长鑫4F²架构DDR5 RDIMM产品预计年底亮相

存储器 2026-10-10 21:33

长鑫存储4F² DRAM架构研发近期取得关键进展。据长鑫总裁曹堪宇博士透露,长鑫4F²架构最核心的特色是在DRAM存储阵列晶体管上的创新,即自研的VSG(Vertical Surrounded Gate)晶体管。VSG晶体管采用了垂直包围沟道结构,能实现更强栅控,解决漏电与短沟道效应痛点,同时竖立的晶体管也助力面积微缩,提升存储密度。预计长鑫年底将推出融合了上述先进技术的新一代DDR5 RDIMM产品。

简讯快报

更多