三星开始量产20nm级DDR4 DRAM

存储器 中国闪存市场 Helan 2013-09-03 08:53
三星电子2013年8月30日宣布,开始采用20nm级工艺量产DDR4 DRAM(英文发布资料)。首先将面向安装在企业服务器上的内存条生产4Gbit的芯片。
三星希望借助此次量产,使配备20nm工艺DDR4 DRAM的16GB和32GB内存条取代代目前服务器市场上的主流产品——配备30nm工艺DDR3 DRAM的8GB内存条。据三星介绍,采用20nm工艺DDR4 DRAM可实现2667Mbps的传输速度,是30nm工艺DDR3 DRAM的1.25倍。而且,耗电量可降低30%。

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