未来,CIS 有望发展成为一种支持高级附加功能的信息传感器,而不仅限于提升图像质量。
JEDEC终于正式发布了DDR5(JESD79-5)最终规范,带宽更高,功耗更低,速率较上一代 DDR4翻倍至最高6.4Gbps,工作电压也从DDR4的1.2V降至1.1V,并允许单个内存芯片的容量达到64Gbit,单个服务器LRDIMM内存条最大容...
SDA协会正式发布SD Express存储卡的新一代标准规范SD 8.0,过引入PCIe 4.0总线协议,可获得最高接近4GB/s的传输速度,媲美旗舰级SSD固态硬盘。
JEDEC发布了UFS 3.1规范包含了一些新技术,进一步提高写入速度,还有深度睡眠功能、成本削减、可靠性等,使得UFS存储设备在功能上更接近SSD,大幅度改善用户体验。
西部数据最新发布的专利披露了一种将NAND闪存和其他例如存储级内存(SCM)存储介质结合在一起、集各家优势配置的混合SSD实现高带宽、低延迟的存储解决方案。
随着数据需求不断增长,对存储的要求也越来越高,如何找到可持续性的存储解决方案已成为许多业者的首要任务。而接口作为计算机内部连接的“大门”,在确定存储系统的性能以及了解不同的迭代方式方面起着至关重要...
日本科学家受到固态锂电池的启发,开发出一种三值(three-valued)存储器,由于电力消耗相当低,不排除成为催生更省电、更快速随机存取存储器(RAM)的触媒。
存储器中的直通硅(TSV)已经成为一种用于容量扩展和带宽扩展的有效基础技术。这是一种在整个硅晶圆厚度上打孔的技术,目的是在芯片的正面到背面形成数千个垂直互连,反之亦然。
随着对大容量存储需求的不断增长,QLC技术凭借更高存储密度、更低廉的bit成本,成为各大原厂的“新宠”,基于QLC技术的固态硬盘也相继问世,并且这些QLC技术产品无不例外的被注明为适用于读密集型应用场景。
在PCIe3.0时代,从NVMe1.2到NVMe1.3, NVMe SSD的性能得到了巨大的提升。目前NVM Express已正式发布了NVM Express™(NVMe™)1.4规范,该规范提供了更快、更简单、更容易扩展的技术, 并进一步完善了NVMe技术。
存储原厂 |
三星电子 | 88300.00 | KRW | +0.23% |
SK海力士 | 130500.00 | KRW | -0.76% |
美光科技 | 85.01 | USD | +1.81% |
英特尔 | 62.46 | USD | +6.46% |
西部数据 | 53.51 | USD | +3.26% |
紫光股份 | 24.29 | CNY | -2.65% |
南亚科 | 85 | TWD | -0.93% |
主控供应商 |
群联电子 | 418.5 | TWD | +4.76% |
慧荣科技 | 51.32 | USD | +2.21% |
美满科技 | 53.49 | USD | -1.09% |
点序 | 41.2 | TWD | -3.06% |
瑞昱 | 506 | TWD | +1.71% |
国科微 | 44.15 | CNY | -1.89% |
品牌/销售 |
希捷科技 | 62.94 | USD | +2.47% |
宜鼎国际 | 162.5 | TWD | +0.93% |
创见资讯 | 62.2 | TWD | -0.32% |
威刚科技 | 69.4 | TWD | +0.58% |
封装厂商 |
华泰电子 | 16 | TWD | -0.31% |
力成 | 103 | TWD | +3.00% |
长电科技 | 46.73 | CNY | -1.37% |
日月光 | 105 | TWD | -0.47% |
通富微电 | 28.88 | CNY | -2.60% |
华天科技 | 14.72 | CNY | -2.90% |
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