3月9日，受中东地缘冲突、油价暴涨等因素影响，存储板块分化明显，A股逆势抗跌，海外市场集体重挫。A股半导体板块回调，存储芯片板块逆势走强，江波龙、佰维存储等涨幅显著，主力资金逆势流入。韩股KOSPI指数大跌5.96%并触发熔断，三星电子、SK海力士分别下跌7.81%、9.52%。台股加权指数暴跌1489.12点，跌幅4.43%，存储个股集体承压。日股铠侠下跌9.74%，美股存储股普跌，西部数据、希捷科技等收盘均有明显跌幅。

3月9日，韩国综合指数开盘大幅走低，随后震荡下挫，截至发稿，已跌超8%。韩国交易所于KOSPI 200指数期货下跌5%后启动KOSPI指数熔断机制，程序化交易暂停5分钟。个股方面，三星电子、SK海力士、均跌超10%。

日经225指数截至发稿，已跌破52000点，下跌超4000点，跌超7%，创去年4月美国关税引发抛售以来的最大跌幅。其中凯侠跌超15%。

据韩国经济日报报道，业内人士透露三星电子和SK海力士已被选为英伟达下一代旗舰AI加速器Vera Rubin的第六代高带宽内存（HBM4）的唯一供应商，这使得韩国的两家内存巨头在高端AI芯片的竞争中，相较于美国的美光科技公司取得了新的领先优势。

3月5日，全球存储板块迎来强势反弹，核心得益于存储芯片涨价逻辑强化、AI算力需求爆发及市场避险情绪缓解。
A股存储芯片板块整体上涨，受DRAM价格大幅上涨、佰维存储业绩预增超10倍等利好带动，佰维存储大涨8.81%，兆易创新、澜起科技分别上涨1.34%、1.54%。

韩股KOSPI指数大涨9.6%，存储龙头强势反弹，三星电子上涨11.27%，SK海力士上涨10.84%。

台股全线上涨，台湾加权指数收涨2.57%，存储板块同步走强，受益存储芯片涨价及AI算力需求利好，南亚科、华邦电、旺宏均实现上涨，跟随板块整体反弹节奏。

据韩媒援引知情人士消息报道，特斯拉的高级采购主管预计将于本周访问三星，商讨提高2纳米AI6芯片的代工厂产量。在去年每月1.6万片晶圆的投片量基础上，增加约24,000片晶圆的产能。

今日（3月4日）全球存储板块分化显著。其中，A股逆势走强，德明利、佰维存储双双封板涨停，强势领涨板块，江波龙涨超10%，朗科科技、普冉股份等个股亦纷纷走强，涨幅居前。

支撑A股存储板块走强的背后是个股亮眼业绩与行业高景气共振，佰维存储昨日披露2026年1-2月业绩预告，预计期内业绩上涨。从行业层面来看，存储芯片正处于新一轮涨价周期，全球存储已步入卖方市场，全年价格上行趋势明确。

与A股逆势走强形成鲜明对比的是，海外市场存储相关板块集体承压。韩股KOSPI指数大跌12.06%，三星电子大跌11.74%、SK海力士大跌9.58%；台股加权指数亦大跌4.35%，台积电跌3.62%，上述市场走低均受中东避险情绪蔓延及行业周期担忧的双重影响。

3 月 3 日，受中东地缘风险、外资撤离与市场避险情绪影响，全球存储板块全线大幅回调。A 股存储芯片普跌，兆易创新、澜起科技、江波龙均跌超 6%，佰维存储、深科技跌幅超 8%。韩股 KOSPI 暴跌 7.24%，三星电子跌 9.87%、SK 海力士重挫 11.2%。台股存储同步走弱，南亚科、华邦电、旺宏均明显下挫。美股存储股集体调整，美光科技微涨 0.07%，闪迪跌2.56%，西部数据跌3.44%，希捷跌6.94%。

3月3日，在美伊冲突导致地缘政治风险加剧的影响下，韩国综合股价指数（KOSPI）报收于5791.91点，较前一交易日下滑7.24%（452.22点），跌幅创下史上最高值；韩国创业板指数（KOSDAQ）报收于1137.7点，下滑4.62%（55.08点）。三星电子和SK海力士盘中均一度大跌逾9%。截至收盘，三星电子跌9.88%，SK海力士跌11.5%。

据韩媒援引知情人士报道，三星电子位于美国得克萨斯州泰勒市的先进制程晶圆厂预计将在2027年初实现大规模量产，原计划时间为今年。消息人士称，即使在三星内部，量产进度持续延后，具体启动的时间表尚未最终确定。目前看来，要实现可观的产量全面提升产能可能要等到明年初。

3月2日，高通在西班牙巴塞罗那MWC大会上正式推出骁龙可穿戴平台至尊版（Snapdragon Wear Elite）。该平台面向智能手表、挂坠等AI可穿戴设备，首次集成专用eNPU，支持终端侧运行20亿参数模型，首token生成仅0.2秒。其五核CPU性能较前代提升5倍，GPU提升7倍，日常续航提升30%，10分钟快充达50%。连接方面支持5G RedCap、蓝牙6.0、UWB、GNSS及NB-NTN卫星通信等六项技术。三星电子执行副总裁兼移动体验业务技术战略主管InKang Song明确表示，新一代Galaxy Watch系列将基于该芯片打造，其中定位高端的Galaxy Watch Ultra 2大概率成为首发机型。