| 名称 | NAND Flash | 主控芯片 | 速度(读) | 速度(写) | 容量 | 随机读取 | 随机写入 | 接口 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DC1000M | BiCS3 64L 3D TLC | SM2270 | 最高3100MB/秒 | 最高2800MB/秒 | 960GB~7.68TB | 最高525K IOPS | 最高210K IOPS | PCIe Gen3×4 |
金士顿的DC1000M使用Silicon Motion的SM2270控制器,16通道设计,这种控制器布局意味着SM2270总共具有三对ARM Cortex R5 CPU内核:一对用于处理NVMe协议的前端,一对用于处理低级NAND管理的后端的每一对。后端的每个部分还具有自己的32位DRAM控制器。闪存芯片采用Kioxia 的 64 层 BiCS3 3D TLC,容量范围从960 GB到7.68 TB。
参数方面,金士顿DC1000M的顺序读取速度可达3100 MB/s,顺序写入速度最高为2800 MB/s,随机读取速度最高为540k IOPS,随机写入速度最高为210k IOPS。