OCZ Vertex 460A系列
OCZ Vertex 460A系列

提供120GB-480GB容量，采用Toshiba MLC NAND，读写速度分别可达545MB/s、520MB/s，适用于笔记本和PC产品。

饥饿鲨 2014-11-18
SanDisk iXpand双接口U盘
SanDisk iXpand双接口U盘

提供16GB-64GB储存容量，针对Lightning界面提供USB外接存储设备，USB2.0传输接口。

闪迪 2014-11-14
innodisk EDC 1ME Horizontal
innodisk EDC 1ME Horizontal

采用MLC NAND，PATA接口，提供8~256GB容量选择，顺序读写最大110/75MB/秒。

宜鼎国际 2014-11-13
innodisk EDC 1ME Vertical
innodisk EDC 1ME Vertical

采用MLC NAND，PATA接口，提供8~128GB容量选择，顺序读写最大110/75MB/秒。

宜鼎国际 2014-11-04
Samsung eMCP LPDDR3系列
Samsung eMCP LPDDR3系列

eMMC存储容量从8GB-32GB，LPDDR3容量8Gb-24Gb，主要用于高端的智能型手机上。

三星 2014-10-16
Phison PS3110控制芯片
Phison PS3110控制芯片

Phison PS3110 是一颗可以支持TLC NAND Flash的SATA SSD主控芯片。最多可支援8通道&32CE NAND Flash。

群联 2014-10-13
Sandisk X300 系列
Sandisk X300 系列

提供128GB-1TB容量，采用1ynm TLC NAND，2.5英寸/mSATA/M.2规格，接口速度均为SATA 6Gbps。

闪迪 2014-10-03
Toshiba eMMC 5.0系列
Toshiba eMMC 5.0系列

容量从8GB-128GB，采用东芝15nm NAND Flash，符合eMMC 5.0规范，适于智能手机和平板等移动设备。

铠侠 2014-10-02
BIWIN旗舰级专用eMCP
BIWIN旗舰级专用eMCP

BIWIN旗舰级专用eMCP整合eMMC与LPDDR，释放PCB空间，助力智能设备轻薄化。

佰维存储 2014-09-24
SDHC/SDXC UHS-I U3系列
SDHC/SDXC UHS-I U3系列

128-512GB容量选择，UHS-I规范U3的传输，读取速度高达95MB/s；写入速度90MB/s，为捕捉4K超高清拍摄而设计。

闪迪 2014-09-23
Micron M600 系列
Micron M600 系列

具有2.5英寸、mSATA、M.2三种规格，提供128GB-512GB容量，最高连续读取写分别达560MB/秒、510MB/秒。

美光 2014-09-16
EXCERIA UHS-I SDHC卡
EXCERIA UHS-I SDHC卡

在16GB~64GB基础上新增128GB容量，最高读写速分别为95MB/S和60MB/S，可满足4K高清视频的录制和回放。

铠侠 2014-09-05
Sandisk Ultra II系列
Sandisk Ultra II系列

提供120-960GB四种容量，接口均为SATA 6Gbps，厚度为7mm，不再长时间等待开机、关机。

闪迪 2014-08-25
3S USB3.0 Flash Disk控制芯片
3S USB3.0 Flash Disk控制芯片

3S闪存盘控制ICSSS6130和SSS6131，支持USB 3.0传输接口，TLC或MLCNAND Flash。

鑫创 2014-08-21
PNY 插卡式手机U盘-C2系列
PNY 插卡式手机U盘-C2系列

提供8-32GB容量，USB2.0接口传输速度，提供读卡器+TF卡，以及TF读卡器包装。

必恩威 2014-08-20

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⊙01-16 16:56

据韩媒报道，熟知三星电子内情的相关人士透露，近期三星电子1c DRAM良率已接近60%，该良率确保了超过盈亏平衡点。

⊙01-15 14:57

受惠存储价格走扬与需求回温，宜鼎国际2025年第四季度单季营收达48.06亿元（新台币，下同），环比增长26.25%，同比增长115.74%，带动全年营收达142.61亿元，同比增长近六成，创下历史新高。展望今年第一季，宜鼎看好整体需求动能延续，DRAM 与NAND Flash 价格皆持续上扬，其中Flash价格自去年第三季才开始反映供需变化，涨势仍在加速阶段，首季涨幅可望与DRAM 相当。

⊙01-15 14:25

据韩媒etnews引述业内人士报道，SK海力士已将其无锡工厂的现有1z工艺升级为1a工艺。目前，SK海力士无锡工厂基于12英寸晶圆的DRAM月产能为18万至19万片，其中约90%的产能为1a工艺。无锡工厂的产量占SK海力士DRAM总产量的30%至40%。

与此同时，SK海力士预计将加快其韩国DRAM晶圆厂向1c工艺的升级改造。1c升级的投资将集中在位于利川的M14和M16晶圆厂。其未来的生产结构将是：通用DRAM产品在中国生产，而尖端DRAM产品在韩国生产。

⊙01-15 14:04

据韩媒报道，业内人士透露，英伟达2025年第四季度再次提高了对三星电子和SK海力士的HBM4芯片供应标准。作为回应，三星电子正在修改其逻辑芯片设计，并与代工部门合作，重点关注散热控制和性能提升，加快研发进度。三星电子内部人士表示，提高数据传输速度并不难，只需对逻辑芯片的设计和工艺进行一些改进即可实现。达到英伟达提出的每引脚13Gbps的传输速度是可能的，只是散热存在问题，但这个问题很快就能解决。

⊙01-15 11:05

SK海力士美国法人长柳成洙（音译）近日在接受路透社采访时透露，SK海力士将在 2027 年 2 月提前3个月开放韩国龙仁新园区的首家工厂。同时，计划从下月起在清州新建的 M15X 工厂投放硅晶圆，正式启动HBM芯片的生产。

⊙01-15 09:38

台媒报道，威刚科技宣布投资1亿美元（约合新台币31.4亿元/人民币6.97亿元），从The Film Property Trust收购Weta FX Limited普通股1,366.75万股，每股作价7.3166美元。交易完成后，威刚将持有Weta FX 25%的股权，成为其重要战略股东。此项投资主要着眼于人工智能（AI）技术在影视内容、数字特效及虚拟制作等领域的长期发展潜力，以切入AI内容应用的新蓝海市场。

⊙01-14 10:21

1月13日，佰维存储发布公告，预计2025年度实现营业收入100亿元-120亿元，同比增长49.36%-79.23%；预计2025年度归母净利润8.5亿元-10亿元，同比增长427.19%-520.22%。

⊙01-13 17:15

希捷正式推出三款 32TB CMR 机械硬盘，覆盖企业级 Exos 银河、监控 SkyHawk 酷鹰 AI、NAS 存储 IronWolf 酷狼 Pro 三条产品线。以上三款产品均基于希捷Mozaic HAMR（热辅助磁记录）技术平台，并针对应用场景进行了优化。

⊙01-13 10:09

据韩媒报道，三星电子正在评估韩国SNS Tech公司提供的EUV空白掩模，目标是在第二季度投入使用。目前正处于掩模评估的最后阶段，目标是在本月或下个月完成评估。三星电子一直以来都依赖进口EUV光刻掩模版，对日本的依赖程度尤其高，Hoya和Asahi Glass占据了三星大部分的供应。

⊙01-12 10:17

通富微电公告，拟定增募资资金总额不超过44亿元，募集资金扣除发行费用后拟用于存储芯片封测产能提升项目、晶圆级封测产能提升项目、高性能计算及通信领域封测产能提升项目，分别投入募集资金8亿元、10.55亿元、6.95亿元和6.2亿元。此外计划将12.3亿元用于补充流动资金及偿还银行贷款。

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