三星存储器事业高层称暂无新设产线计划

存储器 中国闪存市场 Helan 2013-08-30 09:16
据韩国电子新闻报导,三星存储器事业部长全东守日前出席韩国国会新成长产业论坛时表示,除大陆西安场外,没有新投资计划。
目前三星韩国器兴、华城工厂,及美国奥斯汀存储器芯片工厂均正常运行,大陆西安的存储器(NAND Flash)工厂则正在建构当中。全东守表示,京畿道华城的腹地目前已有四座工厂,无法再加盖工厂,指出目前没有必要追加投资。存储器芯片结束削价竞争后,市场转稳定,不需要像过去一样,透过大规模投资进行量产竞争。
三星将改变事业策略,以抢先量产3D NAND Flash和LP DDR4行动DRAM等具高附加价值产品的方向为主。全东守表示,目前NAND Flash当中,SSD市场需求约占3分之1,其中笔记本电脑等又占了9成以上,但未来服务器市场将持续扩大。三星日前着手量产3D垂直堆叠结构的3D V NAND,宣告抢进服务器市场。
在DRAM事业方面,为因应高性能智能型设备市场,正致力研发LP DDR4。LP DDR4采取固态技术协会(JEDEC)规定的次世代行动DRAM规格。与2013年商用化的LP DDR3相比,使用电压从1.2V降低至1.1V,耗电量也减少30%以上。
目前全球市场上,LP DDR和Wide I/O两大行动DRAM技术规格正互相竞争。Wide I/O规格是扩增信息传输频道,提高传输速度,并将低耗电量的技术。三星计划大型计算机等利基市场用DRAM将开发采用Wide I/O技术。全东守表示,因费用等各项问题,三星将先量产LP DDR4规格的芯片,待2年后智能型手机普遍引进超高分辨率(UHD)影像串流时,再推出Wide I/O技术。

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