10月19日,长鑫科技召开2026年第二次临时股东会,披露前三季度业绩预报并回应产能、供需与技术布局等关注点。
长鑫科技预计2026年前三季度实现营业收入2650亿元至2700亿元,同比增长超7倍;归母净利润1310亿元至1325亿元,同比扭亏为盈。业绩高增主要受益于AI算力需求爆发带动DRAM行业景气度上行,叠加合肥、北京两地晶圆厂保持高产能利用率、产品结构持续优化和成本结构改善。
针对产能落地与市场供需,长鑫科技高管表示,目前合肥、北京两地晶圆厂持续高产能利用率运转,订单饱满,可凭借多元化产品矩阵和不断优化的成本结构应对市场变化。结合宏观与产业环境,长鑫对DRAM行业长期发展保持充足信心。AI算力需求正驱动全球DRAM市场持续扩容,预计2025至2030年行业年均复合增长率达38.39%。
市场层面,长鑫存储的市场份额也在快速提升。据CFM闪存市场数据,2026年二季度长鑫存储DRAM销售收入达145.45亿美元,环比增长99%,全球市场份额逼近10%,排名第四;其中mobile LP4X/5X价格涨幅领跑其他应用市场,带动其DRAM销售收入环比增幅位列第一。
在战略布局与核心竞争力方面,长鑫管理层强调公司将深入内存制造极致微缩领域的“无人区”,以创新工艺突破技术瓶颈。长鑫坚持自主研发与“跳代研发”策略,已完成从第一代到第五代工艺技术平台迭代,产品覆盖LPDDR4X、DDR5、DDR5X至最新LPDDR6。目前,长鑫已采用四重自对准图形工艺,第五代技术平台制程接近业内已量产最先进平台;LPDDR6传输速率达12800Mbps,功耗较LPDDR5X下降20%(基于 LPDDR5X 的对比,其中功耗为内部测试数据),并在4F²等先进架构方面取得关键进展。

