美光G9 QLC NAND

采用六平面NAND架构，可实现更高的并行度，并增加同时向NAND发出的读写命令数量。

产品分类：闪存芯片 品牌：美光
应用领域： 嵌入式存储 SSD
产品白皮书 发布于：2025-06-27
美光G9 QLC NAND 共1个产品
系列 NAND I/O速度 容量
G9 QLC NAND 3.6 GB/秒 2Tb

产品概览

美光 2Tb G9 QLC NAND 采用先进的六平面 NAND 架构，可实现更高的并行度，并增加同时向 NAND 发出的读写命令数量，从而提升性能。此外，采用美光创新的自适应写入技术 (AWT)，使用更快的 SLC 和 TLC NAND 模式来提高写入速度，同时保持 QLC 的经济优势。

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⊙08-06 14:44

闪迪在财报电话会议上表示，总体上目前已与8家数据中心和边缘计算客户签订了NBM协议，体现了客户对其长期需求的信心以及对闪迪的认可。预计到2027财年（2026年7月-2027年6月），NBM协议的bit占比将覆盖公司总bit产能的50%以上，到2028财年（2027年7月-2028年6月）占比将达到约三分之二。

具体来看，NBM协议的期限各不相同，最长可达五年，加权平均期限超过四年。协议定价同时包含固定和浮动价格部分，其中浮动部分设有价格下限和上限。按价格下限计算，所有已签协议的最低预期收入合计为939亿美元，实际收入将高于该金额。部分新业务模式协议包含由现金存款和金融工具共同构成的金融担保，总额为165亿美元，旨在保护闪迪免受客户未能履行协议规定的采购义务的影响。

⊙08-06 10:48

CoreWeave宣布与Solidigm达成一项多年战略协议，Solidigm 将优先支持 CoreWeave 人工智能云平台的企业级固态硬盘 (SSD) 分配。该协议扩展了 CoreWeave 的人工智能集成方案，有助于确保其平台其他部分的存储容量能够随着客户需求的增长而扩展。

⊙08-06 10:27

Netlist宣布，已与三星电子签署一项为期五年的协议，内容涉及专利交叉许可、存储产品供应和技术合作。根据这项协议，三星电子可以利用Netlist的全部专利组合，包括服务器双列直插式内存模块（DIMM）和高带宽内存（HBM）技术。两家公司已同意解决所有未决的法律纠纷，并相互放弃相关索赔和法律责任。三星电子需向Netlist支付2.39 亿美元预付授权费，以及从今年第三季度到 2031 年第二季度的 20 个季度（5 年）内，每季度支付最高 3290 万美元的季度许可费，该费用与三星电子收入挂钩。

⊙08-06 08:46

闪迪发布截至2026年7月3日的2026财年第四季度财报：营收89.7亿美元，环比增长51%，超出指引上限。环比业绩增长中约三分之一来自出货量的增加，三分之二来自产品价格的上涨。非 GAAP下净利润61.62亿美元，环比增长68%。继今年4月财报电话会议上宣布签署5份新业务模式（NBM）协议后，闪迪在本财季又签署了5份新协议，其中包括3份与新客户的NBM协议，以及2份对现有协议的扩展。本财季预计营收103.0亿美元-108.0亿美元，闪迪盘后跌逾6%。

⊙08-05 18:51

据韩媒报道，SK 海力士全资子公司 Solidigm 正推进上市前融资项目，为在纳斯达克 IPO 做前期准备。报道称，Solidigm 计划以 50 万亿韩元（约合350亿美元）左右的估值筹集 5~10 万亿韩元的资金。现已选定摩根士丹利和高盛作为主承销商，并正向全球另类资产管理公司及海外主权财富基金等机构探询投资意向。

⊙08-05 15:49

南亚科技公告2026年7月营收438.68亿元（新台币，下同），环比增长49.27%，同比大增719.61%。累计1-7月营收为1755.04亿元，同比增长660.87%。

⊙08-05 14:51

Marvell 公布专为服务器人工智能存储打造的 Bravera SC6 (MV-SF1410) PCIe Gen6 SSD控制器芯片，该产品预计将于今年第四季度开始送样。Bravera SC6 主控旨在显著提升 AI 推理的存储性能。它能够将更多的 KV Cache 从高带宽内存（HBM）迁移至 SSD，从而有效提高整体基础架构的运行效率。

⊙08-05 14:50

铠侠与闪迪联合宣布，正式推出其新一代QLC 3D闪存技术。相较于上一代（第八代）产品，位密度实现高达60%的提升，突破37Gb/mm²，接口速率达到4.8 Gb/s，在位密度、性能及能效方面均树立了全新的行业标杆。

⊙08-05 09:41

三星在FMS 2026上，发布了业界首款zHBM和zNAND-O概念模型。据介绍，zHBM 专为高级 AI 计算而设计，将 HBM​​ 垂直堆叠在 AI 加速器正上方，突破了 HBM 与处理器并排放置的传统设计。其存储密度可达到 HBM5 的十倍以上，同时能效提高三倍，热阻降低一半以上，最大限度地提高高容量、高带宽系统的稳定性和能效。三星还推出了基于其V-NAND技术的下一代高性能NAND解决方案zNAND-O，目前正在开发四层和八层版本。此外，三星发布了采用全新键合式V-NAND架构的超400层的V10 BV-NAND闪存，存储密度比上一代产品（V9）提高了约 58%。

⊙08-04 16:59

铠侠发布KIOXIA GP1系列PCIe扩展卡，专为 GPU 直接访问而优化，随机读取 IOPS 高达 1000 万。该系列SSD采用 KIOXIA XL-FLASH™ 第二代闪存，实现基于闪存的内存扩展，以满足人工智能基础设施日益增长的性能和内存需求。评估样品将于 2026 年底前提供给部分客户。

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