+82-31-209-7114 http://www.samsung.com/
2025-04-18 固态硬盘
2024-08-27 闪存芯片
2024-03-22 嵌入式
2024-03-20 内存芯片
2023-10-17 内存芯片
Counterpoint Research报告显示,受内存成本上升、智能手机OEM厂商谨慎的库存管理以及更长的更换周期等因素影响,2026年上半年全球智能手机SoC出货量同比下降15%。其中,联发科和高通的芯片出货量同比下降超过25%。但苹果、三星、谷歌和紫光展锐芯片出货量均实现了稳健增长。
7月29日,日经225指数收跌1.49%,报61434.19点。韩国综指收跌5.99%,报5663.08点。个股方面,铠侠跌近14%,三星电子跌超5%,SK海力士跌超9%。
7月29日,日韩股市双双高开,随后震荡转跌。截止发稿,日经225指数跌0.04%,韩国综指转跌0.78%。存储概念个股方面,截至发稿,三星涨超1%,SK海力士跌超4%,铠侠跌超1%。消息面上,SK海力士发布第二季度财务报告,单季利润超去年全年。
日经225指数收跌3.95%,报62364.92点,触及5月以来最低水平。韩国KOSPI指数收跌10.84%,报6023.63点,本月累跌近30%。个股方面,铠侠跌18.11%,三星电子跌13.58%,SK海力士跌14.43%。
7月28日,日韩股市集体下跌。截至发稿,日经225指数跌超3%,韩国综指跌超7%。盘中,韩国交易所启动SIDECAR机制,暂停KOSPI程序化卖盘。存储概念个股方面,截至发稿,三星跌超9%,SK海力士跌超11%,铠侠跌超15%。
据韩媒报道,三星电子华城12号生产线改造工作自去年下半年开始,已于本月完成。三星电子计划将该生产线用于华城15号生产线的后端工艺(BEOL)。华城15号生产线负责量产业界最先进的DRAM,包括1b(第五代10nm级)和1c(第六代10nm级)DRAM。 据悉,后端流程预计最早将于今年下半年投入使用,华城12号和15号生产线协同使用将加速三星电子DRAM产能的扩张。
据韩媒报道,三星电子 MX 业务部门正积极考虑为在中国市场销售的中低端智能手机(以 Galaxy A 系列为代表)导入中国产 DRAM 内存。报道称,中国智能手机品牌由于存储器等成本持续飙升下调了中低端机型的出货目标,空出了一部分潜在市场,同时也释放了一定规模的较低成本中国产 LPDDR5X ,三星MX部门试图利用这部分内存,降低手机制造成本,从而以相对合理的价格扩大销量。
据韩媒报道,三星电子会长李在镕和OpenAI CEO Sam Altman于当地时间25日上午在其旧金山总部会面。OpenAI并未透露具体议题或议程。据悉,双方讨论了扩大在人工智能基础设施领域的合作,包括HBM、DRAM和先进晶圆代工技术。他们可能还讨论了将生成式人工智能应用于三星电子各项业务的转型计划。
三星电子和博通签署谅解备忘录(MOU),以扩大双方在存储器和代工技术领域的战略合作,支持下一代人工智能基础设施。预计未来五年(到 2030 年)双方在存储器和晶圆代工领域的合作规模将超过 2000 亿美元。其中,在内存方面,三星和博通计划开展战略合作,提供业界领先的内存解决方案,包括高带宽内存(HBM),以支持博通的下一代人工智能加速器。
7月27日,日韩股市开盘上涨。截至发稿,日经225指数和韩国综指均转跌,分别跌0.62%和1.3%。存储概念个股方面,截至发稿,三星、SK海力士均涨超1%,铠侠跌超7%。
韩国京畿道龙仁市器兴区三星路1号