兆易创新9月1日召开2026年半年度业绩说明会。DRAM方面，公司预计DRAM产品在下半年还会延续上涨的态势，价格会转为温和上行。展望2027年，DRAM行业增量产能释放相对有限，DRAM供应的紧张局面不会明显缓解，行业景气周期相对较长，产品价格预计呈高位震荡态势。NAND方面，公司预计NOR Flash产品价格温和上涨预计仍将持续一段时间，其中大容量产品价格涨幅相对明显；SLC NAND Flash供应短缺目前仍未出现显著缓解，公司预计其景气周期至少延续至2027年全年。

据韩媒援引业内人士消息，随着AI对高带宽内存（HBM）的需求日益增长，三星电子存储业务部门已将截至2031年可供应产能的约70%分配给长期供货协议（LTA）订单。据悉，三星电子LTA主要合作方为英伟达、微软、谷歌等全球大型科技企业。相关协议为三星电子的客户提供了远低于HBM现货价格的优惠，现货价格最高可达长期协议价格的五倍。

V10 是三星最新的 3D NAND 闪存，专为满足人工智能时代对高性能、高容量和节能存储日益增长的需求而开发。基于三星的3D Bonded-VNAND架构，V10拥有超过400条字线（WL）。实现超过400层的关键在于“三层堆叠高纵横比（HARC）合并”技术。这种方法并非一次性堆叠超过400层单元，而是将它们分成三个堆叠部分，分别创建每个部分，然后垂直连接起来。相比上一代产品V9，V10的位密度提升超过58%，数据I/O速度超过4.8Gbps，性能提升超过33%，同时功耗降低超过25%。三星电子计划将V10用于支持容量高达128 TB的超高容量SSD以及下一代 PCIe 7.0 SSD。

德明利发布2026年半年报。报告显示，报告期内营业收入为169.11亿元，同比增长311.55%；归母净利润60.17亿元，同比扭亏为盈（上年同期亏损1.18亿元）；扣非净利润59.66亿元，同比扭亏为盈（上年同期亏损1.22亿元）。按季度看，第二季度德明利营收93.72亿元，同比增长228.04%，环比增长24.33%；归母净利润26.71亿元，同比增长55.67倍，环比减少20.18%；扣非净利润26.32亿元，同比增长56.54倍，环比减少21.04%。

据韩媒报道，三星电子正配合英伟达要求开发8层第七代高带宽存储器（HBM4E），较原计划的12层、16层方案显著降低堆叠高度，英伟达提出的速度规格为17-18Gbps，较三星初期HBM4E 14.4Gbps的样品速度高出约20%，该产品据悉将用于NVHBM。

江波龙在港交所公告，在港上市拟发行2607万股H股（视乎发售量调整权及超额配股权行使与否而定），发行价最高不超240.60港元/股，预期9月8日开始交易。

武汉新芯发布面向未来十年的“芯光计划”，将聚焦“光感互联、三维存算”，力争实现产能翻两番，加快建设特色工艺晶圆制造和三维集成产业平台。伴随产能跃升，武汉新芯计划在2035年前引育超万名半导体高端人才，以AI赋能下一代智能工厂，预计带动超千亿级生态链协同发展。

长鑫存储近日向美国哥伦比亚特区联邦地区法院提起诉讼，将美国国防部及国防部长皮特·赫格塞思列为被告，挑战其被单方面列入1260H清单的合法性。长鑫存储成为继小米、中微、禾赛、药明康德、阿里巴巴、长江存储之后，第7家对美方"中国涉军企业"清单发起法律反击的中国企业。

长鑫存储指控称，美国国防部将其列入所谓"中国军工企业"名单的决定是"武断的"、缺乏证据支持，且违反正当程序，要求法院推翻这一决定并将其从黑名单中移除。长鑫存储明确表示，其并非军工企业、与中国军方无任何关联，所设计的DRAM芯片均用于智能手机、笔记本电脑和服务器等民用及商业用途，而非军事用途。

据业界消息，美光中国台湾厂区员工因不满奖金分配制度，正酝酿一场可能撼动全球DRAM供应链的罢工行动，两大工会合计约1万名会员，初步民调约八成支持罢工，若9月中旬法定调解破裂，最快9月将举行罢工投票。

香农芯创发布半年报：上半年营业收入602.04亿元，同比增长251.6%；归母净利润36.42亿元，同比增长2207.2%。按季度看，第二季度营业总收入364.4亿元，同比增长295.34%；归属于母公司所有者的净利润23.14亿元，同比增长1539.99%。

报告期内，香农芯创电子元器件分销业务收入同比增长 239.44%，海普存储业务收入同比增长 996.19%。随着海普存储业务的高速增长其盈利得到大幅提升，本期海普存储业务利润对公司归属于上市公司股东的净利润的占比较上年同期增加 17.76 个百分点。

据韩媒报道，高通公司执行副总裁兼总经理Durga Malladi近日表示，三星电子和 SK 海力士正积极与高通公司合作，推进其高带宽计算 (HBC) 技术的商业化，同时继续推进其现有的高带宽内存 (HBM) 开发路线图。

HBC架构将多个低功耗DRAM（LPDDR）芯片垂直堆叠，并放置在下方的加速芯片（XPU）之上，XPU作为计算核心。与传统的水平连接计算和内存的系统相比，该架构能够实现更高的数据传输带宽。它是一种近内存计算（NMC）技术，并且与HBM一样，使用硅通孔（TSV）进行垂直堆叠。

据韩媒newsis报道，SK海力士CEO郭鲁正表示，没人知道短缺会持续多久，但目前还没有明显的衰退迹象，预计存储半导体供应短缺将持续到2030年底，即使之后需求也不会出现大幅下降。

据韩媒报道称，NVIDIA已要求上游 HBM 内存供应商调整 HBM4 内存的供应规划，提升 8 层堆叠 (8Hi) 产品占比，更高堆叠的 12Hi HBM4 比例相应减少。

铠侠与闪迪宣布，预计将在日本进行总额超过310亿美元（约合5万亿日元）的重大投资，具体金额取决于日本政府的支持。这些投资将持续到2032年，并将继续加强铠侠和闪迪的合作关系，这些投资将支持四日市工厂和北上工厂及其相关基础设施和技术的持续建设。

SK海力士将于当地时间27日中午12点在美国印第安纳州举行人工智能（AI）存储器先进封装生产基地的奠基仪式，并正式启动全面建设。SK海力士将投资40亿美元建设该工厂，目标是在2028年底前竣工。该工厂计划量产人工智能存储产品，包括下一代高带宽内存（HBM）。

大普微8月26日晚间发布《关于签订日常经营重大合同的公告》，公司于8月25日与客户A签订关于主营业务产品企业级PCIe SSD的销售订单。该订单含税总金额约5.15亿美元，占公司2025年经审计主营业务收入的152.70%。订单经双方书面确认起生效，交付期限为订单生效后18周内。除产品名称、数量、单价、付款条件等内容外，订单还就相关条款作出约定。

据日媒报道，因AI普及，带动存储需求激增，为加快高性能产品的增产投资，铠侠将在岩手县兴建NAND Flash新厂房，预估投资额将超过1兆日圆（约合62.78亿美元）。铠侠高层将在27日访问日本首相官邸，宣布新厂兴建计划。

三星电子推出了 P9 和 P7 两款移动固态硬盘 (pSSD)，均配备 USB4 接口。其中，P9 pSSD 为专业用户提供高端性能，支持 12K 直录，顺序读写速率分别可达 4000MB/s 和 3800MB/s。P7 pSSD 专为日常使用场景中的快速便捷存储而设计，通过抗 2m 跌落、抗冲击、抗震动测试。P9、P7 pSSD 均提供 1TB / 2TB / 4TB / 8TB 四种容量选择。

三星电子日前公布面向智能手机、AI PC等端侧AI设备的LPDDR5X-PIM架构及详细性能指标。该技术可在内存内部直接完成部分运算处理，无需将数据反复传输至处理器。LPDDR5X-PIM 的 PIM 带宽高达614GB/s，容量为16GB。相比之下，传统 DRAM 的带宽仅为 76.8GB/s，PIM 技术的应用使带宽提升了八倍。

三星使用Meta的拥有80亿参数模型"Llama 3.1"进行测试，结果显示：

处理时间：从传统LPDDR5X的12.3秒缩短至5.4秒，提速约2.3倍；
每秒Token处理量（TPS）：从27个提升至81.3个，是现有产品的3倍。

联芸科技发布半年度报告。公告显示，半年度营业收入854,109,397.31元，同比增加40.08%；归属上市公司股东的净利润519,551,700.50元，同比增加825.54%；归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润56,525,153.84，同比增加61.07%。

自今年二季度起，eMMC市场需求明显转弱，甚至Q3低迷市况更加严重，客户库存高企下对于新一轮的备货较为谨慎，甚至部分客户延迟提货；不仅如此，上下游产业链各方在现货贸易市场释放出大量此前囤积的64GB eMMC产品库存，加上市场个别报价偏低，存储厂商出货普遍承压，本周32GB、64GB eMMC产品价格小幅调降。

LPDDR方面，相对于eMMC，LP4X/5X近期受资源成本上涨的压力更加巨大，尤其是48Gb以上容量的LP4X成品与资源严重倒挂，但客户降容早已成常态，大容量LP产品出货相对更加艰巨，本周48Gb、64Gb LP4X产品价格下修。而随着资源价格持续上涨，海外原厂LPDDR Wafer价格已高达2美金/Gb（考虑良率的情况下），个别存储厂商已难以接受当前高价。具体来看：

LPDDR：LPDDR4X 64Gb 跌 2.04% 至 $96.00，LPDDR4X 48Gb 跌 2.63% 至 $74.00

eMMC：eMMC 32GB 5.1 跌 4.35% 至 $22.00，eMMC 64GB 5.1 跌 4.26% 至 $22.50

eMCP：eMCP(eMMC + LPDDR4X)64GB+32Gb 跌 0.60% 至 $82.50，eMCP(eMMC + LPDDR4X)128GB+48Gb 跌 1.87% 至 $105.00

UFS：UFS 2.2 64GB 跌 7.41% 至 $25.00

uMCP：uMCP(LPDDR4X + UFS2.2)6GB+128GB 跌 1.83% 至 $107.00，uMCP(LPDDR4X + UFS2.2)8GB+128GB 跌 3.73% 至 $129.00，uMCP(LPDDR4X + UFS2.2)8GB+256GB 跌 3.11% 至 $156.00

由于design in资源价格仍坚挺在高位使得生产成本居高不下，当前行业SSD价格处于历史峰值，而高昂的价格也导致部分行业客户提货放缓，除头部PC OEM以外的其他客户释放的新订单十分稀少，未来一个月内在承受巨大业绩压力的同时，存储厂商坚持稳价这一方针下来推动出货将尤其艰难。本周行业市场SSD及内存条价格持平。

6月份以来，受DDR5资源涨价影响，加上本身上游供应较为有限，渠道DDR5内存条已多次跟调价格；近两周以来渠道DDR4资源价格也正小幅抬升，但短期难以对相关成品形成有效带动。SSD方面，近期个别渠道存储厂商出现较激进的竞价出货动作，但尚未有大规模其他厂商跟进降价，因此，本周渠道SSD价格暂时持平。

据CFM闪存市场报价，上游资源方面，Flash Wafer、DDR4及DDR5颗粒价格持平。

三星DRAM设计团队负责人Sangwook Han日前在Hot Chips 2026大会上透露，三星正在筹备出货单引脚速率高达16Gbps的HBM4E内存。目前，三星已向客户交付单引脚速率14Gbps的HBM4E工程样品。在2048引脚配置下，14Gbps版本单堆叠最大带宽可达3.6TB/s；而当速率提升至16Gbps时，单堆叠最大带宽将跃升至4TB/s。考虑到每个AI加速器或GPU通常搭载十余个HBM堆栈，HBM4E的带宽升级将为下一代AI芯片提供极为可观的总内存带宽。

小米日前发布玄戒O3，这是全球首款支持LPDDR6的旗舰处理器。据细，长鑫LPDD6将作为国产内存首发搭配玄戒O3，正式落地商用。长鑫LPDDR6单颗粒容量16Gb，芯片容量16GB，与SoC协同运行的基础速率为10667Mbps，最高速率可达12800Mbps，封装为1295 Ball的POP形式，在低功耗设计、RAS功能上较LPDDR5X产品有明显优化提升。据悉，长鑫已于今年3月向关键客户送样LPDDR6，8月验证工作接近尾声。

大普微发布2026年半年度报告。报告显示，2026年上半年营收47.22亿元，同比增长531.17%；归属于上市公司股东的净利润为13.34亿元，上年同期亏损3.54亿元，实现扭亏为盈，同比增长477.08%；扣除非经常性损益后的净利润为13.31亿元，上年同期亏损3.61亿元，同比增长468.13%。按季度看，第二季度营收为34.13亿元，环比增长160.55%，归属于上市公司股东的净利润为9.64亿元，环比增长160.64%，扣除非经常性损益后的净利润为9.63亿元，环比增长161.93%。

据韩媒inews24报道，SK海力士工会就2026年工资和集体谈判协议的暂定协议进行的投票于25日上午9点结束，结果显示50.08%投了反对票，49.92%投了赞成票，关于绩效奖金支付方式的重新谈判已不可避免。鉴于工会成员对薪资补贴的支付方式而非工资增长率存在严重分歧，如何调整现金与库存股支付的比例将成为重新谈判的关键问题。

8月25日，日经225指数和韩国KOSPI指数开盘下跌。截至发稿，日经225指数跌0.96%、韩国综指跌超3%。存储概念个股方面，截至发稿，三星跌超2%，SK海力士跌超5%，铠侠跌超7%。