据媒体报道,南亚科技在法说会指出,Rubin Ultra和TPA等新一代AI加速计算平台推升HBM bit需求并持续排挤传统DRAM产能,预期至2028年全球DRAM仍将供不应求。南亚科技预估2026-2028年公司产能扩张约69%。5A新厂将导入1C/1D奈米先进制程,并新增产能约4.5万片。预计2027、2028年bit出货量将分别年增8%、53%。此外,由于Q2平均每Gb价格尚未完全反映合约价上涨,且大型长约客户换约存在时间差,预计三季度ASP仍有上修空间。
兆易创新Q1营收41.88亿,净利润14.61亿,由此可推算出其Q2营收预计为73.12亿,环比增长74.6%,净利润预计54.39亿,环比增长272%。
英特尔公布了一项名为XBM的新专利技术,该方案旨在替代HBM4,并提供更高的带宽能力。XBM全称扩展带宽内存,属于DRAM内存方案,其封装尺寸将与HBM4保持一致,每颗芯片的容量可在0.5GB-5GB之间,搭载32GT/s速率的UCIe通用芯粒互联接口。最核心的突破在于制造工艺的迁移:传统DRAM的存储单元制作于前段制程(FEOL),也就是原生用于制作晶体管的底层硅基底;而XBM将1T1C存储单元转移至后段制程(BEOL),布置在晶体管上层的金属通孔堆叠区域,并采用薄膜晶体管工艺。
在推进下一代高带宽内存(HBM)技术的过程中,三星电子与SK海力士正面临一项关键抉择——是否全面导入“混合键合(Hybrid Bonding)”技术。尽管该技术优势显著,但由于当前HBM对“减薄”和“散热”的迫切需求有所降低,两大巨头的推进步伐变得愈发谨慎。不过,业界普遍预计,随着未来HBM输入/输出(I/O)端子数量的爆发式增长,混合键合技术的引入仍将被提上日程,短期(HBM4/HBM4E 前期 12 层版本)仍依靠 TC 键合 + 独立散热方案过渡。
本次冲击上市,英韧科技拟募集资金约32.33亿元,资金投向明确聚焦企业级与AI存储赛道。具体来看,约12.7亿元将用于新一代数据中心企业级存储系统方案研发及产业化项目,重点开展PCIe 6.0存储主控芯片及模组研发,并同步布局PCIe 7.0前沿技术;约9.91亿元投向面向AI领域存储系统方案研发项目,攻关适配 AI 算力中心的多介质混合异构存储架构;另有约9.7亿元用于补充流动资金。
据韩媒报道,业界消息称,受英特尔、AMD等厂商支持CXL 3.1标准的CPU发布推迟影响,三星电子已决定推迟其基于CXL 3.1标准的内存模块(CMM-D 3.0)的量产计划。短期内,三星将继续维持基于CXL 2.0标准的CMM-D 2.0产品的生产。
被誉为“HBM之父”的韩国科学技术院(KAIST)金正浩教授近日接受专访时抛出颠覆性观点:AI的本质是内存,而非GPU。他指出,当前AI算力竞赛中存在一个结构性矛盾, GPU的“闲置”时间远超外界想象。
据媒体报道,美光科技于周六举行日本西部工厂扩建奠基仪式,该扩建项目投资1.5万亿日元(折合93亿美元),用于生产高带宽存储器(HBM)等先进存储芯片,主要服务于AI处理器需求,预计相关产品将在2028年夏季左右开始出货。据悉,日本经济产业省将提供最高约5000亿日元补贴支持。该项目是美光全球AI存储产能扩张计划的一部分,公司同时在美国爱达荷州和纽约州推进大规模先进制程投资,以提升DRAM与HBM供应能力。
CFM闪存市场近日发布2026年第三季度存储市场展望报告。报告指出,预计2026年三季度,服务器DDR5、eSSD价格环比涨幅将分别落在10%~20%、25%~30%区间;Mobile LPDDR4X/5X、eMMC/UFS价格涨幅分别约5%~15%、15%-25%;PC DDR5/LPDDR5X涨幅预计约13%-18%,cSSD涨幅约15%~25%。
据媒体报道,三星电子首席技术官兼半导体研究所所长Song Jae Hyuk在DS部门内部经营说明会上表示,HBM4E的可靠性测试良率已提升至70%以上。下一代DRAM工艺开发方面,Song Jae Hyuk表示D1d工艺的技术竞争力已领先于竞争对手,并以今年11月取得生产准备认证(PRA)为开发目标。
三星电子近日提交了一项关于高带宽内存(HBM)封装的新型专利,旨在解决HBM4E、HBM5等高堆叠产品面临的可靠性挑战。随着HBM堆叠层数不断增加,该专利提出了一种针对顶层“虚拟芯片(Dummy Die)”的结构优化方案,以期提升封装的机械稳定性与生产良率。
据外媒报道,突破现有 CXL 套件限制,实现单机多类型内存混合使用,Meta开发了一项名为“Vistara”的内存复用技术,可将旧服务器拆下的DDR4内存重新接入新服务器,并借助自研CXL技术在不同应用之间共享内存,同时尽量降低跨应用共享带来的额外时延。据悉,Vistara ASIC 的核心设计是通过符合 CXL 2.0/1.1 标准的 PCIe Gen5 x16 接口将 DDR4 内存连接到主机处理器,Meta已将这种CXL技术应用于拥有数百万台服务器的超大规模基础设施。
此次投资计划的一大焦点,是SK海力士拟在韩国清州新建一座NAND闪存晶圆厂。若该计划最终落地,这将是自2018年M15工厂建成以来,SK海力士在该厂区首次进行重大NAND产能扩张。
6 月 25 日,微软与苹果先后发布公告上调硬件定价,核心诱因是 AI 数据中心扩容带动存储芯片需求激增,叠加多重供应链因素推高元器件成本。
据韩媒inews24报道,SK海力士的赴美上市进程已进入最后冲刺阶段;与此同时,铠侠也发布了赴美发行ADR(美国存托凭证)的时间表,并计划通过拆股降低散户投资门槛。