东芝扩新厂 力成明年估受惠

存储器 中国闪存市场 Helan 2013-08-27 11:23

日媒先前报导,东芝(Toshiba)NAND Flash新厂动工,预估明年量产。法人表示,存储器封测厂力成(6239)有机会受惠。

日本媒体报导,东芝和闪迪(SanDisk)合资兴建的NAND Flash新厂,23日动工,新厂制程技术将从目前的19奈米,提升到16奈米到17奈米,预估2014年可开始量产采用先进细微化技术的高性能NAND Flash产品。

法人表示,东芝和SanDisk合资兴建的NAND Flash新厂成立后,将各自拥有一半的产出量。

法人指出,东芝NAND Flash存储器,主要委由力成和艾克尔(Amkor)进行封测。明年东芝NAND Flash新厂量产后,力成有机会再获东芝相关新厂产品封测订单。

法人表示,目前东芝占力成整体存储器封测营收,接近3成。

力成董事长蔡笃恭先前指出,由于高阶终端需求续强,下半年存储器需求可持续增加;除了韩系客户外,力成在NAND Flash领域拥有大多数客户。

展望产品组合,力成先前表示,第3季希望DRAM封测营收比重可降到33%左右;DRAM、Flash和逻辑芯片的封测营收比重,可各占三分之一比例。

展望第4季,力成预估DRAM封测营收占整体营收比重可降到3成,NAND Flash封测占比可到35%至37%;逻辑芯片占比可到35%左右。 

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