低容量NOR受封城影响消费性电子需求,加上大环境不确定因素多,客户端库存水位增加,导致第二季价格下修、跌幅预计约3%。
适合SD 9定义的新功能的设备包括Chromebook 计算机、平板电脑、无人机、监控摄像头、行车记录仪、游戏机、虚拟现实 (VR) 耳机/眼镜、小型物联网模块和可穿戴医疗设备等等。
日本硅晶圆厂胜高(SUMCO)表示,第二季度逻辑芯片/存储芯片适用的12英寸硅晶圆供应将持续趋紧,预估存储芯片的12英寸产品需求部分将陷入调整局面,但逻辑芯片需求将持续呈现稳健增长,12英寸整体供不应求的情况将持续。
西部数据认为消费类SSD市场潜力巨大,预计从2023年到2026年,消费类SSD复合年增长率超过45%。预计到2026年,消费类SSD市场份额与HDD市场份额之比将达到7:3。
为了更好的反映市场行情,CFM闪存市场将于2022年5月17日对存储产品报价进行部分调整。
合肥沛顿存储项目于2021年6月完成工厂一期项目封顶,2021年12月正式投产。项目将极大地提高深科技存储芯片配套封测产能,全面配合上游客户最新的业务发展进度。
昨日,慧荣捐赠“创新设计未来实验室”给阳明交大电机学院,举行启用仪式,慧荣总经理苟嘉章接受媒体采访时表示,美国大厂分析下半年NAND市场将反转向上,多数厂商也认为,下半年NAND市场可望出现较大反弹。
性能方面,三款硬盘的最大顺序读取速度均为3500MB/s,而最大顺序写入速度则不相同,其中256GB规格的最大顺序写入速度为1300MB/s,512GB规格的最大顺序写入速度为 2700MB/s,而 1TB 规格的最大顺序写入速度为 3100MB/s。
按品目来看,半导体出口增长16%,为109亿美元,连续12个月突破100亿美元。其中存储芯片出口得益于数据中心投资重启、高端智能手机面市等利好因素,增长7.7%至63.8亿美元,连续20个月增加。
据研究机构Yole的存储报告显示,预计今年DRAM市场规模将增长到1180亿美元,增长25%;今年NAND闪存将达到830亿美元,增长24%,均双双创历史新高。
浪潮信息创新推出了三层存储架构的NF5266M6服务器,实现了计算、存储、IO的极致均衡,为存储型服务器的演进指明了方向。
澜起科技宣布在业界率先试产DDR5第二子代寄存时钟驱动器芯片M88DR5RCD02,该芯片支持的数据速率高达5600MT/s,特别适用于大数据、人工智能、物联网、边缘计算等数据密集型应用。
华硕首款SSD隶属于高端的ROG玩家国度品牌,型号为“ROG STRIX SQ7”,M.2 2280标准形态,容量至少包含1TB,支持PCIe 4.0 x4、NVMe。
澜起科技发布全球首款CXL (Compute Express Link)内存扩展控制器芯片(MXC)。该MXC芯片专为内存AIC扩展卡、背板及EDSFF内存模组而设计,可大幅扩展内存容量和带宽,满足高性能计算、人工智能等数据密集型应用日益增长的需求。
江苏华存其自主研发的国内首颗PCIe5.0 SSD存储控制芯片在台积电成功流片,预计2022年下半年投入量产。