2月24日，全球存储板块掀起普涨行情，AI算力需求爆发、HBM供不应求及行业库存告急成为核心驱动。A股方面，存储芯片概念强势上攻，澜起科技大涨6.08%，佰维存储涨4.88%，深科技涨4.58%，板块热度显著升温。与此同时，韩国KOSPI指数再创历史新高，收盘上涨2.11%，SK海力士涨5.7%，三星电子涨近3.63%，市场消息称新一代HBM4量产定价超出预期，进一步提振情绪。台股方面，台积电、南亚科同步上行；美股前一日（23日）三大指数集体收跌，存储龙头美光科技亦下跌1.68%。在卖方市场格局下，存储价格上行趋势明确，板块高景气延续。

三星昨日官宣其Galaxy Book6系列将于3月11日在美国发售，包括Galaxy Book6 Ultra、Galaxy Book6 Pro和Galaxy Book 6。Galaxy Book6系列搭载Intel Core Ultra Series 3处理器——首款基于英特尔18A 架构的客户端SoC，确保了高效高速的CPU、GPU和NPU性能 ，从而实现快速处理、流畅的多任务处理和更灵敏的AI响应。其中，16英寸的Galaxy Book 6 Pro首次采用了均热板散热技术，Galaxy Book6 Ultra和Pro配备了三星迄今为止续航时间最长的电池，视频播放时间长达30小时。
 

据韩媒报道，业内人士透露，三星电子内部已实现1c DRAM 80%的良率，这是在高温环境下（热测试）取得的最高良率，并进一步表示，基于1c DRAM的HBM4的良率也有所提高，已接近60%，去年第四季度约为50%。

针对AI推理工作负载优化的SSD需求迅速攀升，而随着NL HDD供应状况趋紧，QLC SSD的替代需求也在不断上升。各存储原厂持续扩大Server SSD供应，以满足不断增长的需求，四季度全球NAND市场规模环比增长27.8%至235.45亿美元。

具体来看，三星四季度NAND Flash销售收入达63.51亿美元，环比增长18.4%，市场份额27.0%，排名第一；SK海力士四季度NAND Flash销售收入达52.12亿美元，环比增长47.4%，市场份额22.1%，排名第二；铠侠四季度NAND Flash销售收入达35.24亿美元，环比增长15.7%，市场份额15.0%，排名第三；西部数据四季度NAND Flash销售收入达30.25亿美元，环比增长31.1%，市场份额12.8%，排名第四；美光四季度（2025年9月-11月）NAND Flash销售收入达27.43亿美元，环比增长21.8%，市场份额11.6%，排名第五。

应用于服务器的高密度DDR5/LPDDR5X/HBM需求十分旺盛，而四季度DRAM仍存在较大供应缺口。尽管DRAM bit出货量增长受限但DRAM ASP大幅上涨，带动四季度DRAM市场规模环比增长29.8%。

具体来看，三星四季度DRAM销售收入达192.6亿美元，环比增长38.1%，市场份额为37.1%，排名第一；SK海力士四季度DRAM销售收入达172.24亿美元，环比增长24.9%，市场份额为33.1%，排名第二；美光四季度（2025年9月-11月）DRAM销售收入达108.12亿美元，环比增长20.3%，市场份额20.8%，排名第三；南亚科技四季度DRAM销售收入为9.72亿美元，环比增长54.3%，市场份额1.9%；华邦电子四季度DRAM销售收入为2.99亿美元，环比增长34.7%，市场份额0.6%。

受AI投资需求增加推动，韩国KOSPI指数周四创历史新高，收盘涨3.13%至5522.27点，首次突破5500点关口。晶片股领涨，三星电子飙升6.44%（已出货HBM4晶片），SK海力士涨3.26%。同日全球存储板块同步走强，A股佰维存储、兆易创新分别涨7.53%、6.55%；美股闪迪、美光科技分别大涨10.65%、9.94%。业内消息称，市场预期晶片需求明年将全年强劲，持续支撑板块走强。

2月12日，三星电子宣布，其HBM4已抢先开始量产，并向客户交付商用产品。三星的HBM4可提供高达每秒11.7 Gbps的稳定处理速度，比业界标准的8Gbps提升约46%，树立了HBM4性能的新标杆。三星预计其HBM产品销量在2026年将比2025年增长三倍以上，并正积极扩大HBM4的产能。在HBM4成功推向市场后，HBM4E的样品预计将于2026年下半年开始发放，而定制的HBM样品将根据客户的具体规格于2027年开始交付。

当地时间2月11日，美光CFO Mark Murphy在Wolfe Research组织的半导体会议上表示，公司已实现HBM4量产，并开始向客户交付。针对近期有关美光HBM4无缘英伟达供应的猜测，美光科技否认三星电子和SK海力士将瓜分HBM4供应量的预期。Mark Murphy进一步表示，美光今年一季度HBM4的出货量正在稳步增长，比去年12月财报发布时提到的时间提前了一个季度。2026年的HBM产量已全部售罄，HBM4的生产良率正按计划进行，其速度超过每秒11Gb。

2月11日，全球存储板块普遍回调，A股、港股、韩股小幅收跌，美股存储股跌幅显著，整体呈现前期涨幅后的技术性整理态势。
 
A股市场，澜起科技收169.90元，跌4.28%；兆易创新收284.59元，跌1.83%；江波龙收284.14元，跌1.47%；佰维存储收159.00元，跌1.25%。港股方面，澜起科技收174.50港元，跌1.52%。
 
韩股市场，三星电子跌0.8%，SK海力士跌1.2%。美股市场（2月10日收盘），西部数据跌8.65%，希捷科技跌6.77%，闪迪跌7.16%，美光科技跌2.67%。

2026年2月11日，韩国产业通商资源部在AI半导体核心企业成长战略座谈会上宣布，计划投资4.5万亿韩元（约合216亿元人民币）建设一座12英寸40nm工艺晶圆厂，旨在解决本土无晶圆厂（Fabless）企业代工产能短缺问题，支持其研发与商业化。同时，政府将联合三星晶圆代工提供IP共享、MPW服务，并设立2万亿韩元（约合96亿元人民币）专项账户、未来五年投入1万亿韩元（约合48亿元人民币）推动AI半导体开发，以及在首都圈外培养专业人才，全方位强化半导体产业竞争力。