三星预测，即使2027年资本支出大幅增加，由于新建工厂成本上升和设备交付周期延长，2028年产量增长仍将受到限制。此外，HBM4E和下一代HBM5的芯片尺寸和工艺层数增加，导致每片晶圆产量下降，也是供应扩张的限制因素。三星预计存储芯片供应短缺将持续到2028年。

三星在Q3财报电话会议上宣布，已与10家主要客户签署长期存储器供应协议（LTA），并正在与另外10家客户进行谈判。

长期供应合同正在从超大规模数据中心扩展到服务器制造商、移动设备、汽车和网络设备等多个行业。合同采用滚动式运作模式，基本期限届满后可通过协商进行年度续约，部分客户的额外续约请求远超预期。三星预计，到2030年通过长期供应合同确保总产能60%至70%的可能性正在增加。

三星电子2026年第三季度（2026年7-9月）营收与营业利润继续刷新历史单季最高纪录，营业利润首次突破100万亿韩元。具体来看，营业收入：195.3万亿韩元（约合 1369.83亿美元），同比增长127%，环比增长约14%；营业利润：107.4万亿韩元（约合 753.30亿美元），同比增长783%，环比增长约20%，营业利润率约55%，较第二季度的约52%继续提升；净利润：75.1万亿韩元（约合 526.75亿美元），同比增长516%，环比增长5%，低于市场一致预期89.06万亿韩元，主要受财务费用上升拖累。

受SK海力士Q3营收首破100万亿韩元、营业利润创纪录提振，截至发稿，SK海力士股价上涨10%，三星电子涨近9%。截至今日上午收盘，江波龙涨4.69%，佰维存储涨5.74%，联芸科技涨6.27%，德明利涨3.17%，大普微涨2.24%，长鑫科技涨1.77%。

据韩媒zdnet报道，三星电子和SK海力士计划从2027年第二季度起，面向英伟达大规模量产并出货第六代高带宽内存HBM4的8层产品。目前，两家公司的HBM主力量产产品仍是HBM4 12层。

此次新增8层产品供应计划，与英伟达调整下一代AI加速器Rubin Ultra的内存配置有关。英伟达最初计划为Rubin Ultra搭载第七代HBM4E 12层产品，但自2026年第三季度起，开始并行评估多种方案，包括HBM4E 8层、HBM4 12层和HBM4 8层。

知情人士称，英伟达可能根据采用Rubin Ultra的NVL机架级系统规模，混合配置HBM4 8层与HBM4E 8层。虽然2026年HBM4 12层仍是主要供应规格，但从2027年中期开始，8层产品的占比预计将明显扩大。

据韩媒引述行业消息，三星电子已经向供应链传达了缩减 Galaxy A 系列产量的产能调整方案。知情业内人士称，第四季度三星电子零部件订单量相比今年年初的生产计划减少约 20%，换算成年度规模，减产规模约 1000 万台。此外，三星电子移动（MX）事业部今年陷入亏损，经营亮起红灯，公司倾向于明年继续对 Galaxy A 系列实施 10% 以上的减产。

三星电子表示，计划利用人工智能技术，将新型半导体材料的研发耗时缩短3年。三星高级技术研究院负责人Choi Young-sang透露，该司计划依托AI，把新型半导体材料的研发周期从5年压缩至2年，同时把筛选出的有潜力候选材料数量提升5倍以上。

据韩媒报道，三星电子设备解决方案（DS）部门近期在其半导体研究所内新设负责存储新产品研发的“核心团队”，以进一步提升下一代存储器的开发速度与技术完成度。该团队将与存储器事业部协同推进新产品开发，重点围绕DRAM、NAND闪存等核心课题开展联合研发。

据韩联社报道，SK海力士于21日在韩国证券市场（KOSPI）完成了一项为期两个月、总额达40万亿韩元的股票回购计划。SK海力士此前宣布，将投资40万亿4340亿韩元回购2407万股库存股，随后全部注销。最初宣布的回购期为8月20日至11月19日，但相关计划提前约一个月完成。至此，三星电子和SK海力士总计55万亿韩元的大规模股票回购计划已完成。

据路透社引知情人士消息称，三星电子和SK海力士正在升级其中国工厂的NAND闪存产线，目标是将堆叠层数提升至200层以上，使中国工厂的技术水平尽量接近韩国本土工厂。

这一升级主要有两层背景：一是长江存储NAND市场份额快速提升，韩系厂商面临压力；二是AI服务器、数据中心和企业级SSD对高容量NAND闪存需求持续增长。

据CFM闪存市场数据显示，2026年二季度三星占全球NAND Flash市场份额的27.5%，排名第一；SK海力士市场份额18.5%，排名第二；长江存储市场份额15.0%，排名第三。