Micron e·MMC4.5系列

符合eMMC4.5规范容量提供4GB-32GB，被广泛的应用于消费性电子产品中。

产品分类：嵌入式 品牌：美光
应用领域： 平板电脑 智能手机
产品白皮书 发布于：2014-07-16
Micron e·MMC4.5系列 共17个产品
型号 容量 规范 封装 尺寸 工作电压 工作温度
MTFC4GACAAAM-1M WT 4GB eMMC4.5 VFBGA 153-ball 11.5mmx13mmx1.0mm 2.7V-3.6V -25°C - 85°C
MTFC4GACAAAM-4M IT 4GB eMMC4.5 VFBGA 153-ball 11.5mmx13mmx1.0mm 2.7V-3.6V -40°C - 85°C
MTFC4GMCDM-1M WT 4GB eMMC4.5 TFBGA 153-ball 11.5mmx13mmx1.2mm 3.3V -25°C - 85°C
MTFC4GACAANA-4M IT 4GB eMMC4.5 TBGA 100-ball 14mmx18mmx1.2mm 2.7V-3.6V -40°C - 85°C
MTFC4GMWDM-3M AIT 4GB eMMC4.5 TFBGA 153-ball 11.5mmx13mmx1.2mm 2.7V-3.6V -40°C - 85°C
MTFC4GMWDQ-3M AIT 4GB eMMC4.5 LBGA 100-ball 14mmx18mmx1.4mm 2.7V-3.6V -40°C - 85°C
MTFC8GACAAAM-4M IT 8GB eMMC4.5 VFBGA 153-ball 11.5mmx13mmx1.0mm 2.7V-3.6V -40°C - 85°C
MTFC8GACAAAM-1M WT 8GB eMMC4.5 VFBGA 153-ball 11.5mmx13mmx1.0mm 2.7V-3.6V -25°C - 85°C
MTFC8GLWDM-3M AIT 8GB eMMC4.5 TFBGA 153-ball 11.5mmx13mmx1.2mm 2.7V-3.6V -40°C - 85°C
MTFC8GLCDM-1M WT 8GB eMMC4.5 TFBGA 153-ball 11.5mmx13mmx1.2mm 2.7V-3.6V -25°C - 85°C
MTFC8GLWDM-AIT 8GB eMMC4.5 TFBGA 153-ball 11.5mmx13mmx1.2mm 2.7V-3.6V -40°C - 85°C
MTFC8GACAANA-4M IT 8GB eMMC4.5 TFBGA 100-ball 14mmx18mmx1.2mm 2.7V-3.6V -40°C - 85°C
MTFC8GLWDQ-3M AIT Z 8GB eMMC4.5 LFBGA 100-ball 14mmx18mmx1.4mm 2.7V-3.6V -40°C - 85°C
MTFC16GLWDM-4M AIT Z 16GB eMMC4.5 TFBGA 153-ball 11.5mmx13mmx1.2mm 2.7V-3.6V -40°C - 85°C
MTFC16GLWDQ-4M AIT Z 16GB eMMC4.5 LFBGA 100-ball 14mmx18mmx1.4mm 2.7V-3.6V -40°C - 85°C
MTFC32GJWEF-4M AIT Z 32GB eMMC4.5 TFBGA 169-ball 14mmx18mmx1.2mm 2.7V-3.6V -40°C - 85°C
MTFC32GJWDQ-4M AIT Z 32GB eMMC4.5 LFBGA 100-ball 14mmx18mmx1.4mm 2.7V-3.6V -40°C - 85°C

产品概览

Micron的嵌入式存储器eMMC将一颗高容量NAND Flash和一颗控制器封装在一个BGA芯片里，以适应NAND Flash工艺的改变和不同供应商NAND Flash之间的差异，简化了开发和认证过程。eMMC还提供一个标准的接口规范，同时最大限度地减少主机的负担。
美光符合eMMC4.5规范容量提供4GB-32GB，产品尺寸分为11.5x13x1.2/1.0和14x18x1.4两种，被广泛的应用于消费性电子产品中。Micron生产的eMMC存储解决方案提供多种容量选择，搭载高容量的NAND Flash、高性能控制器，产品性能强大，以满足消费性电子产品可靠性要求和数据保护。
特点：
体积小，占用空间小。
具有高速传输的特性。
能够通过严格的质量和可靠性测试
可以多种容量选择和灵活的配置
不仅搭载高容量的NAND Flash、高性能控制器，而且功能强大

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⊙01-14 10:21

1月13日，佰维存储发布公告，预计2025年度实现营业收入100亿元-120亿元，同比增长49.36%-79.23%；预计2025年度归母净利润8.5亿元-10亿元，同比增长427.19%-520.22%。

⊙01-13 17:15

希捷正式推出三款 32TB CMR 机械硬盘，覆盖企业级 Exos 银河、监控 SkyHawk 酷鹰 AI、NAS 存储 IronWolf 酷狼 Pro 三条产品线。以上三款产品均基于希捷Mozaic HAMR（热辅助磁记录）技术平台，并针对应用场景进行了优化。

⊙01-13 10:09

据韩媒报道，三星电子正在评估韩国SNS Tech公司提供的EUV空白掩模，目标是在第二季度投入使用。目前正处于掩模评估的最后阶段，目标是在本月或下个月完成评估。三星电子一直以来都依赖进口EUV光刻掩模版，对日本的依赖程度尤其高，Hoya和Asahi Glass占据了三星大部分的供应。

⊙01-12 10:17

通富微电公告，拟定增募资资金总额不超过44亿元，募集资金扣除发行费用后拟用于存储芯片封测产能提升项目、晶圆级封测产能提升项目、高性能计算及通信领域封测产能提升项目，分别投入募集资金8亿元、10.55亿元、6.95亿元和6.2亿元。此外计划将12.3亿元用于补充流动资金及偿还银行贷款。

⊙01-09 16:18

群联2025年12月合并营收87.12亿元（新台币，下同），环比增长24％，同比增长93％，刷新历史单月新高；全年合并营收达726.64亿元，同比增长23％，同创历史同期新高。群联表示，上月整体营运表现持续升温，控制芯片总出货量年增97％。其中，PCIe SSD控制芯片出货量同比增长15％，显示新一代高速接口渗透率持续扩大；NAND Bit Growth同比增长16％，凸显云端服务商拉货带动NAND需求走扬，并衍生近期NAND涨价与供给吃紧的市况。

⊙01-09 15:25

力成2025年12月营收72.96亿元（新台币，下同），环比增长2.19%，同比增长30.52%，创2022年8月以来单月高点；2025年第四季营收214.07亿元，环比增长7.21%，同比增长25.21%；累计2025年全年营收749.29亿元，同比增长2.20%，创下三年来新高纪录。

⊙01-08 18:12

高通首席执行官安蒙确认，高通确认正与三星电子就2纳米芯片代工合作进行洽谈，三星将有望时隔五年再次获得高通最先进芯片的代工订单，相关芯片设计工作已全部完成。首个合作项目可能是将目前骁龙8 Elite处理器（由台积电3纳米制程代工），转向三星2纳米制程生产。

⊙01-08 14:30

美光宣布，将于2026年1月16日正式在纽约州奥农达加县破土动工兴建其巨型晶圆厂。该项目耗资1000亿美元，是纽约州历史上规模最大的私人投资项目，建成后将成为全球最先进的存储器制造基地，美国最大的半导体工厂。

⊙01-08 10:49

美光宣布推出美光3610 NVMe™ SSD，是业界首款面向客户端计算的PCIe®5.0 QLC SSD，基于久经市场考验的美光G9 NAND 打造，顺序读取速率高达11,000 MB/s，顺序写入速率高达9,300 MB/s，专为主流台式机和笔记本电脑设计。

⊙01-08 10:05

三星电子公布其2025年第四季度的盈利预期，预计营收为93万亿韩元（约合641亿美元），环比增长8%，同比增长23%；营业利润为20万亿韩元（约合138亿美元），环比增长64%，同比增长208%，创历史新高。三星电子将于1月29日披露完整版业绩报告。

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