佰维存储(BIWIN) 厂商主页

佰维存储专注于存储芯片研发与封测制造，是国家高新技术企业，国家级专精特新小巨人企业，国家大基金战略投资。布局了存储介质研究、芯片设计仿真、核心固件算法、封装制造、自研芯片测试设备及算法和品牌运营的“局部IDM”产业链体系。存储芯片产品广泛应用于移动智能终端、PC、行业终端、数据中心、智能汽车、移动存储等领域。

佰维存储存储产品

BIWIN SS321系列企业级SSD
BIWIN SS321系列企业级SSD

采用长江存储3D NAND，SATA 6Gbps接口规范，搭载DDR4外置缓存，并结合佰维自研固件，提供240GB、480GB、960

佰维存储 2022-04-22
BIWIN工控B系列NS200 SSD
BIWIN工控B系列NS200 SSD

NS200系列支持PCIe Gen3×4以及NVMe1.3协议，性能可满足PC或工控自动化设备的需求。

佰维存储 2021-09-22
BIWIN SD存储卡CSD301
BIWIN SD存储卡CSD301

佰维SD存储卡专为车载电子及嵌入式应用而设计，采用SD 3.0接口标准，读取速度高达100MB/s。

佰维存储 2021-09-22
BIWIN CFexpress存储卡FS001
BIWIN CFexpress存储卡FS001

BIWIN CFexpress存储卡存储容量高达1TB，读取传输速度高达1750MB/s。

佰维存储 2021-03-18
BIWIN CFast存储卡F6309
BIWIN CFast存储卡F6309

BIWIN CFast存储卡支持4K高清视频的录制，适合存放大型RAW图像文件以及电视/电影所需的质量视频。

佰维存储 2021-03-18
BIWIN车载系列CP001 SSD
BIWIN车载系列CP001 SSD

CP001系列采用SATA II接口，通过V-REC算法优化进行专项的固件调校，可保持SSD持续不间断地写入数据。

佰维存储 2020-06-17
BIWIN工控A系列CP002 SSD
BIWIN工控A系列CP002 SSD

CP002系列SSD采用SATA III接口，适配于龙芯、飞腾、鲲鹏、申威、兆芯等国产化平台，兼容性强。

佰维存储 2020-06-12
BIWIN DDR
BIWIN DDR

BIWIN DDR提供从DDR1到DDR4的高性能RAM解决方案，主要满足台式电脑、路由器、机顶盒等商规电子产品的内存需

佰维存储 2020-04-29
BIWIN内存条V200 U-DIMM
BIWIN内存条V200 U-DIMM

佰维V200 DDR4 U-DIMM符合JEDEC标准设计，使用三星原厂DRAM，可提供2133MT/s~3200MT/s速度方案。

佰维存储 2020-03-11
BIWIN内存条S200 SO-DIMM
BIWIN内存条S200 SO-DIMM

佰维S200 DDR4 SoDIMM使用三星高品质颗粒，可提供2133MT/s~3200MT/s速度方案。

佰维存储 2020-03-11
BIWIN nMCP
BIWIN nMCP

BIWIN nMCP由NAND Flash,LowPowerSRAM 等堆叠封装，充分释放PCB空间。

佰维存储 2019-12-27
BIWIN uMCP
BIWIN uMCP

BIWIN uMCP采用UFS+LPDDR4的组合方案，传输效率高，将是替代传统eMCP的下一代移动存储方案。

佰维存储 2019-12-27
BIWIN工控A系列M6328 SSD
BIWIN工控A系列M6328 SSD

M6328 SSD可提供32GB、64GB、128GB、256GB、512GB多种容量选择，轻松扩展设备的存储空间。

佰维存储 2019-11-19
BIWIN UFS
BIWIN UFS

与最新的eMMC 5.1标准相比，BIWIN UFS速度高出其3倍，并提供32GB~512GB多种容量选择。

佰维存储 2019-09-24
BIWIN SPI NAND
BIWIN SPI NAND

BIWIN SPI NAND Flash提供了一种更高性价比的存储器外设方案。

佰维存储 2019-05-14

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厂商快讯

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⊙01-14 10:21

1月13日，佰维存储发布公告，预计2025年度实现营业收入100亿元-120亿元，同比增长49.36%-79.23%；预计2025年度归母净利润8.5亿元-10亿元，同比增长427.19%-520.22%。

⊙01-13 17:15

希捷正式推出三款 32TB CMR 机械硬盘，覆盖企业级 Exos 银河、监控 SkyHawk 酷鹰 AI、NAS 存储 IronWolf 酷狼 Pro 三条产品线。以上三款产品均基于希捷Mozaic HAMR（热辅助磁记录）技术平台，并针对应用场景进行了优化。

⊙01-13 10:09

据韩媒报道，三星电子正在评估韩国SNS Tech公司提供的EUV空白掩模，目标是在第二季度投入使用。目前正处于掩模评估的最后阶段，目标是在本月或下个月完成评估。三星电子一直以来都依赖进口EUV光刻掩模版，对日本的依赖程度尤其高，Hoya和Asahi Glass占据了三星大部分的供应。

⊙01-12 10:17

通富微电公告，拟定增募资资金总额不超过44亿元，募集资金扣除发行费用后拟用于存储芯片封测产能提升项目、晶圆级封测产能提升项目、高性能计算及通信领域封测产能提升项目，分别投入募集资金8亿元、10.55亿元、6.95亿元和6.2亿元。此外计划将12.3亿元用于补充流动资金及偿还银行贷款。

⊙01-09 16:18

群联2025年12月合并营收87.12亿元（新台币，下同），环比增长24％，同比增长93％，刷新历史单月新高；全年合并营收达726.64亿元，同比增长23％，同创历史同期新高。群联表示，上月整体营运表现持续升温，控制芯片总出货量年增97％。其中，PCIe SSD控制芯片出货量同比增长15％，显示新一代高速接口渗透率持续扩大；NAND Bit Growth同比增长16％，凸显云端服务商拉货带动NAND需求走扬，并衍生近期NAND涨价与供给吃紧的市况。

⊙01-09 15:25

力成2025年12月营收72.96亿元（新台币，下同），环比增长2.19%，同比增长30.52%，创2022年8月以来单月高点；2025年第四季营收214.07亿元，环比增长7.21%，同比增长25.21%；累计2025年全年营收749.29亿元，同比增长2.20%，创下三年来新高纪录。

⊙01-08 18:12

高通首席执行官安蒙确认，高通确认正与三星电子就2纳米芯片代工合作进行洽谈，三星将有望时隔五年再次获得高通最先进芯片的代工订单，相关芯片设计工作已全部完成。首个合作项目可能是将目前骁龙8 Elite处理器（由台积电3纳米制程代工），转向三星2纳米制程生产。

⊙01-08 14:30

美光宣布，将于2026年1月16日正式在纽约州奥农达加县破土动工兴建其巨型晶圆厂。该项目耗资1000亿美元，是纽约州历史上规模最大的私人投资项目，建成后将成为全球最先进的存储器制造基地，美国最大的半导体工厂。

⊙01-08 10:49

美光宣布推出美光3610 NVMe™ SSD，是业界首款面向客户端计算的PCIe®5.0 QLC SSD，基于久经市场考验的美光G9 NAND 打造，顺序读取速率高达11,000 MB/s，顺序写入速率高达9,300 MB/s，专为主流台式机和笔记本电脑设计。

⊙01-08 10:05

三星电子公布其2025年第四季度的盈利预期，预计营收为93万亿韩元（约合641亿美元），环比增长8%，同比增长23%；营业利润为20万亿韩元（约合138亿美元），环比增长64%，同比增长208%，创历史新高。三星电子将于1月29日披露完整版业绩报告。

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