业内消息称，三星电子将于今年第二季度同步启动尖端NAND闪存的“转换投资”，重点对其中国西安的X2产线进行改造升级。该产线目前主要生产第6-7代NAND，将转换为生产280层V9 NAND，目标月产能增加4至5万片晶圆。同时，其韩国平泽P1园区也在筹备相关产能提升。

韩媒消息称，三星电子已正式重启其平泽P4工厂的NAND闪存生产线投资，开始搬入生产设备。此前，该投资因市场低迷而推迟。作为2026年大规模投资计划的一部分，三星计划追加约10万亿韩元资本支出，重点提升DRAM、NAND闪存及晶圆代工产能。平泽基地扩产后，预计每月将增加NAND芯片产能6万片，DRAM产能3万片，晶圆代工产能2万片。

韩国产业通商资源部资料数据显示，2026年1月韩国出口额达658.5亿美元，同比增长33.9%，首次突破600亿美元，创历史新高。其中，半导体出口表现尤为强劲，1月出口额达205亿美元，同比增长102.7%，已连续两月突破200亿美元大关。韩国科学技术信息通信部分析称，半导体增长主要得益于高附加值存储芯片需求扩大及DRAM等通用半导体价格持续上涨。在全球人工智能热潮推动下，以三星电子、SK海力士为代表的韩国半导体产业成为主要受益者。

Counterpoint Research报告显示，受内存价格上涨及供应受限影响，2026 年全球智能手机 SoC（系统级芯片）出货量预计将同比下降 7%，其中 150 美元以下的低端机型受冲击最重。细分到厂商方面，联发科市场份额为 34.0%，出货量同比下降 8%；高通市场份额为 24.7%，出货量同比下降 9%；苹果市场份额为 18.3%，出货量同比下降 6%；紫光市场份额为 11.2%，出货量同比下降 14%；三星市场份额为 6.6%，出货量同比增长 7%。

三星电子在 2025Q4 财报电话会议上透露，计划在本季度启动 HBM4 内存量产交付，包括 11.7Gbps 的高传输速率型号。展望全年，三星存储器业务计划全方面积极应对AI相关需求，重点提升面向 AI KV（键值）存储需求的高性能 TLC SSD的销售。

三星电子2025年第四季度合并营收93.8万亿韩元（按当前汇率约合656.4亿美元），创历史新高，环比增长9%，营业利润也创历史新高，达20.1万亿韩元（按当前汇率约合140.7亿美元）。其中设备解决方案 (DS) 部门营收44万亿韩元（按当前汇率约合308亿美元），环比增长33%，存储器业务营收37.1万亿韩元（按当前汇率约合259.6亿美元），环比增长39%，这得益于 HBM 和其他高附加值产品的销售增长以及整体市场价格的飙升。

据韩媒援引知情人士消息称，三星电子最早可能于下个月开始量产其下一代 HBM4 内存芯片，首批产品预计将交付给英伟达和 AMD 等主要客户。

据韩媒报道，三星第七代高带宽内存 (HBM) HBM4E 的开发流程已经进入基础芯片的后端设计阶段，这意味着该芯片的研发过程已经过半。

据韩媒报道，三星电子将在 HBM4 后的定制 HBM 内存上延续“制程优势”策略，提供从 4nm 直到当前最先进的 2nm 的一系列基础裸片 (Base Die) 解决方案。作为对比，台积电计划为定制 HBM 基础裸片导入 N3P 制程（第二代3nm工艺）。

消息称为推动HBM关键设备热压键合机的供应链多元化，三星电子已与设备商ASMPT讨论供应事宜。