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DDR5标准正式发布,三大DRAM原厂DDR5已蓄势待发!

编辑:Helen 发布:2020-07-16 16:39

JEDEC终于正式发布了DDR5(JESD79-5)最终规范,带宽更高,功耗更低,速率较上一代 DDR4翻倍至最高6.4Gbps,工作电压也从DDR4的1.2V降至1.1V,并允许单个内存芯片的容量达到64Gbit,单个服务器LRDIMM内存条最大容...

SD 8.0标准发布:引入PCIe 4.0、最高速度达4GB/s

编辑:Helen 发布:2020-05-20 18:39

SDA协会正式发布SD Express存储卡的新一代标准规范SD 8.0,过引入PCIe 4.0总线协议,可获得最高接近4GB/s的传输速度,媲美旗舰级SSD固态硬盘。

UFS 3.1规范发布:新增3大功能,更接近SSD特性

编辑:Helen 发布:2020-02-04 16:55

JEDEC发布了UFS 3.1规范包含了一些新技术,进一步提高写入速度,还有深度睡眠功能、成本削减、可靠性等,使得UFS存储设备在功能上更接近SSD,大幅度改善用户体验。

西部数据最新发布的专利披露了一种将NAND闪存和其他例如存储级内存(SCM)存储介质结合在一起、集各家优势配置的混合SSD实现高带宽、低延迟的存储解决方案。

关于PCIe Gen4 SSD的入门

编辑:Helen 发布:2019-12-13 09:33

随着数据需求不断增长,对存储的要求也越来越高,如何找到可持续性的存储解决方案已成为许多业者的首要任务。而接口作为计算机内部连接的“大门”,在确定存储系统的性能以及了解不同的迭代方式方面起着至关重要...

日本开发出高速低耗电储存单元,催生新一代DRAM

编辑:Helen 发布:2019-12-04 10:04

日本科学家受到固态锂电池的启发,开发出一种三值(three-valued)存储器,由于电力消耗相当低,不排除成为催生更省电、更快速随机存取存储器(RAM)的触媒。

TSV技术解读:有效扩展DRAM容量及带宽

编辑:Helen 发布:2019-11-22 11:00

存储器中的直通硅(TSV)已经成为一种用于容量扩展和带宽扩展的有效基础技术。这是一种在整个硅晶圆厚度上打孔的技术,目的是在芯片的正面到背面形成数千个垂直互连,反之亦然。

不要歧视QLC,未来读取密集型应用将是它的天下

编辑:Helen 发布:2019-11-08 14:54

随着对大容量存储需求的不断增长,QLC技术凭借更高存储密度、更低廉的bit成本,成为各大原厂的“新宠”,基于QLC技术的固态硬盘也相继问世,并且这些QLC技术产品无不例外的被注明为适用于读密集型应用场景。

NVMe™ 1.4规范是加速PCIe 4.0 SSD成为主流的催化剂

编辑:Helen 发布:2019-10-30 16:18

在PCIe3.0时代,从NVMe1.2到NVMe1.3, NVMe SSD的性能得到了巨大的提升。目前NVM Express已正式发布了NVM Express™(NVMe™)1.4规范,该规范提供了更快、更简单、更容易扩展的技术, 并进一步完善了NVMe技术。

PCI-SIG联盟宣布PCI-E 6.0规范的0.3修订版

编辑:Helen 发布:2019-10-16 18:00

根据PCI-SIG联盟的说法,最终规范应该会在2021年制定完毕,因此我们可能会在2022年到2023年之间的某个时间用上采用PCI-E 6.0规范的产品。

股市快讯 更新于: 10-27 22:20,数据存在延时

存储原厂
三星电子59800.00KRW-0.99%
SK海力士82600.00KRW-0.72%
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