内存条小幅向下调整。
内存条(渠道市场):DDR4 UDIMM 8GB 3200 跌 5.00% 至 $38.00,DDR4 UDIMM 16GB 3200 跌 2.50% 至 $78.00,DDR4 UDIMM 32GB 3200 跌 2.94% 至 $165.00,DDR5 UDIMM 16GB 5600 跌 3.23% 至 $150.00,DDR5 UDIMM 16GB 6000 跌 4.19% 至 $160.00,DDR5 UDIMM 32GB 5600 跌 3.70% 至 $260.00,DDR5 UDIMM 32GB 6000 跌 1.82% 至 $270.00;
SSD(渠道市场):Channel SSD 240GB SATA 跌 2.50% 至 $39.00,Channel SSD 480GB SATA 跌 4.00% 至 $72.00,Channel SSD 256GB PCIe 3.0 跌 2.38% 至 $41.00,Channel SSD 512GB PCIe 3.0 跌 3.53% 至 $82.00,Channel SSD 1TB PCIe 3.0 跌 3.85% 至 $125.00,Channel SSD 512GB PCIe 4.0 跌 3.41% 至 $85.00,Channel SSD 1TB PCIe 4.0 跌 3.45% 至 $140.00,Channel SSD 2TB PCIe 4.0 跌 1.85% 至 $265.00。
据CFM闪存市场最新报价,DDR4、DDR5高等级颗粒价格上涨,
DDR:DDR4 8Gb 3200 涨 20.00% 至 $18.00,DDR5 24Gb Major 涨 11.11% 至 $40.00,DDR5 16Gb Major 涨 16.67% 至 $35.00。
中微半导公告称,公司正式发布自研32M bit SPI NOR Flash芯片,型号为CMS25Q32A,是继今年1月首款NOR Flash后存储产品系列化的最新成果。该产品尚未实现销售,存在市场推广与客户开拓不及预期的风险。