消息称三星电子预计明年HBM将占DRAM全球产能近30%

存储器 2026-09-30 10:21

据外媒报道,三星电子高管表示,预计明年高带宽内存 (HBM) 将占动态随机存取存储器 (DRAM) 芯片制造商总晶圆产能的近 30%,高于目前的约 20%。三星电子执行副总裁金泰宇表示,HBM和传统DRAM争夺相同的晶圆产能,意味着扩大HBM产量将可能会限制传统DRAM的供应。

简讯快报

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