小米集团合伙人、总裁，手机部总裁，小米品牌总经理卢伟冰援引 Omdia 和第三方数据表示，小米手机业务连续 21 个季度位居全球前三，2025 年 1~10 月位居中国市场第二。此外，他表示小米高端手机 2024 年销量达 1300 万台，预计 2025 年高端手机销量 1500 万台。

年终将至，存储厂商在推进现有订单陆续交付的同时，已逐渐与部分大众客户进行新季度的磋商，从近期询单来看，小容量嵌入式eMMC需求相对表现更强，而大容量产品则因价格高昂，部分客户需求转向更低容量方案而使其出货压力更大。从价格上看，嵌入式行情整体平稳，本周eMMC、UFS、LPDDR4X产品价格与上周持平。

近期，行业客户释放出小批量需求，为行业DDR4内存条价格上涨提供动力。SSD方面，部分PC客户已着手明年Q1备货，尽管当前尚在询价阶段，但基于明年一季度资源维持大幅涨价的预期，行业厂商针对相应SSD成品也将紧跟资源价格而调整定价。

内存条(行业市场)：DDR4 SODIMM 4GB 3200 涨 16.67% 至 $35.00，DDR4 SODIMM 8GB 3200 涨 3.33% 至 $62.00，DDR4 SODIMM 16GB 3200 涨 18.18% 至 $130.00。

尽管渠道市场更靠近零售端，过高的价格往往更加容易遭到需求端反噬，但渠道资源价格高企，甚至部分渠道产品已面临倒挂，令相关成品价格居高不下。本周渠道SSD/内存条价格暂时不变。

据CFM闪存市场最新报价，上游资源方面，今日多数Flash Wafer价格上涨，DDR颗粒价格暂时不变。具体来看，

Flash Wafer：1Tb QLC 涨 5.60% 至 $13.20，1Tb TLC 涨 7.69% 至 $14.00，512Gb TLC 涨 5.56% 至 $9.50。

Counterpoint Research最新报告称，受内存芯片短缺推高成本、压缩产能影响，明年全球智能手机出货量或将下滑 2.1%。此外，受电子元器件整体成本上涨 10% 至 25% 的影响，明年全球智能手机平均售价将上涨 6.9%。

据业界消息，谷歌旗下 AI 芯片 TPU 近期需求爆发，为确保下一代产品供应，已将交给联发科的下一代“TPU v7e”芯片订单量翻倍。

宏碁董事长陈俊圣表示，今年第四季价格一定与明年第一季不一样，在新一波订单拉货之后，可能因成本不同而调整报价，但是真正的挑战将在明年第二季，因大家为了想要较低的报价而提前拉货，导致后续的能见度和报价更困难。

铠侠即将推出 EXCERIA G3 SSD 系列，采用BiCS FLASH™ 第八代 QLC 闪存，顺序读取速度高达 10,000 MB/s，写入速度高达 9,600 MB/s，容量最高可达 2TB。预计将于 2025 年第四季度上市。

鸿蒙智行近期已联合深圳市交通局等相关部门，在深圳开启L3级有条件自动驾驶内测。与常规研发测试不同，本次测试旨在通过真实道路和真实用户数据，验证L3系统的为普通用户带来的安全性与产品成熟度，为国家L3政策落地提供实践依据。

英特尔代工官方宣布，其已同 ASML 实现了首台“二代”High NA EUV 光刻机 TWINSCAN EXE:5200B 的“验收测试”。与主要用于工艺前期研发的“一代”机型 EXE:5000相比，EXE:5200B 更接近于“量产用设备”：配备了更高功率 / 剂量的 EUV 光源，晶圆吞吐量提升到每小时 175 块；套刻精度提升至 0.7nm；此外通过新的晶圆存储结构提升了整体效果的稳定性。

华为智能汽车解决方案BU CEO靳玉志表示，新能源车智能化已成刚需，正在进行快速迭代。据其介绍，目前华为乾崑智驾辅助驾驶里程已超58亿公里，车位到车位使用次数超2000万次，自动泊车超3.5亿次。

龙芯中科在投资者关系活动中介绍称，9A1000已经交付流片，后续还有9A2000和9A3000的研发计划。此外，该司软件生态进展包括二进制翻译系统已达到基本可用水平。

阿里通义宣布开源Fun-CosyVoice3-0.5B，该版本提供了zero-shot音色克隆能力，只需提供一段3秒以上的参考音频，即可复刻其音色并合成新语音，并且支持本地部署和二次开发。此外，通义推出轻量化版本Fun-ASR-Nano模型，总参数量压缩到0.8B，推理成本更低，现已开源，支持本地部署与定制化微调。

据外媒引述知情人士消息，甲骨文公司已推迟交付为 OpenAI 规划的多座大型 AI 数据中心。这些受影响的设施属于今年1月公布的“星际之门”项目。项目进度延迟的主要原因是熟练劳动力和部分物资短缺。目前短缺的“物资”具体类别尚未明确，但据推测可能包括关键建筑材料或数据中心设备。尽管项目时间表从 2027 年延后至 2028 年，但甲骨文为 OpenAI 建设项目的整体规模并未发生变化。

铠侠宣布，其研发出的高度可堆叠氧化物-半导体沟道晶体管将使高密度、低功耗3D DRAM的实际应用成为可能。该技术有望降低包括人工智能服务器和物联网组件在内的众多应用领域的功耗。

据韩媒报道，三星电子计划扩大针对博通公司的第五代高带宽内存（HBM）HBM3E的供应量。今年，博通已将三星电子视为战略合作伙伴，以取代SK海力士。三星电子在性能和价格谈判方面展现出了灵活性，具体而言，据报道，三星电子将其供应价格较SK海力士目前供应的HBM3E产品降低了约20%。

日本经济产业大臣赤泽亮正12月12日表示，日本产业技术综合研究所（产综研、AIST）将在北海道千岁市建设一座开放式的尖端半导体研发中心，目标 2029 财年投入使用。该研发中心将与同在千岁市的 Rapidus 晶圆厂形成协同效应，服务于该集群内的半导体产业上下游企业与学术界。如果日本国会通过 2025 财年补充预算，该项目将启动下一代 EUV 光刻机在内的必要设备引进工作。

ASML CEO Christophe Fouquet在接受媒体专访时称，预计High NA EUV 光刻机将于 2027~2028 年正式投入先进制程的大规模量产作业中。目前在导入新一代图案化技术方面最积极的是英特尔，其支持 High NA EUV 的 Intel 14A 节点将在 2027 年正式推出。

据日媒报道，本田汽车宣布，将在 2027 财年于日本推出搭载 AI 自动驾驶技术的混动车型与纯电车型，正式迈入 AI 自动驾驶量产阶段。