在NVIDIA GTC 2026 大会上，三星全面展示了其在AI计算领域的技术布局，展出了从高性能内存到面向个人设备的低功耗解决方案的全系产品。三星首次展示了其下一代HBM4E内存。该产品每引脚传输速度可达16Gbps，带宽高达4.0 TB/s。此外，三星还展出了其混合铜键合（HCB）技术，这项新技术将使下一代HBM能够实现16层或更多堆叠，同时与热压键合相比降低20%以上热阻。

据韩媒援引业内人士消息称，三星电子正在评估将2nm工艺技术应用于第七代HBM4E的基片，从而提升其技术竞争力。这种涵盖存储器、逻辑和封装的架构正成为AI半导体时代的关键优势。

据韩媒援引业内人士消息称，三星电子正在与英伟达合作加速开发下一代NAND闪存芯片。三星半导体研究院、 英伟达和佐治亚州理工学院的联合研究团队开发出一种“物理信息神经算子（PINO）”的模型，能以比传统方法快10,000倍以上的速度分析铁电基NAND器件的性能。该研究成果已于6日在学术界发表。基于相关研究成果，三星正与英伟达合作开发和商业化铁电NAND闪存。

据韩媒援引业内人士消息，Groq已要求三星电子代工部门提高产能。据悉，Groq近期决定将其去年外包给三星电子晶圆代工部门的AI芯片产量从去年的约9000片晶圆提升至约15000片晶圆。去年的产量主要用于生产样品芯片，以测试其是否适用于AI推理；而分析表明，该公司从今年开始已进入商业化量产的初期阶段。

据韩媒报道，由于特斯拉方面的计划推迟，三星晶圆代工不得不将原定今年4月进行的2nm 先进制程多项目晶圆 (MPW) 测试服务延后半年，对韩国Fabless企业DeepX的DX-M2项目产生影响。DeepX最初计划于明年第二季度开始量产DX-M2。由于MPW的进度延迟，量产时间表也随之推迟。目前预计质量测试最早也要到第三季度才能开始，全面销售可能要等到明年第四季度。

据外媒报道，三星电子正面临成立以来最大规模的罢工危机。由于薪资谈判最终破裂，代表约8.9万名员工（占公司总人数60%以上）的三星电子工会联合斗争本部宣布，将于3月9日至18日举行全员罢工投票，若投票通过，工会计划在4月23日举行成员集会，并于5月21日至6月7日举行为期18天的全国总罢工。目前三星正全力为英伟达下一代AI加速器供应HBM4内存，5月的罢工节点极可能打乱出货节奏，导致良率下降或产出减少。

3月9日，受中东地缘冲突、油价暴涨等因素影响，存储板块分化明显，A股逆势抗跌，海外市场集体重挫。A股半导体板块回调，存储芯片板块逆势走强，江波龙、佰维存储等涨幅显著，主力资金逆势流入。韩股KOSPI指数大跌5.96%并触发熔断，三星电子、SK海力士分别下跌7.81%、9.52%。台股加权指数暴跌1489.12点，跌幅4.43%，存储个股集体承压。日股铠侠下跌9.74%，美股存储股普跌，西部数据、希捷科技等收盘均有明显跌幅。

3月9日，韩国综合指数开盘大幅走低，随后震荡下挫，截至发稿，已跌超8%。韩国交易所于KOSPI 200指数期货下跌5%后启动KOSPI指数熔断机制，程序化交易暂停5分钟。个股方面，三星电子、SK海力士、均跌超10%。

日经225指数截至发稿，已跌破52000点，下跌超4000点，跌超7%，创去年4月美国关税引发抛售以来的最大跌幅。其中凯侠跌超15%。

据韩国经济日报报道，业内人士透露三星电子和SK海力士已被选为英伟达下一代旗舰AI加速器Vera Rubin的第六代高带宽内存（HBM4）的唯一供应商，这使得韩国的两家内存巨头在高端AI芯片的竞争中，相较于美国的美光科技公司取得了新的领先优势。

3月5日，全球存储板块迎来强势反弹，核心得益于存储芯片涨价逻辑强化、AI算力需求爆发及市场避险情绪缓解。
A股存储芯片板块整体上涨，受DRAM价格大幅上涨、佰维存储业绩预增超10倍等利好带动，佰维存储大涨8.81%，兆易创新、澜起科技分别上涨1.34%、1.54%。

韩股KOSPI指数大涨9.6%，存储龙头强势反弹，三星电子上涨11.27%，SK海力士上涨10.84%。

台股全线上涨，台湾加权指数收涨2.57%，存储板块同步走强，受益存储芯片涨价及AI算力需求利好，南亚科、华邦电、旺宏均实现上涨，跟随板块整体反弹节奏。