近期贸易端部分主流消费类SSD及内存条零售价持续下探，目前来看尚未有止跌的迹象，即便较低价的抛售价也未能吸引真实买盘承接，甚至部分大容量产品近一个月价格累计下跌数百元人民币，更加加剧渠道存储现货倒挂加剧的现象。正因如此，渠道客户备货意愿低迷并持续观望，渠道厂商为争取订单成交，针对有实际备货需求的客户给予一定的价格支持。本周渠道内存条及SSD价格普遍再度续跌。

内存条(渠道市场)：DDR4 UDIMM 8GB 3200 跌 4.55% 至 $42.00，DDR4 UDIMM 32GB 3200 跌 2.78% 至 $175.00，DDR5 UDIMM 16GB 5600 跌 3.03% 至 $160.00，DDR5 UDIMM 16GB 6000 跌 1.76% 至 $167.00，DDR5 UDIMM 32GB 5600 跌 1.79% 至 $275.00，DDR5 UDIMM 32GB 6000 跌 3.45% 至 $280.00；

SSD(渠道市场)：Channel SSD 120GB SATA 跌 4.55% 至 $21.00，Channel SSD 240GB SATA 跌 4.17% 至 $46.00，Channel SSD 480GB SATA 跌 1.20% 至 $82.00，Channel SSD 256GB PCIe 3.0 跌 2.00% 至 $49.00，Channel SSD 512GB PCIe 3.0 跌 2.11% 至 $93.00，Channel SSD 1TB PCIe 3.0 跌 1.33% 至 $148.00，Channel SSD 512GB PCIe 4.0 跌 2.11% 至 $93.00，Channel SSD 1TB PCIe 4.0 跌 2.50% 至 $156.00，Channel SSD 2TB PCIe 4.0 跌 3.45% 至 $280.00。

关于4月20日16时53分左右发生在日本东北地区的地震，铠侠官网最新回应称，确认北上工厂的建筑物和设施未受损，北上工厂的生产活动照常进行。

日本青森县20日下午4点53分左右发生规模里氏7.7级强震，日本气象厅一度对北海道太平洋沿岸中部、青森县太平洋沿岸以及岩手县发布海啸警报。据日媒报道称，铠侠位于岩手县的NAND两厂在地震后进行停产检查。据相关人士最新回应，此次地震对铠侠NAND Flash供应暂无影响。

据韩媒报道，受人工智能应用领域对NAND Flash需求增长导致平均售价大幅上涨所推动，三星决定在其平泽P5工厂建设一条NAND Flash产线，该工厂的洁净室预计将于明年投入使用。具体规模尚未最终确定，预计将根据NAND Flash的需求情况灵活调整。

据韩媒报道，受人工智能应用领域对NAND Flash需求增长导致平均售价大幅上涨所推动，三星决定在其平泽P5工厂建设一条NAND Flash产线，该工厂的洁净室预计将于明年投入使用。具体的扩建规模尚未最终确定，预计将根据NAND Flash的需求情况灵活调整。

CFM闪存市场日前发布的《2026Q1全球存储市场报告与Q2展望》显示，AI新增需求推动长期存储价格中枢大幅攀升，AI服务器成为全球存储市场增长的核心引擎，引发原厂存储产能虹吸效应，全球存储供应格局从通用均衡供应转向AI基建优先。CFM预计服务器96GB及以上高容量DDR5每Gb单价全面突破2美金，64GB和96GB D5 ASP保持一定价差，4TB及以下容量eSSD ASP或将高达0.4美元/GB以上，预计服务器DDR5、eSSD涨幅都将收敛至50%以内。二季度，预计存储原厂服务器价格涨幅有所分化，合约DDR5 64GB价格预计落在1200~1350美金, 96GB价格落在1950~2300美金，128GB价格预计落在2900~3150美金。

韩国科学技术信息通信部数据显示，3月ICT出口额为435.1亿美元，同比大增112%，创历史新高。其中，半导体出口同比骤增151.4%，为328.4亿美元，带动ICT总出口额增长。得益于全球服务器需求强劲推动存储芯片出口增加，单月半导体出口额史上首次突破300亿美元大关。

据韩媒报道，为构建HBF试制品生产线，闪迪已开始与相关材零件合作伙伴打造生态系统。闪迪计划于今年下半年向市场推出试制品，试点生产线的候选地点很可能设在日本。明年实现商用化是其主要目标。

群联电子执行长潘健成预计，今年营收及获利都将达新纪录。此外，他指出，近期已有PC大厂追加大量SSD订单，美国客户也临时扩单，显示企业端需求动能稳健。至于消费市场，预期将于今年下半年逐步回温，随着手机与PC容量升级需求带动，价格不易大幅回落。

群联电子3月单月合并营收达183.17亿元新台币（折合人民币约39.40亿元），环比增长50%、同比增长221%，刷新历史单月新高；第一季度营收409.67亿元（折合人民币约88.12亿元），环比增长80%、同比增长196%，创历史同期新高。

华邦电子3月合并营收达145.01亿元新台币（折合人民币约31.19亿元），环比增长21.11%、同比增长91.49%，创单季历史新高；第一季度合并营收382.53亿元（折合人民币约82.28亿元），环比增长43.7%、同比增长91.34%，同样刷新纪录。

据韩媒报道，三星电子在生产过程中应用了自主研发的下一代低温焊接（LTS）技术，成功解决了SOCAMM2的翘曲问题。作为低功耗内存模块，SOCAMM2与HBM一同集成到NVIDIA的下一代AI平台“Vera Rubin”中。

三星电子公布2026年第一季度营收预估：预计合并营收约133兆韩元（约合881亿美元），环比增长41.7%，同比增长68.1%；预计合并营业利润约57.2兆韩元（约合379亿美元），环比增长185%，同比增长755%。

vivo发布《关于vivo及iQOO 部分产品建议零售价调整的说明》称，受全球半导体及存储成本持续大幅上涨的影响，经慎重评估，vivo 将于2026年3月18日10:00起，调整部分产品的建议零售价，具体机型及价格以官方渠道商品详情页展示为准。

受新采购资源成本持续攀升影响，本周嵌入式eMMC、LPDDR4X价格全面上涨。值得关注的是，嵌入式产品价格大幅上涨正在重塑下游应用市场格局，存储厂商的客户结构也随之面临洗牌，未来其产品策略将更聚焦于机器人、无人机、3D打印、智能POS机等高价值应用领域。

LPDDR：LPDDR4X 96Gb 涨 30.43% 至 $120.00，LPDDR4X 64Gb 涨 20.00% 至 $90.00，LPDDR4X 48Gb 涨 16.39% 至 $71.00，LPDDR4X 32Gb 涨 28.89% 至 $58.00，LPDDR4X 16Gb 涨 25.00% 至 $30.00；

eMMC：eMMC 8GB 5.1 涨 20.00% 至 $18.00，eMMC 16GB 5.1 涨 18.75% 至 $19.00，eMMC 32GB 5.1 涨 29.41% 至 $22.00，eMMC 64GB 5.1 涨 21.05% 至 $23.00，eMMC 128GB 5.1 涨 10.71% 至 $31.00，eMMC 256GB 5.1 涨 16.00% 至 $58.00；

eMCP：eMCP(eMMC + LPDDR4X)64GB+32Gb 涨 26.56% 至 $81.00，eMCP(eMMC + LPDDR4X)128GB+32Gb 涨 21.92% 至 $89.00，eMCP(eMMC + LPDDR4X)128GB+48Gb 涨 14.61% 至 $102.00；

UFS：UFS 2.2 64GB 涨 25.00% 至 $25.00，UFS 2.2 128GB 涨 10.00% 至 $33.00，UFS 2.2 256GB 涨 15.38% 至 $60.00，UFS 2.2 512GB 涨 25.00% 至 $90.00；

uMCP：uMCP(LPDDR4X + UFS2.2)4GB+128GB 涨 21.33% 至 $91.00，uMCP(LPDDR4X + UFS2.2)6GB+128GB 涨 14.29% 至 $104.00，uMCP(LPDDR4X + UFS2.2)8GB+128GB 涨 17.14% 至 $123.00，uMCP(LPDDR4X + UFS2.2)8GB+256GB 涨 18.11% 至 $150.00。

据外媒报道，美光已正式启动位于美国爱达荷州博伊西总部附近的新晶圆厂建设，用于生产尖端的HBM4（第六代）内存芯片。该工厂选址优越，并获得了美国商务部《芯片法案》补贴，预计将大幅缩短建设周期，目标是在2026年下半年实现量产。

小米集团合伙人、总裁、手机部总裁、小米品牌总经理卢伟冰近日表示，本轮存储涨价为长周期，预计将持续至 2027 年底，从 2025 年二季度到 2027 年底接近三年时间，这是史无前例的。此次涨价波及整个消费电子行业，所有厂商均受影响。卢伟冰称，尽管小米在手机、平板、电视、汽车等品类上内存需求巨大，但由于与全球五大存储供应商保持紧密合作，目前小米供应充足，未出现缺货情况。

美光科技宣布其位于印度古吉拉特邦萨南德的半导体封装测试工厂开业。这座工厂将来自美光全球制造网络的先进DRAM和NAND晶圆加工成成品存储器和存储产品。美光已向戴尔科技交付了首批印度制造的内存模块，用于戴尔面向印度市场推出的印度制造笔记本电脑。美光预计到 2026 年，萨南德工厂的芯片组装和测试量将达到数千万颗，并在 2027 年达到数亿颗。

德明利公布2025年年报：实现营业收入107.89亿元，同比增长126.07%；实现归母净利润6.88亿元，同比增长96.35%；实现扣非归母净利润6.68亿元，同比增长120.77%。其中，第四季度德明利营收41.30亿元，同比增长251.33%，环比增长61.96%；归母净利润7.154亿元，同比增长1105.46%，环比增长687.29%。截至2025年末，德明利存货金额达70.58亿元，占总资产比例为65.05%。

美国投资基金贝恩资本2月17日和2月19日出售约3900万股铠侠股票，按公司收盘价和每股售价计算，总价值约5500亿日元（约合35.1亿美元）。交易完成后，贝恩资本关联特殊目的公司（SPC）的总持股比例从44%降至37%。

SK海力士26日宣布，已与闪迪公司联合举办“HBF规格标准化联盟启动会”，正式发布面向AI推理时代的下一代存储器解决方案HBF（High Bandwidth Flash）的全球标准化战略。HBF不仅可提升AI系统的扩展能力，还能有效降低总体拥有成本（TCO）。业界普遍预测，以HBF为关键组件的整合型存储器解决方案，其市场需求将于2030年前后迎来全面扩张。

开普云2026年2月25日发布公告，宣布终止重大资产重组。该重组原计划通过支付现金的方式购买深圳市金泰克半导体有限公司持有的南宁泰克半导体有限公司70%股权、以发行股份的方式购买深圳金泰克持有的南宁泰克30%股权并募集配套资金。

鉴于瞬息万变的市场环境和不断上涨的存储成本，惠普维持2026财年的年度业绩指引，但预计实际业绩将更接近预期范围的下限。2025年11月，惠普曾表示存储及元器件成本占个人电脑物料成本的15%至18%；根据其最新预计，本财年这一比例将升至35%。

三星电子日前于ISSCC 2026上发布其LPDDR6研发成果，其最大传输速度可达14.4Gb/s。与上一代LPDDR5X（最大传输速度10.7Gb/s）相比，速度提升约35%。此外，三星电子着重提升了能效，与LPDDR5相比，LPDDR6读取功耗降低27%。在最低电压（0.97V）下，其传输速度可达12.8Gb/s，并通过结构优化，增强了在实际使用环境中的稳定性。LPDDR6预计将于今年下半年上市。

东芯股份于投资者平台回复提问称，目前看到在消费电子终端，随着客户对存储容量的需求逐步升级，部分场景存在使用SLC NAND Flash产品替代NOR Flash的趋势。

据韩媒报道，业内人士透露，三星电子内部已实现1c DRAM 80%的良率，这是在高温环境下（热测试）取得的最高良率，并进一步表示，基于1c DRAM的HBM4的良率也有所提高，已接近60%，去年第四季度约为50%。

针对AI推理工作负载优化的SSD需求迅速攀升，而随着NL HDD供应状况趋紧，QLC SSD的替代需求也在不断上升。各存储原厂持续扩大Server SSD供应，以满足不断增长的需求，四季度全球NAND市场规模环比增长27.8%至235.45亿美元。

具体来看，三星四季度NAND Flash销售收入达63.51亿美元，环比增长18.4%，市场份额27.0%，排名第一；SK海力士四季度NAND Flash销售收入达52.12亿美元，环比增长47.4%，市场份额22.1%，排名第二；铠侠四季度NAND Flash销售收入达35.24亿美元，环比增长15.7%，市场份额15.0%，排名第三；西部数据四季度NAND Flash销售收入达30.25亿美元，环比增长31.1%，市场份额12.8%，排名第四；美光四季度（2025年9月-11月）NAND Flash销售收入达27.43亿美元，环比增长21.8%，市场份额11.6%，排名第五。

应用于服务器的高密度DDR5/LPDDR5X/HBM需求十分旺盛，而四季度DRAM仍存在较大供应缺口。尽管DRAM bit出货量增长受限但DRAM ASP大幅上涨，带动四季度DRAM市场规模环比增长29.8%。

具体来看，三星四季度DRAM销售收入达192.6亿美元，环比增长38.1%，市场份额为37.1%，排名第一；SK海力士四季度DRAM销售收入达172.24亿美元，环比增长24.9%，市场份额为33.1%，排名第二；美光四季度（2025年9月-11月）DRAM销售收入达108.12亿美元，环比增长20.3%，市场份额20.8%，排名第三；南亚科技四季度DRAM销售收入为9.72亿美元，环比增长54.3%，市场份额1.9%；华邦电子四季度DRAM销售收入为2.99亿美元，环比增长34.7%，市场份额0.6%。

据CFM闪存市场数据显示，2025年四季度全球DRAM/NAND Flash市场规模达755.1亿美元，环比增长29.2%，其中全球DRAM市场规模环比增长29.8%至519.65亿美元，NAND市场规模环比增长27.8%至235.45亿美元。全年来看，2025年全球DRAM/NAND Flash市场规模历史上首次突破2000亿，同比增长32.7%至2215.91亿美元。

2月12日，三星电子宣布，其HBM4已抢先开始量产，并向客户交付商用产品。三星的HBM4可提供高达每秒11.7 Gbps的稳定处理速度，比业界标准的8Gbps提升约46%，树立了HBM4性能的新标杆。三星预计其HBM产品销量在2026年将比2025年增长三倍以上，并正积极扩大HBM4的产能。在HBM4成功推向市场后，HBM4E的样品预计将于2026年下半年开始发放，而定制的HBM样品将根据客户的具体规格于2027年开始交付。