采用了支持 PCIe Gen3 x4 通道的SMI 2262EB 主控 + 96 层 3D TLC,提供250GB / 500GB / 1TB / 2TB 容量选择
金士顿
2020-04-08
采用96层和128层TLC,支持NVMe1.4协议和PCIe Gen 3X4、4X4接口。
SK海力士
2020-04-08
采用3D TLC NAND、自主研发的集成控制器和专用固件,提供960GB、1.92TB、3.84TB、7.68TB容量选择
闪迪
2020-04-01
采用3D TLC NAND,M.22280规格形态,支持PCIe3.0x4接口和NVMe1.3规范形态,提供240GB、480GB、960GB、1.92T
希捷
2020-03-18
采用第五代V-NAND,其写入速度为512GB eUFS 3.0的三倍,提供512GB、256GB和128GB容量选择。
三星
2020-03-17
采用新一代PCIE3.0四通道规格,支持NVMe高速技术标准,读取速度高达3500MB/s,写入速度高达2000MB/s,提供2
雷克沙
2020-03-15
佰维V200 DDR4 U-DIMM符合JEDEC标准设计,使用三星原厂DRAM,可提供2133MT/s~3200MT/s速度方案。
佰维存储
2020-03-11
佰维S200 DDR4 SoDIMM使用三星高品质颗粒,可提供2133MT/s~3200MT/s速度方案。
佰维存储
2020-03-11
采用Kioxia 的 64 层 BiCS3 3D TLC,顺序读取速度可达3100 MB/s,顺序写入速度最高为2800 MB/s,容量范围从
金士顿
2020-03-03
采用主流的96层3D NAND,并充分利用UFS 3.1高带宽以及SLC NAND缓存,可提供最高800MB/s的顺序写入速度。
闪迪
2020-03-02
基于USB 3.2标准,读取速度1050MB/s,写入速度1000MB/s ,提供500GB、1TB、2TB三种容量。
三星
2020-03-02
4GB-256GB全容量选择,支持更多场景应用,满足客户全容量需求。
康盈半导体
2020-03-01
最高连续读取速度3,500MB/S,最高连续写入速度2,700MB/s。
康盈半导体
2020-03-01
顺序读取速度可达7400MB/s,顺序写入速度可达6800MB/s。
康盈半导体
2020-03-01
支持SATA 6Gb/s协议,顺序读取速度520MB/s,顺序写入速度515MB/s。
康盈半导体
2020-03-01