OCZ ARC 100系列
OCZ ARC 100系列

提供120GB-480GB容量，采用Toshiba MLC NAND，读写速度分别可达490MB/s、450MB/s，适用于笔记本和PC产品。

饥饿鲨 2014-08-20
Samsung 845DC EVO/Pro系列
Samsung 845DC EVO/Pro系列

采用TLC/3D NAND，SATA6Gbps传输，400GB-960GB容量用于数据中心存储，读取530MB/s和写入410MB/s。

三星 2014-08-18
Plextor M6 Pro系列
Plextor M6 Pro系列

提供128GB-1TB容量，SATAIII接口6GBps传输速度，采用A19nm NAND和Marvell控制芯片。

浦科特 2014-08-14
超极速MicroSD UHS-I U3系列
超极速MicroSD UHS-I U3系列

有16GB-64GB容量选择，其读取速度高达95MB/s；写入速度高达90MB/s，将移动设备的性能提升到新的高度。

闪迪 2014-08-13
酷豆USB 3.0迷你闪存盘系列
酷豆USB 3.0迷你闪存盘系列

提供16GB-64GB存储容量，袖珍小巧，几近无形，USB 3.0传输接口，快速传输。

闪迪 2014-08-13
SMI SM2256 SSD控制芯片
SMI SM2256 SSD控制芯片

可支持1x/1y/1znmTLC NAND和SATA 6Gb/s接口传输速度，以及LDPC硬解码纠正错误。

慧荣 2014-08-06
Marvell 88SS1093 SSD控制芯片
Marvell 88SS1093 SSD控制芯片

采用28nm工艺制造，支持15nm TLC NAND Flash，支持PCIe3.0x4存储。

美满 2014-08-05
Sandisk酷锁USB 2.0系列
Sandisk酷锁USB 2.0系列

存储容量8GB-64GB，USB 2.0传输接口，独特U型锁扣，适合随身携带。

闪迪 2014-08-04
KINGMAX M.2 SSD系列
KINGMAX M.2 SSD系列

有32-256GB四种容量，读取速度高达540MB/s，写入速度可达300MB/s，适用于超轻薄产品超级本、平板等存储。

胜创 2014-08-04
Micro SD EXCERIA UHS-I U3
Micro SD EXCERIA UHS-I U3

最高读写速度分别为95MB/s、60MB/s，容量从16GB-64GB，满足4K高速存取效能。

铠侠 2014-07-29
Kingston SSDNow V310系列
Kingston SSDNow V310系列

采用了Phison 3108控制器，SATAIII的传输接口，读写速度均可达450MB/秒，存储容量为960GB。

金士顿 2014-07-24
Micron e·MMC4.5系列
Micron e·MMC4.5系列

符合eMMC4.5规范容量提供4GB-32GB，被广泛的应用于消费性电子产品中。

美光 2014-07-16
SK Hynix SC210系列
SK Hynix SC210系列

采用SK海力士自己1xnm Flash，单颗Flash Die容量128Gb，容量提供128GB-512GB，采用SATA III接口。

SK海力士 2014-07-16
Kingston Micro SD UHS-1 U1
Kingston Micro SD UHS-1 U1

提供16GB, 32GB, 64GB容量，UHS速度等级为UHS-I Speed Class 1 ，90MB/秒的读取速度和和45MB/秒的写入速度

金士顿 2014-07-15
Samsung 850 Pro系列
Samsung 850 Pro系列

采用最先进的32层3D V-NAND技术和三核心MEX主控，提供128GB-1TB容量，读写分别最高达550MB/s、520MB/s。

三星 2014-07-01

报价中心

厂商快讯

更多
⊙01-16 16:56

据韩媒报道，熟知三星电子内情的相关人士透露，近期三星电子1c DRAM良率已接近60%，该良率确保了超过盈亏平衡点。

⊙01-15 14:57

受惠存储价格走扬与需求回温，宜鼎国际2025年第四季度单季营收达48.06亿元（新台币，下同），环比增长26.25%，同比增长115.74%，带动全年营收达142.61亿元，同比增长近六成，创下历史新高。展望今年第一季，宜鼎看好整体需求动能延续，DRAM 与NAND Flash 价格皆持续上扬，其中Flash价格自去年第三季才开始反映供需变化，涨势仍在加速阶段，首季涨幅可望与DRAM 相当。

⊙01-15 14:25

据韩媒etnews引述业内人士报道，SK海力士已将其无锡工厂的现有1z工艺升级为1a工艺。目前，SK海力士无锡工厂基于12英寸晶圆的DRAM月产能为18万至19万片，其中约90%的产能为1a工艺。无锡工厂的产量占SK海力士DRAM总产量的30%至40%。

与此同时，SK海力士预计将加快其韩国DRAM晶圆厂向1c工艺的升级改造。1c升级的投资将集中在位于利川的M14和M16晶圆厂。其未来的生产结构将是：通用DRAM产品在中国生产，而尖端DRAM产品在韩国生产。

⊙01-15 14:04

据韩媒报道，业内人士透露，英伟达2025年第四季度再次提高了对三星电子和SK海力士的HBM4芯片供应标准。作为回应，三星电子正在修改其逻辑芯片设计，并与代工部门合作，重点关注散热控制和性能提升，加快研发进度。三星电子内部人士表示，提高数据传输速度并不难，只需对逻辑芯片的设计和工艺进行一些改进即可实现。达到英伟达提出的每引脚13Gbps的传输速度是可能的，只是散热存在问题，但这个问题很快就能解决。

⊙01-15 11:05

SK海力士美国法人长柳成洙（音译）近日在接受路透社采访时透露，SK海力士将在 2027 年 2 月提前3个月开放韩国龙仁新园区的首家工厂。同时，计划从下月起在清州新建的 M15X 工厂投放硅晶圆，正式启动HBM芯片的生产。

⊙01-15 09:38

台媒报道，威刚科技宣布投资1亿美元（约合新台币31.4亿元/人民币6.97亿元），从The Film Property Trust收购Weta FX Limited普通股1,366.75万股，每股作价7.3166美元。交易完成后，威刚将持有Weta FX 25%的股权，成为其重要战略股东。此项投资主要着眼于人工智能（AI）技术在影视内容、数字特效及虚拟制作等领域的长期发展潜力，以切入AI内容应用的新蓝海市场。

⊙01-14 10:21

1月13日，佰维存储发布公告，预计2025年度实现营业收入100亿元-120亿元，同比增长49.36%-79.23%；预计2025年度归母净利润8.5亿元-10亿元，同比增长427.19%-520.22%。

⊙01-13 17:15

希捷正式推出三款 32TB CMR 机械硬盘，覆盖企业级 Exos 银河、监控 SkyHawk 酷鹰 AI、NAS 存储 IronWolf 酷狼 Pro 三条产品线。以上三款产品均基于希捷Mozaic HAMR（热辅助磁记录）技术平台，并针对应用场景进行了优化。

⊙01-13 10:09

据韩媒报道，三星电子正在评估韩国SNS Tech公司提供的EUV空白掩模，目标是在第二季度投入使用。目前正处于掩模评估的最后阶段，目标是在本月或下个月完成评估。三星电子一直以来都依赖进口EUV光刻掩模版，对日本的依赖程度尤其高，Hoya和Asahi Glass占据了三星大部分的供应。

⊙01-12 10:17

通富微电公告，拟定增募资资金总额不超过44亿元，募集资金扣除发行费用后拟用于存储芯片封测产能提升项目、晶圆级封测产能提升项目、高性能计算及通信领域封测产能提升项目，分别投入募集资金8亿元、10.55亿元、6.95亿元和6.2亿元。此外计划将12.3亿元用于补充流动资金及偿还银行贷款。

厂商动态

更多

最新财报

更多

厂商新品

更多