消息称三星HBM3E和HBM4的DRAM良率提高

存储器 2026-05-18 14:36

据韩媒援引内部消息人士透露,三星电子DS部门最近将应用于HBM3E核心芯片的10纳米级第五代(1b)DRAM的良率提高到92%(基于冷态测试),并将安装在HBM4上的第六代(1c)DRAM的良率提高到75%以上。

简讯快报

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