非盈利机构USB开发者论坛(USB-IF)今天正式宣布了USB Type-C认证规范,该软件协议能够为USB-C产品筑起一道安全防线,确保使用非兼容USB-C线缆进行充电的时候不会对产品造成损坏。

随着科技的发展,台式机/笔记本处理器(CPU)、内存条等配置越来越高,而HDD提升速度有限,导致硬盘与处理器之间数据的输入/输出成为台式机/笔记本性能提升的最大瓶颈,而SSD主流的SATAIII接口速度可达到600MB/S,PCIe接口速度更快,SSD可结

谈到SSD总会出现SATAII、SATAIII、PCIe Gen1x1(同PCIe Gen1.0x1)、PCIe Gen2x2(同PCIe Gen2.0x2)、AHCI及NVMe等专属名词,在这里小编也给大家做个简单的讲解。

在存储领域,尤其是在产品容量上,常用的单位容易混淆。

USB Type-C是一个受人欢迎的全新接口标准,但想要清楚地对其进行解释可不是件容易的事。Type-C被描述为10Gbps USB 3.1配置的一种“补充”,但它其实还能支持USB 2.0或3.0。

NAND Flash厂商主要是三星(Samsung)、东芝(Toshiba)/闪迪(SanDisk)、美光(Micron)、SK海力士(SK Hynix)5家,原厂生产出来的Wafer按照品质差异、封装测试形成市面上所谓的原装片、自封品牌、白片、黑片等。

3D XPoint由英特尔和美光合作研发及生产,延迟水平以纳秒计算,这远超NAND Flash以微秒计算的延迟水平,除性能指标大幅提升之外,耐用性也将提高1000倍,这也就意味着当前困扰NAND Flash的写入性能下降和闪存耐久度问题将得到解决。

智能手机、平板机的存储介质目前以eMMC/eMCP为主流存储方案,eMMC将主控制器、NAND Flash颗粒整合到了一个小的BGA封装内,有效的解决了NAND Flash管理问题。随着市场的发展,技术的进步,速度也不断提升。

JEDEC固态技术协会发布的通用闪存(UFS)标准2.0版专为需要高性能低功耗的移动应用和计算系统而设计。相比前一版本,新的UFS 2.0版提供更大的链路带宽以提高性能,延伸安全功能,并进一步降低功耗。

随着NAND Flash纳米制程技术不断向下微缩,技术瓶颈越发凸显,3D NAND Flash技术经过几年时间的沉淀,上游芯片厂三星、东芝、海力士、美光已在2013年公布了3D技术规划的时程表。

早期智能型手机内嵌存储主流方案为NAND MCP,是将SLC NAND Flash与低功耗 DRAM封装在一起。该方案具有生产成本低、技术相对成熟等优势。NAND MCP目前主要应用在低端的智能型手机产品中。

DDR采用一个周期来回传递一次数据,因此传输在同时间加倍,因此就像工作在两倍的工作频率一样。为了直观,以等效的方式命名,因此命名为DDR 200 266 333 400。

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存储厂商

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上市公司

数据有延时,01-22 01:04
存储原厂
三星电子 KRW 149500 +2.96%
SK海力士 KRW 740000 -0.40%
铠侠 JPY 16500 +8.52%
美光科技 USD 387.955 +6.29%
西部数据 USD 239.120 +7.24%
闪迪 USD 479.523 +5.83%
南亚科技 TWD 251.0 -7.72%
华邦电子 TWD 105.5 -6.64%
主控厂商
群联电子 TWD 1905 -4.99%
慧荣科技 USD 118.320 +4.70%
联芸科技 CNY 56.23 +2.53%
点序 TWD 108.5 -4.82%
品牌/模组
江波龙 CNY 346.62 +1.35%
希捷科技 USD 339.085 +4.02%
宜鼎国际 TWD 753 -2.21%
创见资讯 TWD 231.0 -6.85%
威刚科技 TWD 271.5 -8.89%
世迈科技 USD 19.895 +0.84%
朗科科技 CNY 31.36 +0.77%
佰维存储 CNY 190.36 -0.01%
德明利 CNY 285.16 +1.86%
大为股份 CNY 31.42 -0.95%
封测厂商
华泰电子 TWD 63.8 -8.73%
力成 TWD 239.5 -4.77%
长电科技 CNY 52.61 +6.30%
日月光 TWD 291.0 -1.69%
通富微电 CNY 56.11 +10.00%
华天科技 CNY 14.18 +10.01%