Skyera SSD选用海力士16nm NAND Flash

存储器 中国闪存市场 Helan 2013-09-02 10:47

2010年成立的固态硬盘(SSD)新创公司Skyera近日宣布,该公司选择采用海力士公司(SK Hynix)先进的 16nm NAND Flash芯片,用于打造其SkyEagle系列企业级储存设备中。

16nm节点象征NAND Flash制造的先进制程技术,也可能是采用单一2D存储元件阵列生产的最新制程节点。

海力士的竞争对手美光科技(Micron Technology)在今年7月宣布,该公司已经开始出样16nm制程生产的128Gb多级单元(MLC) NAND Flash。今年4月,三星也宣布采用10x nm制程技术量产 128Gb MLC NAND Flash。三星所谓的10x nm制程其实就是指10nm~19nm之间的先进制程技术。

Skyera公司采用自家设计的存储控制器IC,宣称可为16nm NAND Flash IC提供五年的生命周期──由于高密度NAND Flash耐受力周期较低,因而得将必要的耗损均衡(wear-leveling)技术纳入考虑。Skyera强调,相较于基于磁阻介质的企业储存硬盘,它的价格也较低。

其他固态储存供应商所用的控制器也为其他传统的Flash进行了最佳化,因而也需要利用较传统的存储器IC。

海力士与Skyera在公开新闻稿中宣布了这项合作伙伴关系,但并未说明何时将导入16nm NAND Flash的量产,也未透露将生产的存储器容量等性能。

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