BIWIN内存条V200 U-DIMM

佰维V200 DDR4 U-DIMM符合JEDEC标准设计，使用三星原厂DRAM，可提供2133MT/s~3200MT/s速度方案。

产品分类：内存条 品牌：佰维存储
应用领域： 台式机 笔记本
产品白皮书 发布于：2020-03-11
BIWIN内存条V200 U-DIMM 共1个产品
型号 传输速率 容量 工作电压 工作温度
V200 U-DIMM 2666MHz/3200MHz 4GB~32GB 1.2V 0℃~85℃

产品概览

BIWIN V200 DDR4 U-DIMM内存条符合JEDEC标准设计，使用高品质三星原厂DRAM，经严苛性能与兼容性测试，产品可提供2133MT/s~3200MT/s速度方案。 可完美适用于各类PC设备，是具备高效能，高稳定性与高兼容性的内存模组。

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⊙06-12 17:59

据韩媒inews24援引业内人士消息称，考虑到HBM4E计划于明年量产，客户验证和优化工作必须在今年下半年进行，因此样品供应指日可待。据透露，SK海力士正准备向主要客户提供HBM4E样品，最早可能在本月开始发货，最迟下个月也将开始。

⊙06-12 15:00

在近期的交易日中，铠侠市值曾一度突破 45万亿日元，短暂超越丰田并跃居日本第二。随着股价继续攀升，截至6月12日收盘，铠侠已成功登顶日本企业市值榜首。

⊙06-12 11:55

据韩媒朝鲜日报援引SK海力士和消防部门12日消息，当天上午9点55分（当地时间）左右，位于忠清北道清州市兴德区SK海力士清州园区4号楼M15X二楼发生火灾。火灾发生后，M15和M15X的员工立即疏散到室外。据报道，该公司消防队在初期就扑灭了火灾。清州市发布了灾害警报，建议附近居民避开该区域，车辆绕行，因为担心可能发生氟化物泄漏。消防部门目前正在现场核实是否真的发生了气体泄漏。SK海力士方面表示，已完成初步控制，正调查具体情况，生产设备运行正常。本月1日，SK海力士清州4号园区也曾发生火灾。

⊙06-12 09:45

据外媒报道，谷歌正在开发第十代TPU，代号为“Icefish”，预计最早于2028年投入量产。此前，谷歌的TPU大部分由台积电生产。然而，谷歌计划在第十代TPU中采用台积电的1.4nm工艺生产核心运算芯片，并采用三星的2nm工艺制造其内存I/O Die。此举被解读为，在台积电因AI需求导致产能接近饱和的情况下，谷歌寻求供应链多元化的一种策略。

⊙06-10 14:34

据韩媒报道，韩国半导体设备公司Pemtron今日宣布，近期已从美光科技获得一份新订单，为其提供用于AI服务器的SOCAMM2存储模块的检测设备。 此外，Pemtron还将向中国半导体企业供应半导体封装检测设备。 Pemtron表示，最近这笔订单是在经过全球顶级客户严格的大规模生产线评估后下的，公司已经证明了其检测设备的可靠性和大规模生产的稳定性。

⊙06-10 09:56

佰维存储发布公告称，已与某存储原厂签订日常经营性采购合同，佰维存储同意按合同约定的数量、价格及时间向该供应商采购企业级闪存颗粒，合同总承诺采购金额为 18.6080 亿美元，锁量锁价，承诺采购期总计 24 个月。根据协议约定，本协议同时适用于协议双方及其各自控制下的子公司。合同履行期限为自生效日起至 2028 年 6 月 30 日。公告称，2026 年采购量占 2025 年公司NANDFLASH采购总量的 4.45%，占比较小；2027 年采购量占 2025 年公司NANDFLASH采购总量的 14.88%，占比较小。公司签订合同提前锁定未来24 个月的部分基础用量，与公司业务规模及业务规划匹配，风险整体可控。

⊙06-09 16:09

据外媒报道，闪迪新款4TB/8TB SDUC及MicroSDUC存储卡通过SD协会海报在2026台北电脑展亮相。据悉，产品将于近期正式发布，包括容量分别为4TB和8TB的microSD卡和SD卡，并分为Ultra和Extreme系列。因SDUC标准不兼容现有读卡器，用户需更换全新的读卡器。

⊙06-09 15:56

据韩媒报道，三星正在启动人工智能转型 (AX)，将AI引入其所有子公司的整体运营和包括研发、生产、采购、物流、营销、销售、服务和管理支持的所有业务流程中。该计划旨在将人工智能融入半导体、智能手机、金融、生物技术和建筑等主要业务，并通过提高从高管团队到普通员工的人工智能利用能力，彻底改变组织的运作方式。所有分支机构都将设立专门的人工智能部门，负责制定人工智能转型战略、管理数据、运营人工智能模型以及培养人工智能人才。此外，三星计划在本月正式向所有加盟商引入ChatGPT、Gemini 和 Claude等外部生成式人工智能服务，并计划在年底前完成所有员工的人工智能培训。

⊙06-09 09:36

三星电子副会长兼DS事业部负责人全英贤会见了英伟达首席执行官黄仁勋，探讨了如何扩大在下一代高带宽内存（HBM）和代工服务领域的合作。双方还就中长期合作计划交换了意见，包括HBM4的供应，以及HBM4E、HBM5和下一代半导体的联合开发。全英贤表示，短期内，今年稳定供应HBM4和SOCAMM非常重要，双方就从明年开始供应HBM4E和HBM5等长期合作进行了深入讨论。他指出，正在与英伟达合作生产自动驾驶芯片和英伟达Groq LPU芯片，采用4nm和8nm工艺，并表示双方也探讨了下一代产品的合作。

⊙06-08 15:04

据韩媒inews24报道，韩美半导体宣布已与SK海力士签署价值442亿韩元的供货合同，为其HBM4芯片制造提供“TC Bonder 4.5 Griffin”。合同期限从即日起至9月2日。TC键合机是HBM制造工艺中的核心设备，它利用热力和压力将多个DRAM芯片垂直堆叠在一起，决定了堆叠精度和良率，被认为是HBM生产竞争力的关键因素。鉴于单台设备售价约为30亿韩元，业内人士估计SK海力士将引进约15台。据悉，该设备极有可能部署在清州M15X工厂。

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