继日前三星电子(Samsung Electronics)宣布量产3D垂直结构NAND Flash之后,东芝、Sandisk、美光均宣布了其3D NAND 产品的情况。美光计划在2014年上半推出256Gb容量的3D V NAND试制品。比三星日前推出的128Gb容量增2倍。日厂东芝(Toshiba)则较晚,计划在2016年着手量产。据报导,SK海力士(SK Hynix)也有计划量产3D NAND产品。
3D V NAND的Cell是以垂直堆叠的方式制造而成。目前水平结构的Cell是较为广泛采用的技术。存储器制造厂积极欲跨足量产3D V NAND,主要是因为垂直结构的NAND Flash,不仅可降低生产成本,且可制造出性能较优越的NAND Flash。
SK海力士2013年底前将会完成3D V NAND的技术研发,并在2015年迈入量产阶段。若能在此之前确保市场性及产品质量,则会准备在2014年便开始量产。
日前出席美国加州快闪存储器高峰会(Flash Memory Summit)时,SK海力士研究员表示,目前正在研发3D V NAND,2013年底将先推出试制样品。韩国业界推测,SK海力士将会采用比16纳米更微细的制程生产3D V NAND。
韩国半导体业者表示,为克服制程微细化的技术瓶颈,并降低生产成本,大厂都考虑引进可堆叠Cell的3D制程。他说明,对于3D制程而言,比起制程的微细化进展,堆叠的高度更为重要。