美满(Marvell) 厂商主页

Marvell创立于1995年，美国总部位于加州圣塔克拉拉，在美国、欧洲、印度、新加坡和中国均设立了研发中心，每年售出近10亿颗芯片。而且在微处理器体系架构及数字信号处理方面的专业知识，极大的推动了大容量存储解决方案、移动与无线、网络、消费类产品及绿色产品等平台的发展前景 。

美满存储产品

Marvell Bravera SC5 SSD主控
Marvell Bravera SC5 SSD主控

支持 PCIe 5.0 和 NVMe 1.4b，支持最新3D NAND QLC、TLC和 SLC技术，延长SSD使用寿命。

美满 2021-05-27
Marvell 88SS1323 SSD控制芯片
Marvell 88SS1323 SSD控制芯片

支持TLC和QLC，支持PCIe Gen4接口，可提供高达3.5GB / s的带宽和每秒高达450K IOPS。

美满 2019-08-01
Marvell 88SS1321 SSD控制芯片
Marvell 88SS1321 SSD控制芯片

支持TLC和QLC，支持PCIe Gen4接口，可提供高达3.9GB / s的带宽和每秒高达690K IOPS。

美满 2019-08-01
Marvell 88SS1322 SSD控制芯片
Marvell 88SS1322 SSD控制芯片

支持TLC和QLC，支持PCIe Gen4接口，可提供高达3.9GB / s的带宽和每秒高达500K IOPS。

美满 2019-08-01
Marvell 88SS1084 SSD控制芯片
Marvell 88SS1084 SSD控制芯片

采用通用硬件和固件控制芯片架构，支持4通道，PCIe Gen3 x4 接口，可提供高达3.6GB / s的带宽和每秒高达700

美满 2018-06-06
Marvell 88SS1100 SSD控制芯片
Marvell 88SS1100 SSD控制芯片

支持8通道，PCIe Gen3 x4 接口，可提供高达3.6GB / s的带宽和每秒高达700,000 IOPS。

美满 2018-06-06
Marvell 88SS1098 SSD控制芯片
Marvell 88SS1098 SSD控制芯片

支持PCI-E 3.0 x4，符合NVMe 1.3标准，采用Marvell第四代NANDEdge LDPC纠错技术提高SSD使用寿命。

美满 2018-03-20
Marvell 88SS1088 SSD控制芯片
Marvell 88SS1088 SSD控制芯片

支持PCI-E 3.0 x4，符合NVMe 1.3标准，并采用Marvell第四代NANDEdge LDPC纠错技术提高可靠性和耐用性，提高

美满 2018-03-20
Marvell 88SS1092 SSD控制芯片
Marvell 88SS1092 SSD控制芯片

采用28nm工艺，最大支持8TB容量的SSD，支持15nm SLC/MLC/TLC，以及三星、东芝、美光、SK海力士等积极推进的

美满 2017-04-05
Marvell 88NV1160 SSD控制芯片
Marvell 88NV1160 SSD控制芯片

采用28nm工艺制造，支持15nm TLC和3D NAND，适合超薄计算存储设备。

美满 2016-08-10
Marvell 88NV1140 SSD控制芯片
Marvell 88NV1140 SSD控制芯片

采用28nm工艺制造，支持15nm TLC和3D NAND，适合2合1平板/超极本/Chrome存储。

美满 2014-12-08
Marvell 88NV1120 SSD控制芯片
Marvell 88NV1120 SSD控制芯片

采用28nm工艺制造，支持15nm TLC和3D NAND，适合2合1平板/超极本/Chrome存储。

美满 2014-12-08
Marvell 88SS1093 SSD控制芯片
Marvell 88SS1093 SSD控制芯片

采用28nm工艺制造，支持15nm TLC NAND Flash，支持PCIe3.0x4存储。

美满 2014-08-05
Marvell 88SS1074 SSD控制芯片
Marvell 88SS1074 SSD控制芯片

采用28nm工艺制造，支持1znm TLC NAND Flash，支持SATA 6Gbps存储。

美满 2014-05-27
Marvell 88SS1083 SSD控制芯片
Marvell 88SS1083 SSD控制芯片

采用28nm工艺制造，支持1znm NAND Flash，支持PCIe 2.0 x2取代SATA 6Gbps存储。

美满 2014-05-21

报价中心

厂商快讯

更多
⊙01-14 10:21

1月13日，佰维存储发布公告，预计2025年度实现营业收入100亿元-120亿元，同比增长49.36%-79.23%；预计2025年度归母净利润8.5亿元-10亿元，同比增长427.19%-520.22%。

⊙01-13 17:15

希捷正式推出三款 32TB CMR 机械硬盘，覆盖企业级 Exos 银河、监控 SkyHawk 酷鹰 AI、NAS 存储 IronWolf 酷狼 Pro 三条产品线。以上三款产品均基于希捷Mozaic HAMR（热辅助磁记录）技术平台，并针对应用场景进行了优化。

⊙01-13 10:09

据韩媒报道，三星电子正在评估韩国SNS Tech公司提供的EUV空白掩模，目标是在第二季度投入使用。目前正处于掩模评估的最后阶段，目标是在本月或下个月完成评估。三星电子一直以来都依赖进口EUV光刻掩模版，对日本的依赖程度尤其高，Hoya和Asahi Glass占据了三星大部分的供应。

⊙01-12 10:17

通富微电公告，拟定增募资资金总额不超过44亿元，募集资金扣除发行费用后拟用于存储芯片封测产能提升项目、晶圆级封测产能提升项目、高性能计算及通信领域封测产能提升项目，分别投入募集资金8亿元、10.55亿元、6.95亿元和6.2亿元。此外计划将12.3亿元用于补充流动资金及偿还银行贷款。

⊙01-09 16:18

群联2025年12月合并营收87.12亿元（新台币，下同），环比增长24％，同比增长93％，刷新历史单月新高；全年合并营收达726.64亿元，同比增长23％，同创历史同期新高。群联表示，上月整体营运表现持续升温，控制芯片总出货量年增97％。其中，PCIe SSD控制芯片出货量同比增长15％，显示新一代高速接口渗透率持续扩大；NAND Bit Growth同比增长16％，凸显云端服务商拉货带动NAND需求走扬，并衍生近期NAND涨价与供给吃紧的市况。

⊙01-09 15:25

力成2025年12月营收72.96亿元（新台币，下同），环比增长2.19%，同比增长30.52%，创2022年8月以来单月高点；2025年第四季营收214.07亿元，环比增长7.21%，同比增长25.21%；累计2025年全年营收749.29亿元，同比增长2.20%，创下三年来新高纪录。

⊙01-08 18:12

高通首席执行官安蒙确认，高通确认正与三星电子就2纳米芯片代工合作进行洽谈，三星将有望时隔五年再次获得高通最先进芯片的代工订单，相关芯片设计工作已全部完成。首个合作项目可能是将目前骁龙8 Elite处理器（由台积电3纳米制程代工），转向三星2纳米制程生产。

⊙01-08 14:30

美光宣布，将于2026年1月16日正式在纽约州奥农达加县破土动工兴建其巨型晶圆厂。该项目耗资1000亿美元，是纽约州历史上规模最大的私人投资项目，建成后将成为全球最先进的存储器制造基地，美国最大的半导体工厂。

⊙01-08 10:49

美光宣布推出美光3610 NVMe™ SSD，是业界首款面向客户端计算的PCIe®5.0 QLC SSD，基于久经市场考验的美光G9 NAND 打造，顺序读取速率高达11,000 MB/s，顺序写入速率高达9,300 MB/s，专为主流台式机和笔记本电脑设计。

⊙01-08 10:05

三星电子公布其2025年第四季度的盈利预期，预计营收为93万亿韩元（约合641亿美元），环比增长8%，同比增长23%；营业利润为20万亿韩元（约合138亿美元），环比增长64%，同比增长208%，创历史新高。三星电子将于1月29日披露完整版业绩报告。

厂商动态

更多

最新财报

更多

厂商新品

更多