8月25日，日经225指数和韩国KOSPI指数开盘下跌。截至发稿，日经225指数跌0.96%、韩国综指跌超3%。存储概念个股方面，截至发稿，三星跌超2%，SK海力士跌超5%，铠侠跌超7%。

据韩媒报道，三星电子已敲定今明两年在中国国内最先进的NAND闪存改造投资计划。自今年上半年以来，三星电子一直在其位于西安的X2生产线上进行V9 NAND闪存的改造投资。三星电子的V9 NAND闪存是一款采用280个堆叠单元的先进产品，预计每月产能可达4万至5万片晶圆。据报道，三星电子正在敲定追加投资计划，以加强其晶圆厂的V9 NAND闪存产能。该计划的核心是引进额外的蚀刻工艺设备，而蚀刻工艺是NAND闪存制造的关键环节。据悉，三星电子决定从明年下半年开始追加投资，以确保V9 NAND闪存的稳定量产，相关设备的采购订单预计也将在今年年底左右落实。

据韩媒报道，三星电子正在研发的智能手机应用处理器（AP）Exynos 2700，在内部测试中性能优于高通骁龙8 Elite第六代处理器，这提高了业界对Exynos 2700在三星下一代旗舰智能手机Galaxy S27中广泛应用的预期。

根据Counterpoint Research最新发布研究报告，受零部件成本上涨、低价设备供应减少以及消费者购买力下降等因素抑制，全球智能手机市场预计将在2026年同比下降14.3%。全球智能手机市场预计在2027年仍将面临挑战，出货量预计将进一步下降1.4%，但2028年有望开始强劲复苏，出货量预计将增长约4.8%。分品牌看，基于三星广泛的地域布局、深厚的供应链以及更可靠的内存和半导体供应渠道，预计2026年其智能手机出货量将在整体市场下滑中逆势增长约0.8%，有望重返全球智能手机市场的领先地位；预计苹果将保持相对的韧性，但其品牌前景比三星更为谨慎，出货量预计将在2026年同比下降约2.1%，2027年有望恢复增长，增幅约为2.8%；预计华为2026年的出货量将增长约8%，2027年将进一步增长4.3%，主要得益于中国市场的强劲需求、国内零部件产能的提升以及海思处理器技术的持续进步。

据韩媒报道，尽管AI驱动的内存需求加剧了DRAM的供应短缺，但预计三星电子今年下半年的增产速度将低于市场预期。这主要是因为三星电子优先考虑从10nm第五代（1b）工艺向10nm第六代（1c）工艺的过渡，更加注重提高良率而非扩大产量。据报道，自全永铉副会长上任以来，公司一直在重新审视所有产品的工艺和设计，并主动调整产能运营速度，从第五代DRAM开始，朝着提升良率稳定性的方向发展。

8月24日，日韩股市双双低开。截至发稿，日经225指数由跌转涨至0.02%、韩国综指跌超1%。存储概念个股方面，截至发稿，三星跌超6%，SK海力士涨超1%，铠侠涨超3%。

三星电子8月21日在韩国交易所披露，计划在第三季度派发约30万亿韩元现金股息；预计2026年股东回报资金将达到约90万亿至110万亿韩元。

据韩媒报道，受益于三星电子和SK海力士的大规模半导体设施投资，截至今年上半年末，韩国主要半导体设备企业的订单积压量预计比去年年底翻了一番。预计从今年下半年开始，销售额将大幅增长。

8月21日，日经225指数和韩国KOSPI指数开盘下跌。截至发稿，日经225指数跌幅收窄至0.96%、韩国综指由跌转涨至0.38%。存储概念个股方面，截至发稿，三星涨0.37%，SK海力士涨超3%，铠侠涨超1%。

日经225指数收涨1.36%，报66216.79点。韩国综指收涨5.89%，报6852.58点。存储股方面，铠侠涨超6%，SK海力士涨近13%，三星电子涨超9%。