Samsung 850 Pro系列

采用最先进的32层3D V-NAND技术和三核心MEX主控，提供128GB-1TB容量，读写分别最高达550MB/s、520MB/s。

产品分类：固态硬盘 品牌：三星
应用领域： 超极本 台式机 笔记本
产品白皮书 发布于：2014-07-01
Samsung 850 Pro系列 共4个产品
型号 主控芯片 容量 速度(读) 速度(写) 连续读取 连续写入 接口类型 接口速度 厚度 尺寸 重量 DRAM缓存 工作温度 存储温度 保修期
MZ-7KE128B 三星3核MEX控制器 128GB 最大550MB/秒 最大470MB/秒 最大100K IOPS 最大90K IOPS SATA III SATA 6Gbps 6.8mm 100.5mmx69.85mm 最大66g 256MB 0°C - 70°C -40°C - 85°C 10年
MZ-7KE256B 三星3核MEX控制器 256GB 最大550MB/秒 最大520MB/秒 最大100K IOPS 最大90K IOPS SATA III SATA 6Gbps 6.8mm 100.5mmx69.85mm 最大66g 512MB 0°C - 70°C -40°C - 85°C 10年
MZ-7KE512B 三星3核MEX控制器 512GB 最大550MB/秒 最大520MB/秒 最大100K IOPS 最大90K IOPS SATA III SATA 6Gbps 6.8mm 100.5mmx69.85mm 最大66g 512MB 0°C - 70°C -40°C - 85°C 10年
MZ-7KE1T0B 三星3核MEX控制器 1TB 最大550MB/秒 最大520MB/秒 最大100K IOPS 最大90K IOPS SATA III SATA 6Gbps 6.8mm 100.5mmx69.85mm 最大66g 1GB 0°C - 70°C -40°C - 85°C 10年

产品概览

Samsung 3D V-NAND 闪存使用极富创新的垂直体系结构，由 32 个单元层相互堆叠而成，NAND 闪存采用 Samsung 先进的 3D V-NAND 技术，128GB最高写速度达470 MB/s。
850 PRO 的耐久性和可靠性是普通 NAND 闪存 SSD 的两倍，V-NAND 技术设计能够处理每天 40 GB 的工作负荷，等同于写入 150 TB (TBW)，确保 SSD 具有较长的使用寿命。此外，我们还提供业界领先的 10 年有限保修。
借助 850 PRO 中的高效能源管理组件，您可以延长工作时间并提高工作效率。850 PRO 满负荷工作时消耗的能量是所有 SSD 中最低的，在降低能耗的同时保持了市场领先的性能。850 PRO 完全支持 Ultrabook™ 的休眠模式，休眠能耗仅为 2 毫瓦。此外，LPDDR2 高速缓存提供更高的性能，与普通 DDR2 或 DDR3 内存相比，在工作时的能耗不到后者的 30%，闲置时的能耗不到后者的 93%。
当您携带笔记本电脑外出时，850 PRO的SED技术可保护您的PC硬件和个人数据。驱动器提供AES 256位基于硬件的全盘加密引擎，该加密引擎在保护数据安全时不会导致性能下降，而基于软件的加密通常会导致性能下降。
850 PRO 提供动态散热（Dynamic Thermal Guard）保护技术，可防止因为过热而降低 PC 性能。动态散热保护技术通过降温功能监控和维护驱动器的最佳工作温度，该功能在必要时会自动降低 SSD 的温度，从而起到保护数据的作用，并能确保计算机达到理想的响应速度。

产品图片

同品牌新品 更多

同分类新品 更多

三星

报价中心

厂商新品

更多

厂商快讯

更多
⊙01-14 10:21

1月13日，佰维存储发布公告，预计2025年度实现营业收入100亿元-120亿元，同比增长49.36%-79.23%；预计2025年度归母净利润8.5亿元-10亿元，同比增长427.19%-520.22%。

⊙01-13 17:15

希捷正式推出三款 32TB CMR 机械硬盘，覆盖企业级 Exos 银河、监控 SkyHawk 酷鹰 AI、NAS 存储 IronWolf 酷狼 Pro 三条产品线。以上三款产品均基于希捷Mozaic HAMR（热辅助磁记录）技术平台，并针对应用场景进行了优化。

⊙01-13 10:09

据韩媒报道，三星电子正在评估韩国SNS Tech公司提供的EUV空白掩模，目标是在第二季度投入使用。目前正处于掩模评估的最后阶段，目标是在本月或下个月完成评估。三星电子一直以来都依赖进口EUV光刻掩模版，对日本的依赖程度尤其高，Hoya和Asahi Glass占据了三星大部分的供应。

⊙01-12 10:17

通富微电公告，拟定增募资资金总额不超过44亿元，募集资金扣除发行费用后拟用于存储芯片封测产能提升项目、晶圆级封测产能提升项目、高性能计算及通信领域封测产能提升项目，分别投入募集资金8亿元、10.55亿元、6.95亿元和6.2亿元。此外计划将12.3亿元用于补充流动资金及偿还银行贷款。

⊙01-09 16:18

群联2025年12月合并营收87.12亿元（新台币，下同），环比增长24％，同比增长93％，刷新历史单月新高；全年合并营收达726.64亿元，同比增长23％，同创历史同期新高。群联表示，上月整体营运表现持续升温，控制芯片总出货量年增97％。其中，PCIe SSD控制芯片出货量同比增长15％，显示新一代高速接口渗透率持续扩大；NAND Bit Growth同比增长16％，凸显云端服务商拉货带动NAND需求走扬，并衍生近期NAND涨价与供给吃紧的市况。

⊙01-09 15:25

力成2025年12月营收72.96亿元（新台币，下同），环比增长2.19%，同比增长30.52%，创2022年8月以来单月高点；2025年第四季营收214.07亿元，环比增长7.21%，同比增长25.21%；累计2025年全年营收749.29亿元，同比增长2.20%，创下三年来新高纪录。

⊙01-08 18:12

高通首席执行官安蒙确认，高通确认正与三星电子就2纳米芯片代工合作进行洽谈，三星将有望时隔五年再次获得高通最先进芯片的代工订单，相关芯片设计工作已全部完成。首个合作项目可能是将目前骁龙8 Elite处理器（由台积电3纳米制程代工），转向三星2纳米制程生产。

⊙01-08 14:30

美光宣布，将于2026年1月16日正式在纽约州奥农达加县破土动工兴建其巨型晶圆厂。该项目耗资1000亿美元，是纽约州历史上规模最大的私人投资项目，建成后将成为全球最先进的存储器制造基地，美国最大的半导体工厂。

⊙01-08 10:49

美光宣布推出美光3610 NVMe™ SSD，是业界首款面向客户端计算的PCIe®5.0 QLC SSD，基于久经市场考验的美光G9 NAND 打造，顺序读取速率高达11,000 MB/s，顺序写入速率高达9,300 MB/s，专为主流台式机和笔记本电脑设计。

⊙01-08 10:05

三星电子公布其2025年第四季度的盈利预期，预计营收为93万亿韩元（约合641亿美元），环比增长8%，同比增长23%；营业利润为20万亿韩元（约合138亿美元），环比增长64%，同比增长208%，创历史新高。三星电子将于1月29日披露完整版业绩报告。

厂商动态

更多

最新财报

更多