据韩媒etnews引述业界消息,SK海力士近期已与国内外材料、零部件及设备(简称“小部件”)供应商展开接触,旨在推进iHBM技术的升级与生产准备。据悉,双方重点讨论了iHBM在实际产品中的应用方案及量产计划。
知情人士透露,SK海力士正在试探通过与小部件供应商的合作,以将iHBM应用于实际工艺并实现商业化。这表明公司正通过评估量产可行性,正式启动商业化进程。
技术解析:直击HBM散热痛点
iHBM是SK海力士今年5月公布的一项新技术。其核心在于HBM最底层的基础裸片(Base Die)上,集成了一体化散热元件“ICE(Integrated Cooling Elements)”。
痛点:散热是HBM面临的最大技术难题。目前的HBM结构中,包含与GPU进行超高速数据通信物理连接区(D2D Phy)的基础裸片,与堆叠的DRAM核心裸片(Core Die)相连。随着数据运算量增加和HBM堆叠层数增多,发热量剧增。由于热量需经由核心裸片排出,热控制效率较低。若无法有效控制热量,将导致电力效率大幅下降,甚至引发性能衰退、系统故障及寿命缩短,严重制约AI基础设施的性能提升。
解决方案: iHBM通过在基础裸片的通信连接区域植入热控制元件(ICE),开辟了全新的散热路径。SK海力士方面表示,此举可将热阻降低30%以上,确保HBM在高温、高负荷环境下稳定运行,从而提升AI基础设施的整体效率。
产业展望与路线图
在工艺方面,iHBM将采用SK海力士已导入的先进MR-MUF及晶圆级封装技术。因此,预计其将沿用与现有HBM相似的供应链体系。据悉,SK海力士也在考虑在现有供应链基础上,进一步扩展能提升iHBM性能和生产效率的供应渠道。
量产时间表: SK海力士的目标是从HBM5开始应用iHBM技术。根据其HBM5路线图,该产品预计将于2029年面世。目前,该司正利用台积电的CoWoS先进封装技术对HBM5进行验证。
业界评价认为,在竞争对手通过技术升级和产能扩张猛烈追赶的局势下,SK海力士正试图通过iHBM实现技术差异化,以确立其在下一代存储市场中的优势地位。

