消息称铠侠计划明年量产BiCS 10 NAND闪存

存储器 2026-05-25 14:19

据报道援引业内人士消息称,铠侠计划明年开始量产第十代(BiCS 10)NAND闪存。据悉,BiCS 10的存储堆叠层数可以达到332层,与上一代(218层)相比,单位面积存储容量提升了59%,数据传输速度提升了33%,从而带来更大的存储空间以及速度,主要用于超大容量SSD的制造,且大概率还将针对AI市场对闪存进行特别的优化。

简讯快报

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