CFM闪存市场近日发布2026年第三季度存储市场展望报告。报告指出，预计2026年三季度，服务器DDR5、eSSD价格环比涨幅将分别落在10%~20%、25%~30%区间；Mobile LPDDR4X/5X、eMMC/UFS价格涨幅分别约5%~15%、15%-25%；PC DDR5/LPDDR5X涨幅预计约13%-18%，cSSD涨幅约15%~25%。

CFM闪存市场2026年价格环比幅度预测：

来源：CFM闪存市场。注：最终实际情况可能存在调整，因各供应商拟定基准价不同，最终幅度会有差异。

SK海力士制定总额达1100万亿韩元（约合7130亿美元）的中长期投资战略，以应对全球AI存储器的快速增长需求。该战略将分阶段在龙仁投资600万亿韩元、清州投资100万亿韩元、西南地区投资400万亿韩元。

原计划于2045年竣工的龙仁半导体产业集群，其第四座晶圆厂的完工时间将提前12年至2033年；

SK海力士将在清州投资100万亿韩元（约合648亿美元），扩大NAND闪存产能。这是自2018年M15工厂建成以来，SK海力士在该厂区首次进行重大NAND产能扩张。该投资将用于建设新的NAND闪存晶圆厂、安装生产设备以及扩大用于HBM后端加工的先进封装能力。SK海力士计划将清州进一步发展成为涵盖NAND、HBM和先进封装的综合制造中心；

SK海力士计划投资400万亿韩元（约合2593亿美元）在西南地区打造新的半导体产业集群。该投资将分阶段进行，涵盖土地购置、晶圆厂建设和生产设备安装。

据台媒报道，群联电子执行长潘健成近日表示，当前NAND Flash市场供给持续紧张，缺货情况深不见底。他预计，今年下半年的供需紧张程度将远超上半年，而明年的情况恐怕还会更加严峻。潘健成强调，Flash缺货将是一个长期且不可逆的趋势，目前公司的订单已经排到了2027年第一、第二季度。

三星电子近日召开了为期三天的全球战略会议。据韩媒引述业内人士消息，其DS部门会议重点围绕高带宽内存（HBM）的销售扩张以及长期供应协议（LTA）战略进行了深入探讨。

据韩媒报道，SK海力士将于今年年底前量产下一代375层3D NAND闪存。目前，SK海力士已完成375层NAND闪存的生产验证工作，正着手准备将生产线转移至量产阶段。此次并未新建工厂，而是对清州M15工厂现有的产线（目前主要生产176层、238层和321层产品）进行改造升级，目前正在投入资金将其改造为375层产品生产线。

三星电子宣布，已开始向全球主要客户交付业界首批 12 层 HBM4E 样品，进一步巩固了其在下一代 HBM 市场的领先地位。三星 HBM4E 可提供稳定的 14 Gbps 引脚传输速度，性能可扩展至 16 Gbps，以满足日益增长的数据处理需求。三星12 层 HBM4E 提供 48 GB 容量，比上一代产品增加了 30% 以上，并计划根据客户需求扩展产品线，包括 32 GB（8 层）和 64 GB（16 层）配置。

据CFM闪存市场数据显示，1Q26全球NAND Flash市场规模428.15亿美元，企业级SSD需求倍增并仍在加速，尽管消费类需求现疲软迹象，但不改整体供不应求的局面，1Q26 NAND ASP环比大增，推动一季度全球NAND Flash市场规模环比续增81.8%。具体来看，三星市场份额29.7%，排名第一；SK海力士市场份额17.6%，排名第二；铠侠市场份额14.9%，排名第三；闪迪市场份额13.9%，排名第四；美光市场份额11.7%，排名第五。

据CFM闪存市场数据显示，1Q26全球DRAM市场规模943.25亿美元，环比增长81.5%。数据中心需求激增已导致DRAM供应紧张，HBM占据大部分产能进一步挤占其他DRAM供给，推动Q1 DDR/LPDDR产品ASP大幅上涨，目前通用型DDR利润率已超过HBM。具体来看，三星市场份额为40.5%，SK海力士市占29.6%，美光市占19.9%，长鑫存储市占7.7%，南亚科技市占1.6%，华邦电子市占0.6%。

据外媒报道，美光科技全球运营负责人Manish Bhatia近日于投资者会议上表示，美光HBM4产能爬坡速度，比其去年量产HBM3 12层产品时快了两倍，目前产品良率的提升速度也在不断加快。此外，美光HBM4E的开发进展顺利，预计2027年将开始量产。

美光科技日前宣布，已在其位于弗吉尼亚州马纳萨斯的工厂正式启动 1α（1-alpha）DRAM 的生产，这是美国迄今为止最先进的内存技术，将用于生产DDR4及LPDDR4产品，预计将于今年年底实现全面量产，将使该基地DDR4 晶圆供应量提升四倍。主要服务于汽车、国防、航空航天、工业、网络设备及医疗设备等拥有长生命周期需求的客户群体，该客户群体中并未包含数据中心领域。

随着市场需求变化，为了更好地反映存储行情，CFM闪存市场将于2026年5月19日新增DDR5 UDIMM、SODIMM及LPDDR5X产品报价。

新增产品如下：DDR5 UDIMM 8GB 5600、DDR5 UDIMM 8GB 6000；DDR5 SODIMM 8GB 5600、DDR5 SODIMM 16GB 5600；LPDDR5X 32Gb、LPDDR5X 48Gb、LPDDR5X 64Gb、LPDDR5X 96Gb、LPDDR5X 128Gb（上述LPDDR5X指标为245ball、315ball两种封装形式；其中，32Gb/64Gb/96Gb包含LPDDR5X 245ball、315ball；48Gb为LPDDR5X 245ball，128Gb为LPDDR5X 315ball）

新增产品均为每周二上午11:00更新报价，单位：美金。此外，将删除DDR4 SODIMM 4GB 3200和LPDDR4X 96Gb产品报价。

铠侠财报显示，2025年第四财季（2026年1-3月）其NAND Flash平均售价（以美元计）环比增长超一倍，Bit增长率环比下降约10%。

部分存储厂商4月通过竞价方式，成功获取环比上月价格更低的原厂LPDDR4X资源，有效摊薄了成品成本。但从需求端来看，近期市场买气持续疲弱，即便上述具备成本优势的厂商主动下调成品报价，客户仍多以观望为主，成交意愿不强，低成本优势在当前低迷的需求环境下，未能有效转化为实际出货量，本周多数LPDDR4X价格小幅调降。

LPDDR：LPDDR4X 64Gb 跌 2.91% 至 $100.00，LPDDR4X 48Gb 跌 3.75% 至 $77.00，LPDDR4X 32Gb 跌 6.67% 至 $56.00；

eMCP：eMCP(eMMC + LPDDR4X)64GB+32Gb 跌 4.82% 至 $79.00，eMCP(eMMC + LPDDR4X)128GB+32Gb 跌 4.40% 至 $87.00，eMCP(eMMC + LPDDR4X)128GB+48Gb 跌 2.70% 至 $108.00；

uMCP：uMCP(LPDDR4X + UFS2.2)4GB+128GB 跌 4.30% 至 $89.00，uMCP(LPDDR4X + UFS2.2)6GB+128GB 跌 2.65% 至 $110.00，uMCP(LPDDR4X + UFS2.2)8GB+128GB 跌 2.21% 至 $133.00，uMCP(LPDDR4X + UFS2.2)8GB+256GB 跌 1.84% 至 $160.00。

在近半年多的时间里，存储价格暴涨正逐渐挑战行业客户的可承受价位，甚至目前高价行业存储产品已超过特定应用场景的客户承受区间，部分PC客户降容明显，DDR4产品中8GB等低容量产品应用居多。基于此前囤积的较低价的次级资源，行业厂商在仍有一定利润基础上具备较大的价格调整空间，加上个别竞争者竞价出货造成的压力犹存，本周行业8GB DDR4内存条价格缓跌。近期原厂NAND资源官价坚挺微涨且控货力度渐强，行业SSD价格相对较稳。

内存条(行业市场)：DDR4 SODIMM 8GB 3200 跌 3.53% 至 $82.00。

尽管五一假期后，渠道贸易端抛货拉踩动作明显减少，甚至存储股市的狂热风吹到了渠道市场，部分贸易商继上月出逃抽离后，基于当前价格处于近两个月的较低水位又重拾备货信心，渠道品牌SSD及内存条贸易零售价率先出现不同程度的止跌反弹，渠道市场短期观望情绪正缓慢退却，询单环比上月有所增加，但是买卖双方之间仍存在一定的价差，实单成交较为艰难，本周渠道SSD、内存条小幅向下调整。

内存条(渠道市场)：DDR4 UDIMM 8GB 3200 跌 5.00% 至 $38.00，DDR4 UDIMM 16GB 3200 跌 2.50% 至 $78.00，DDR4 UDIMM 32GB 3200 跌 2.94% 至 $165.00，DDR5 UDIMM 16GB 5600 跌 3.23% 至 $150.00，DDR5 UDIMM 16GB 6000 跌 4.19% 至 $160.00，DDR5 UDIMM 32GB 5600 跌 3.70% 至 $260.00，DDR5 UDIMM 32GB 6000 跌 1.82% 至 $270.00；

SSD(渠道市场)：Channel SSD 240GB SATA 跌 2.50% 至 $39.00，Channel SSD 480GB SATA 跌 4.00% 至 $72.00，Channel SSD 256GB PCIe 3.0 跌 2.38% 至 $41.00，Channel SSD 512GB PCIe 3.0 跌 3.53% 至 $82.00，Channel SSD 1TB PCIe 3.0 跌 3.85% 至 $125.00，Channel SSD 512GB PCIe 4.0 跌 3.41% 至 $85.00，Channel SSD 1TB PCIe 4.0 跌 3.45% 至 $140.00，Channel SSD 2TB PCIe 4.0 跌 1.85% 至 $265.00。

据台媒报道，慧荣科技总经理苟嘉章预测，在AI投资重心转向推理的带动下，NAND Flash可能一路缺货到2028年，下半年内存价格将持续上涨。他指出，北美云服务商为锁定产能已与原厂积极签订长期合约。然而，即使各大存储厂商现在启动扩产，到形成有效产能至少需要2至3年，无法立刻反应在供给上。由于短期供需缺口难以改善，今年下半年内存价格仍将保持上涨，但涨幅可能小于上半年。价格若持续高涨恐不利产业均衡发展，部分手机与电脑厂商已难以承受成本压力，预计具备采购优势的大型品牌如苹果，市占率将大幅提高。

慧荣科技公布2026年第一季度（截至2026年3月31日）财报：营收3.42亿美元，环比增长23%，同比增长105%，创历史新高；GAAP下，毛利率47.1%，净利润6,680万美元，环比增长39.9%，同比增长243.27%；非GAAP下，毛利率47.2%，净利润5,385万美元，环比增长26.1%，同比增长165.6%。

展望后市，慧荣看好嵌入式、车用与企业级产品线持续成长，加上新一代PCIe Gen5控制芯片、车用存储与AI相关解决方案陆续放量，预期第二季营收达3.93亿美元至4.11亿美元，环比增长15%至20%，同比增长98%至107%，全年营运有望呈现逐季成长。

江波龙公布2026年一季度报告。2026年第一季度，公司实现营业收入99.09亿元，同比增长132.79%；实现归属于上市公司股东的净利润38.62亿元，同比增长2,644.05%；实现归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润39.43亿元，同比增长 2,051.40%。

SK海力士HBM4E核心芯片计划采用1c纳米制程，其良率和量产能力已达到成熟阶段。预计在今年下半年提供HBM4E样品，以2027年实现量产为目标。

针对近期内存现货价疲软的趋势，SK海力士指出，这是价格急涨后部分渠道库存释放所造成的暂时性情况，并非周期见顶的信号。由于供应持续短缺，本轮涨价周期有可能比过去更长。

SK海力士发布截至2026年3月31日的2026财年第一季度财务报告：营业收入为52.5763万亿韩元（约合355.7亿美元），环比增长60%，同比增长198%；营业利润为37.6103万亿韩元（约合254.4亿美元），环比增长96%，同比增长405%；净利润为40.3459万亿韩元（约合272.9亿美元），环比增长165%，同比增长398%。2026财年第一季度营业利润率为72%，净利润率为77%。SK海力士今年的投资规模将同比大幅增加。

近期贸易端部分主流消费类SSD及内存条零售价持续下探，目前来看尚未有止跌的迹象，即便较低价的抛售价也未能吸引真实买盘承接，甚至部分大容量产品近一个月价格累计下跌数百元人民币，更加加剧渠道存储现货倒挂加剧的现象。正因如此，渠道客户备货意愿低迷并持续观望，渠道厂商为争取订单成交，针对有实际备货需求的客户给予一定的价格支持。本周渠道内存条及SSD价格普遍再度续跌。

内存条(渠道市场)：DDR4 UDIMM 8GB 3200 跌 4.55% 至 $42.00，DDR4 UDIMM 32GB 3200 跌 2.78% 至 $175.00，DDR5 UDIMM 16GB 5600 跌 3.03% 至 $160.00，DDR5 UDIMM 16GB 6000 跌 1.76% 至 $167.00，DDR5 UDIMM 32GB 5600 跌 1.79% 至 $275.00，DDR5 UDIMM 32GB 6000 跌 3.45% 至 $280.00；

SSD(渠道市场)：Channel SSD 120GB SATA 跌 4.55% 至 $21.00，Channel SSD 240GB SATA 跌 4.17% 至 $46.00，Channel SSD 480GB SATA 跌 1.20% 至 $82.00，Channel SSD 256GB PCIe 3.0 跌 2.00% 至 $49.00，Channel SSD 512GB PCIe 3.0 跌 2.11% 至 $93.00，Channel SSD 1TB PCIe 3.0 跌 1.33% 至 $148.00，Channel SSD 512GB PCIe 4.0 跌 2.11% 至 $93.00，Channel SSD 1TB PCIe 4.0 跌 2.50% 至 $156.00，Channel SSD 2TB PCIe 4.0 跌 3.45% 至 $280.00。

关于4月20日16时53分左右发生在日本东北地区的地震，铠侠官网最新回应称，确认北上工厂的建筑物和设施未受损，北上工厂的生产活动照常进行。

日本青森县20日下午4点53分左右发生规模里氏7.7级强震，日本气象厅一度对北海道太平洋沿岸中部、青森县太平洋沿岸以及岩手县发布海啸警报。据日媒报道称，铠侠位于岩手县的NAND两厂在地震后进行停产检查。据相关人士最新回应，此次地震对铠侠NAND Flash供应暂无影响。

据韩媒报道，受人工智能应用领域对NAND Flash需求增长导致平均售价大幅上涨所推动，三星决定在其平泽P5工厂建设一条NAND Flash产线，该工厂的洁净室预计将于明年投入使用。具体规模尚未最终确定，预计将根据NAND Flash的需求情况灵活调整。

据韩媒报道，受人工智能应用领域对NAND Flash需求增长导致平均售价大幅上涨所推动，三星决定在其平泽P5工厂建设一条NAND Flash产线，该工厂的洁净室预计将于明年投入使用。具体的扩建规模尚未最终确定，预计将根据NAND Flash的需求情况灵活调整。

CFM闪存市场日前发布的《2026Q1全球存储市场报告与Q2展望》显示，AI新增需求推动长期存储价格中枢大幅攀升，AI服务器成为全球存储市场增长的核心引擎，引发原厂存储产能虹吸效应，全球存储供应格局从通用均衡供应转向AI基建优先。CFM预计服务器96GB及以上高容量DDR5每Gb单价全面突破2美金，64GB和96GB D5 ASP保持一定价差，4TB及以下容量eSSD ASP或将高达0.4美元/GB以上，预计服务器DDR5、eSSD涨幅都将收敛至50%以内。二季度，预计存储原厂服务器价格涨幅有所分化，合约DDR5 64GB价格预计落在1200~1350美金, 96GB价格落在1950~2300美金，128GB价格预计落在2900~3150美金。

据韩媒报道，为构建HBF试制品生产线，闪迪已开始与相关材零件合作伙伴打造生态系统。闪迪计划于今年下半年向市场推出试制品，试点生产线的候选地点很可能设在日本。明年实现商用化是其主要目标。

群联电子执行长潘健成预计，今年营收及获利都将达新纪录。此外，他指出，近期已有PC大厂追加大量SSD订单，美国客户也临时扩单，显示企业端需求动能稳健。至于消费市场，预期将于今年下半年逐步回温，随着手机与PC容量升级需求带动，价格不易大幅回落。

群联电子3月单月合并营收达183.17亿元新台币（折合人民币约39.40亿元），环比增长50%、同比增长221%，刷新历史单月新高；第一季度营收409.67亿元（折合人民币约88.12亿元），环比增长80%、同比增长196%，创历史同期新高。